公开(公告)号：KR101049801B1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR1020090018927

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  서진욱 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락 ,  양태훈 ,  안지수 ,  김영대 ,  박병건 ,  이길원 ,  이동현 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  리사첸코,막심

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C14/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672

Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층이 형성된 상기 기판을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시키고, 상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통하여 UV 램프를 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치를 제공한다.
결정화, 친수성, 소수성

Abstract translation: 本发明涉及制造多晶硅层的方法和为此使用的原子层沉积设备。

公开(公告)号：KR101002667B1

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：KR1020080064001

申请日：2008-07-02

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 안지수 ,  김성철

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/26 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로써, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하며 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치하는며, 제 1콘택홀 및 제 2 콘택홀을 포함하는 층간절연막; 및 상기 층간절연막 상에 위치하며, 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 제 1콘택홀을 통하여 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하며 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치하는며, 제 1콘택홀 및 제 2 콘택홀을 포함하는 층간절연막; 및 상기 층간절연막 상에 위치하며, 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 제 1콘택홀을 통하여 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 보호막; 및 상기 보호막 상에 위치하며, 상기 소스/드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
결정화, 줄 열(Joule heating)

Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光显示器。 设置在衬底上的缓冲层; 位于缓冲层上的半导体层; 设置在半导体层上的栅极绝缘膜; 设置在栅极绝缘膜上的栅电极; 层间绝缘膜，设置在包括栅电极的基板的整个表面上，所述层间绝缘膜包括第一接触孔和第二接触孔; 和它设置在层间绝缘膜，以及与所述栅电极绝缘，所述的薄膜晶体管，并且通过第一接触孔制造的方法包括在半导体层和部分被连接在源/漏电极。

公开(公告)号：KR1020100100186A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018927

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  서진욱 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락 ,  양태훈 ,  안지수 ,  김영대 ,  박병건 ,  이길원 ,  이동현 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  리사첸코,막심

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C14/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of polycrystalline silicon and an atomic deposition apparatus thereof are provided to control the formation position of a seed and the size of grain by forming the crystallization guiding metal at a predetermined position and uniform concentration. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A mask(130) equipped with the opening and closing is located on the amorphous silicon layer. A UV lamp(140) is positioned on the mask. The crystallization induction metal is formed on the amorphous silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅的制造方法及其原子沉积装置，以通过在预定位置形成均匀浓度来控制晶种的形成位置和晶粒尺寸。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成非晶硅层（120）。 配置有开闭的掩模（130）位于非晶硅层上。 UV灯（140）位于掩模上。 在非晶硅层上形成结晶感应金属。

公开(公告)号：KR1020100099917A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018490

申请日：2009-03-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  정윤모 ,  강유진 ,  장석락 ,  서진욱 ,  안지수 ,  양태훈 ,  김영대 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  윤상현

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/042 ,  C30B25/165 ,  C30B35/00

Abstract: PURPOSE: An atomic layer deposition device and method for cooling a mask assembly are provided to effectively heat a substrate through a heating element of a substrate holder while preventing the thermal deformation of a mask assembly. CONSTITUTION: An atomic layer deposition device comprises a chamber(100), a vacuum pump(130), a gas supply unit(140), a substrate holder(110), a mask assembly, and a cooling source(150). The vacuum pump controls the internal pressure of the chamber. The gas supply unit supplies reaction gas into the chamber. The substrate holder is embedded with a heating element and located between the vacuum pump and the gas supply unit. The mask assembly with an internal cooling passage is located between the substrate holder and the gas supply unit. The cooling source supplies coolant to the cooling passage of the mask assembly.

Abstract translation: 目的：提供用于冷却掩模组件的原子层沉积装置和方法，以有效地加热衬底通过衬底保持器的加热元件，同时防止掩模组件的热变形。 构成：原子层沉积装置包括腔室（100），真空泵（130），气体供应单元（140），衬底保持器（110），掩模组件和冷却源（150）。 真空泵控制室的内部压力。 气体供应单元将反应气体供应到室中。 衬底保持器嵌有加热元件，并位于真空泵和气体供应单元之间。 具有内部冷却通道的面罩组件位于衬底保持器和气体供应单元之间。 冷却源将冷却剂供应到面罩组件的冷却通道。

公开(公告)号：KR100965260B1

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：KR1020080008159

申请日：2008-01-25

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 안지수 ,  박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이길원 ,  이기용 ,  김성철

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66765

Abstract: 본 발명은 게터링 사이트로써, 소스/드레인 전극 물질층을 이용하여 반도체층에 잔존하는 결정화를 위한 금속 촉매의 양을 감소시켜 누설 전류 특성 및 박막트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 바텀 방식의 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 구비한 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하고, 금속 촉매를 이용하여 결정화된 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하고, 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 소스/드레인 전극 하부의 상기 반도체층 영역 내에는 상기 반도체층의 표면으로부터 일정 깊이까지 금속 촉매와 다른 금속 또는 상기 다른 금속의 금속실리사이드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 제공한다.
박막트랜지스터, 게터링, 바텀 게이트, 소스/드레인 전극

Abstract translation: 本发明吸除部位作为源/漏极材料层通过使用用于残留在半导体层的泄漏电流特性结晶的金属催化剂以及薄膜底部的系统，可以提高晶体管的电特性的薄膜的减少量的 晶体管及其制造方法，以及具有该晶体管的有机发光显示器。

公开(公告)号：KR1020100049979A

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：KR1020080109045

申请日：2008-11-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 안지수 ,  김성철 ,  유철호

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same and an organic light emitting display device including the same are provided to reduce the failure rate by preventing arc which is generated while an amorphous silicon layer is crystallized due to the conductive heat of a metal layer. CONSTITUTION: A substrate includes a pixel part and a peripheral part. A buffer layer(110) is located on the substrate. A semiconductor layer(120) is located on the buffer layer and corresponds to the pixel part. A gate insulation layer(130) is located on the semiconductor layer. A gate electrode is insulated from the semiconductor layer and is located on the gate insulation layer. A source/drain electrode is insulated from the gate electrode and is electrically connected to the semiconductor layer through a contact hole. The region which corresponds to the contact hole is doped with dopant.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光显示装置，通过防止非晶硅层由于导电热而结晶而产生的电弧来降低故障率 金属层。 构成：衬底包括像素部分和周边部分。 缓冲层（110）位于基板上。 半导体层（120）位于缓冲层上并对应于像素部分。 栅极绝缘层（130）位于半导体层上。 栅电极与半导体层绝缘并位于栅极绝缘层上。 源/漏电极与栅电极绝缘，并通过接触孔与半导体层电连接。 对应于接触孔的区域掺杂有掺杂剂。

公开(公告)号：KR1020110067933A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：KR1020090124724

申请日：2009-12-15

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김병주 ,  안지수 ,  유철호 ,  김성철

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/683

Abstract: PURPOSE: A fabrication apparatus for a thin film transistor is provided to minimize characteristic deviation due to consecutive environment change by crystallizing deposited amorphous silicon into a poly-crystal silicon. CONSTITUTION: A first multiple chamber deposit amorphous silicon on a substrate. A second multiple chamber has an electrode on the substrate. A loading/unloading chamber(300) is interposed between the first multiple chamber and the second multiple chamber. A power voltage supply unit(320) is arranged on the substrate holder in the lower part and upper part of the loading/unloading chamber and A substrate holder(310) comprises a substrate support, a holder transfer unit, and a holder driving unit. The substrate is mounted in the substrate support. The holder driving unit controls the holder transfer unit.

Abstract translation: 目的：提供一种用于薄膜晶体管的制造装置，以通过将沉积的非晶硅结晶成多晶硅来最小化由于连续的环境变化引起的特性偏差。 构成：第一个多层沉积在基底上的非晶硅。 第二多腔室在衬底上具有电极。 装载/卸载室（300）介于第一多室和第二多室之间。 电源电压供应单元（320）设置在装载/卸载室的下部和上部的衬底保持器上，并且衬底保持器（310）包括衬底支撑件，保持器传送单元和保持器驱动单元。 基板安装在基板支撑件中。 支架驱动单元控制支架传送单元。

公开(公告)号：KR1020110067932A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：KR1020090124723

申请日：2009-12-15

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김병주 ,  안지수 ,  유철호

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/326

Abstract: PURPOSE: An amorphous silicon crystallization apparatus is provided to crystallize of amorphous silicon which is formed on a substrate of various sizes without changing facility by adjusting the distance between a first electrode and a second electrode. CONSTITUTION: In an amorphous silicon crystallization apparatus, a substrate holder(200) is arranged in the lower of a processing chamber. A power voltage supply unit(300) is arranged on the process chamber. The power voltage supply unit includes a first electrode and a second electrode of which polarity different from that of the first electrode. A controller controls the distance between the first electrode and the second electrode. A substrate holder includes a substrate support, a holder transfer unit, and a holder driving unit The holder transfer unit transfers the substrate support. The holder driving unit(230) controls the holder transfer unit.

Abstract translation: 目的：提供非晶硅结晶装置，以通过调节第一电极和第二电极之间的距离来改变形成在各种尺寸的基板上的非晶硅，而不改变设备。 构成：在非晶硅结晶装置中，衬底保持架（200）布置在处理室的下部。 电源电压单元（300）布置在处理室中。 电源电压单元包括与第一电极极性不同的第一电极和第二电极。 控制器控制第一电极和第二电极之间的距离。 衬底保持器包括衬底支撑件，保持器转移单元和保持器驱动单元。保持器转移单元传送衬底支撑件。 保持器驱动单元（230）控制保持器传送单元。

公开(公告)号：KR101015849B1

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：KR1020090018201

申请日：2009-03-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이기용 ,  리사첸코,막심 ,  최보경 ,  이대우 ,  이길원 ,  이동현 ,  박종력 ,  안지수 ,  김영대 ,  나흥열 ,  정민재 ,  정윤모 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정재완 ,  윤상연

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 및 상기 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층은 하나 또는 다수개의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 상기 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 절연막; 및 상기 절연막 상에 상기 소오스/드레인과 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 반도체층은 하나 또는 다수개의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
다결정 실리콘, 게터링, 박막트랜지스터

公开(公告)号：KR101002664B1

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：KR1020080064000

申请日：2008-07-02

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 안지수 ,  황의훈 ,  유철호 ,  김광남 ,  김성철

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/26 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로써, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하며 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하며 콘택홀 및 홀을 포함하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치하는 층간절연막; 및 상기 층간절연막 상에 위치하며, 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하며, 콘택홀 및 홀을 포함하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치하는 층간절연막; 상기 층간절연막 상에 위치하며, 상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 보호막; 및 상기 보호막 상에 위치하며, 상기 소스/드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
결정화, 줄 열(Joule heating)

Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光显示器。 设置在衬底上的缓冲层; 位于缓冲层上的半导体层; 栅绝缘膜，位于半导体层上并包括接触孔和孔; 设置在栅极绝缘膜上的栅电极; 设置在包括栅电极的基板的整个表面上的层间绝缘膜; 以及位于层间绝缘膜上的源/漏电极及其制造方法，所述源电极/漏电极与栅电极绝缘并且部分地通过接触孔与半导体层连接。