公开(公告)号：KR1020060127743A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：KR1020060044630

申请日：2006-05-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에마츠코지 ,  사토후미타카 ,  히로타류 ,  나카하타세이지 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/0304

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: A nitride semiconductor substrate and a method for manufacturing the same are provided to lower a dislocation density and to increase emission efficiency. A nitride semiconductor substrate includes a top surface, a bottom surface, a network defect accumulating region(H) of a width T', and a low defect density single crystal region(Z). The network defect accumulating region repeats a closed looped unit shape penetrating from the top surface to the bottom surface. The low defect density single crystal region is enclosed by the closed loop grain boundary(K) of the network defect accumulating region, and extends from the top surface to the bottom surface.

Abstract translation: 提供氮化物半导体衬底及其制造方法以降低位错密度并提高发光效率。 氮化物半导体衬底包括顶表面，底表面，宽度T'的网络缺陷累积区域（H）和低缺陷密度单晶区域（Z）。 网络缺陷累积区域重复从顶表面到底表面穿透的闭环单元形状。 低缺陷密度单晶区域由网络缺陷积聚区域的闭环晶界（K）包围，并从顶表面延伸到底表面。

公开(公告)号：KR100163645B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950008254

申请日：1995-04-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나베게이이치로 ,  세키유이치로 ,  이케가야아키히코 ,  후지모리나오지 ,  나카하타히데아키 ,  시카타신이치

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/279 ,  C23C16/27 ,  C30B25/02 ,  C30B29/04 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02582

Abstract: A diamond wafer including a substrate and a (100) oriented polycrystalline diamond film grown on the substrate for making surface acoustic wave devices, semiconductor devices or abrasion-resistant discs. The (100) oriented film is produced by changing a hydrocarbon ratio in a material gas halfway from a higher value to a lower value. The wafer is monotonously distorted with a distortion height H satisfying 2 mu m

公开(公告)号：KR101507169B1

公开(公告)日：2015-03-30

申请号：KR1020080133364

申请日：2008-12-24

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미치마사 ,  미즈하라나호 ,  다니자키게이스케 ,  사토잇세이 ,  다케우치히사오 ,  나카하타히데아키

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/10

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정의 성장 방법은 이하의 공정을 포함하고 있다. 우선, 원료(13)로부터의 열복사를 차단하기 위한 열차폐부(110)를 내부에 포함하는 챔버(101)가 준비된다. 그리고, 챔버(101) 내의, 열차폐부(110)에 대하여 한쪽에 원료(13)가 배치된다. 그리고, 원료(13)를 가열함으로써 승화시키고, 챔버(101) 내의 열차폐부(110)에 대하여 다른 쪽에, 원료 가스를 석출시킴으로써 III족 질화물 반도체 결정(15)이 성장된다.

公开(公告)号：KR101504772B1

公开(公告)日：2015-03-20

申请号：KR1020097021367

申请日：2008-12-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다니자키게이스케 ,  미즈하라나호 ,  미야나가미치마사 ,  나카하타히데아키 ,  야마모토요시유키

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  H01L21/203 ,  H01L21/318

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658

Abstract: 질화 알루미늄 결정을 성장시킬 때에 기초 기판이 승화되는 것을 방지하여, 결정성이 양호한 질화 알루미늄 결정을 성장 속도를 향상하여 성장시키는 질화 알루미늄 결정의 성장 방법, 질화 알루미늄 결정의 제조 방법 및 질화 알루미늄 결정을 제공한다. 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 방법은, 이하의 공정이 실시된다. 우선, 주표면(11a)과 이면(11b)을 갖는 기초 기판(11)과, 이면(11b)에 형성된 제1층(12)과, 제1층(12)에 형성된 제2층(13)을 구비한 적층 기판(10)이 준비된다. 그리고 기초 기판(11)의 주표면(11a) 상에 질화 알루미늄 결정(20)이 기상 성장법에 의해 성장된다. 제1층(12)은, 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 온도에 있어서 기초 기판(11)보다 승화하기 어려운 재질로 이루어진다. 제2층(13)은, 제1층(12)의 열전도율보다 높은 재질로 이루어진다.
질화 알루미늄 결정

公开(公告)号：KR101410534B1

公开(公告)日：2014-06-20

申请号：KR1020097008369

申请日：2007-11-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미즈하라나호 ,  우에마츠고지 ,  미야나가미치마사 ,  다니자키게이스케 ,  나카하타히데아키 ,  나카하타세이지 ,  오카히사다쿠지

IPC: C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/045 ,  C30B19/02 ,  C30B23/025 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/24752

Abstract: 본 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법은, {0001} 이외의 임의로 특정되는 면방위의 주요면(20m)을 갖는 Ⅲ족 질화물 결정(20)의 제조 방법으로서, Ⅲ족 질화물 벌크 결정(1)으로부터, 그 특정되는 면방위의 주요면(10pm, 10qm)을 갖는 복수의 Ⅲ족 질화물 결정 기판(10p, 10q)을 잘라내는 공정과, 이들 기판(10p, 10q)의 주요면(10pm, 10qm)이 서로 평행하고, 또한, 이들 기판(10p, 10q)의 [0001] 방향이 동일하게 되도록, 가로 방향으로 이들 기판(10p, 10q)을 서로 인접시켜 배치하는 공정과, 이들 기판(10p, 10q)의 주요면(10pm, 10qm) 상에, Ⅲ족 질화물 결정(20)을 성장시키는 공정을 포함한다.
Ⅲ족 질화물 결정

公开(公告)号：KR1020130086924A

公开(公告)日：2013-08-05

申请号：KR1020127011387

申请日：2011-05-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지이게이 ,  아키타가츠시 ,  이시즈카다카시 ,  나카하타히데아키 ,  이구치야스히로 ,  이나다히로시 ,  나가이요우이치

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844

Abstract: 암전류가 낮고, 근적외의 장파장측으로 수광 감도를 확대한 반도체 소자, 광학 센서 장치 및 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 이 반도체 소자(50)는, InP 기판(1) 상에 위치하는 타입 II(GaAsSb/InGaAs)의 MQW의 수광층(3)과, MQW 상에 위치하는 InP 컨택트층(5)을 포함하고, MQW에서는, GaAsSb의 조성 x(%)가 44% 이상이고, 막두께 z(nm)는 3 nm 이상이고, 그리고 z≥-0.4x+24.6을 만족하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101218869B1

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020067022342

申请日：2005-05-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나카하타세이지 ,  나카하타히데아키 ,  우에마츠고지 ,  기야마마코토 ,  나가이유이치 ,  나카무라다카오

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Ⅲ족 질화물 반도체 결정 및 그 제조 방법, Ⅲ족 질화물 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 및 발광 기기가 개시된다. 본 발명에 따른 Ⅲ족 질화물 반도체 결정 제조 방법은 하지 기판 상에 1개 이상의 Ⅲ족 질화물 반도체 결정을 성장시키는 공정과, Ⅲ족 질화물 반도체 결정을 상기 하지 기판으로부터 분리하는 공정을 포함하고, Ⅲ족 질화물 반도체 결정의 두께가 10 ㎛ 이상 600 ㎛ 이하, 폭이 0.2 mm 이상 50 mm 이하인 것을 특징으로 한다. 또는, 본 발명에 따른 Ⅲ족 질화물 반도체 디바이스의 제조 방법은 1개 이상의 상기 Ⅲ족 질화물 반도체 결정 기판을 성장시키는 공정이 상기 하지 기판 상에 1개 이상의 종(種)결정을 배치하는 공정과, 상기 종결정을 핵으로 하여 상기 Ⅲ족 질화물 반도체 결정 기판을 성장시키는 공정을 포함한다.
Ⅲ족 질화물 반도체 결정, 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 반도체

公开(公告)号：KR1020110052569A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：KR1020117000709

申请日：2009-06-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미치마사 ,  미즈하라나호 ,  다니자키게이스케 ,  사토잇세이 ,  나카하타히데아키 ,  아라카와사토시 ,  야마모토요시유키 ,  사쿠라다다카시

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18

Abstract: 본 발명은 큰 두께를 가지며 또 고품질인 III족 질화물 결정을 성장시키는 III족 질화물 결정의 제조 방법 및 III족 질화물 결정을 제공하는 것을 목적으로 한다. III족 질화물 결정(13)의 제조 방법은 이하의 공정을 포함한다. 우선, (0001)면에서 방향으로 경사진 주표면(11a)을 갖는 하지 기판(11)이 준비된다. 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판(11)의 주표면(11a) 상에 III족 질화물 결정(13)이 성장된다. 하지 기판(11)의 주표면(11a)은 {01-10}면에서 -5° 이상 5° 이하 경사진 면인 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR101025530B1

公开(公告)日：2011-04-04

申请号：KR1020087030971

申请日：2007-06-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미치마사 ,  미즈하라나호 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025

Abstract: 본 발명은 대형이며 전위 밀도가 낮은 결정을 얻을 수 있는 Al
x Ga
1-x N 결정의 성장 방법 및 Al
x Ga
1-x N 결정 기판을 제공한다.
본 Al
x Ga
1-x N 결정(0 x Ga
1-x N 결정(10)의 성장 방법으로서, 결정 성장 시, Al
x Ga
1-x N 결정(10)의 주성장 평면(11)에 복수의 패싯(facet)(12)을 갖는 피트(10p)를 적어도 1개 형성하며, 피트(10p)가 적어도 1개 존재하고 있는 상태에서 Al
x Ga
1-x N 결정(10)을 성장시킴으로써, Al
x Ga
1-x N 결정(10)의 전위를 저감시키는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020100133978A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：KR1020107020566

申请日：2009-04-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C30B23/08

CPC classification number: C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

Abstract: 본 발명은 크랙의 발생을 억제하며 가공성이 용이한 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재(基材)의 제조 방법, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법, Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재 및 에피택셜 웨이퍼를 제공한다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재(10a)의 제조 방법은 이하의 공정을 포함한다. 먼저, Si 기판(11)을 준비한다. 그리고, Si 기판 상에 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층(0