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公开(公告)号：KR101575733B1
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：KR1020140187754
申请日：2014-12-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/055
CPC classification number: H01L31/055 , B82Y20/00 , G02B5/008 , H01L31/022425 , H01L31/056 , Y02E10/52 , Y10S977/773
Abstract: 본발명은근적외선파장변환구조체에관한것으로서, 더욱상세하게는갭 플라즈몬(gap plasmon) 특성과업컨버전나노입자를이용한새로운형태의근적외선파장변환구조체인것을특징으로하며, 이를태양전지에적용하면근적외선파장대의빛을전기에너지로변환시킬수 있게함으로써, 태양전지의광전환효율을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种近红外波长转换结构，更具体地，涉及一种使用间隙等离子体激元特性和上转换纳米颗粒的新型近红外波长转换结构。 当将近红外波长转换结构应用于太阳能电池时，允许将近红外波长范围的光转换成电能，这增加了太阳能电池的光转换效率。
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公开(公告)号：KR1020130076983A
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020110145438
申请日：2011-12-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B08B1/04 , B08B11/04 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A self-cleaning device for a panel is provided to efficiently clean the panel with reduced personnel costs and energy consumption. CONSTITUTION: A self-cleaning device for a panel comprises a transparent film (11), a first roll (13), a second roll (17), and a control device. The transparent panel covers the front side of the panel. The first roller is formed in one of the panel and winds the transparent film. The control device controls to automatically replace the transparent film by rotating the first roll. The second roll is formed in the other side of the panel to collect the replaced transparent film.
Abstract translation: 目的：提供面板自清洁装置，以有效清洁面板，降低人员成本和能源消耗。 构成：用于面板的自清洁装置包括透明膜（11），第一辊（13），第二辊（17）和控制装置。 透明面板覆盖面板的前侧。 第一辊形成在面板中的一个中并卷绕透明膜。 控制装置控制通过旋转第一辊来自动地替换透明膜。 第二辊形成在面板的另一侧以收集替换的透明膜。
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公开(公告)号：KR1020080064291A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：KR1020070001026
申请日：2007-01-04
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01S5/3407 , H01S3/1026 , H01S5/2013
Abstract: A semiconductor laser having narrow beam spreading is provided to reduce width of an output beam of the semiconductor laser, to improve optical coupling efficiency between the semiconductor laser and an optical fiber, and to perform a photo-excitation of a bio body without a microscope or a microlens. A semiconductor laser includes a board, a lower cladding layer, a lower quantum well active layer, a core layer, an upper quantum well active layer, and an upper cladding layer. A lower cladding layer(31a) is formed on the board. A lower quantum well active layer(32a) is formed on the lower cladding layer. A core layer(33) is formed on the lower quantum well active layer. An upper quantum well active layer(32b) is formed on the core layer. An upper cladding layer(31b) is formed on the upper quantum well active layer.
Abstract translation: 提供具有窄光束扩展的半导体激光器以减小半导体激光器的输出光束的宽度，以提高半导体激光器和光纤之间的光耦合效率，并且在没有显微镜的情况下执行生物体的光激发 微透镜 半导体激光器包括板，下包层，下量子阱有源层，芯层，上量子阱活性层和上包层。 在该板上形成下包层（31a）。 在下包层上形成下量子阱有源层（32a）。 在下量子阱活性层上形成芯层（33）。 在芯层上形成上量子阱活性层（32b）。 在上量子阱活性层上形成上覆层（31b）。
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公开(公告)号：KR100545625B1
公开(公告)日：2006-01-24
申请号：KR1020030018348
申请日：2003-03-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/0941
Abstract: 본 발명은 비대칭 SCH(Separate-Confinement Heterostructure) 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는 InP를 기반으로 하여 InP-InGaAs-InGaAsP로 구성되어 있다. 반도체 레이저 다이오드는 p-클래딩층, p 형 제 1 및 제 2 SCH층들, 이러한 p 형 제 1 및 제 2 SCH층들 사이에 삽입되는 p-InP 삽입층, 레이저 빔을 방출하며 다수의 장벽층 및 다수의 우물층을 구비하는 활성층, n 형 제 1 및 제 2 SCH층들, n 형 제 1 SCH층 내에서 n 형 제 2 SCH층과의 경계면에 삽입되는 InGaAsP 삽입층, n-클래딩층을 포함하고 있다. 반도체 레이저 다이오드 제조 방법은 기판 상에 n-클래딩층을 형성하는 단계, n-클래딩층 상에 n 형 제 2 SCH층을 형성하는 단계, n 형 제 2 SCH층 상에 n 형 제 1 SCH층을 형성하는 단계, n 형 제 1 SCH층 상에 활성층을 형성하는 단계, 활성층 상에 p 형 제 1 SCH층을 형성하는 단계, p 형 제 1 SCH층 상에 p-InP 삽입층을 형성하는 단계, p-InP 삽입층 상에 p 형 제 2 SCH층을 형성하는 단계, p 형 제 2 SCH층 상에 p-클래딩층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, n 형 제 1 SCH층의 형성시, InGaAsP 삽입층이 n 형 제 1 SCH층 내에 삽입된다.
레이저 다이오드, 대칭 SCH 구조, 비대칭 SCH 구조, 누설전류, 내부손실-
公开(公告)号：KR100541305B1
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：KR1020010088870
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/09
Abstract: 본 발명은 양자우물을 적외선 흡수층으로 사용하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 생성하는 단계와, 상기 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판 상부에 SiO
2 유전체를 소정의 두께로 도포하는 단계와, 상기 SiO
2 유전체가 도포된 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 소정의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법에 관한 것이다.
양자우물, 적외선 흡수층, 양자우물 적외선 검출소자, 양자우물 무질서화, 밴드갭-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020030058417A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010088866
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: A method for adjusting a radiation wavelength of an InGaAs quantum dot by an AlGaAs insertion layer is provided, which obtains a long wavelength photo luminescence by growing a thin AlGaAs insertion layer after forming the InGaAs quantum dot. CONSTITUTION: According to the method for adjusting a radiation wavelength radiated from an InGaAs/GaAs quantum dot, the InGaAs/GaAs quantum dot is formed, and an AlGaAs insertion layer is grown on the above InGaAs/GaAs quantum dot. A location of photo luminescence of the InGaAs/GaAs quantum dot is varied according to the existence of the above AlGaAs insertion layer. As the AlGaAs insertion layer becomes thicker, a peak of a base state of the InGaAs/GaAs quantum dot moves toward a long wavelength to be saturated.
Abstract translation: 目的：提供通过AlGaAs插入层调整InGaAs量子点的辐射波长的方法，其通过在形成InGaAs量子点之后生长薄的AlGaAs插入层来获得长波长的光发光。 构成：根据用于调整从InGaAs / GaAs量子点辐射的辐射波长的方法，形成InGaAs / GaAs量子点，并且在上述InGaAs / GaAs量子点上生长AlGaAs插入层。 根据上述AlGaAs插入层的存在，InGaAs / GaAs量子点的光发光的位置是不同的。 当AlGaAs插入层变厚时，InGaAs / GaAs量子点的基态峰向长波长移动以饱和。
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27.发明授权양자우물 무질서화 기술에서 유전체-반도체 덮개층 조합에 의한 ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ 양자우물 밴드갭의 조작방법 失效- 量子阱混合中介电半导体覆盖层组合的InGaAs / InGaAsP量子阱带隙控制方法
公开(公告)号：KR100326773B1
公开(公告)日：2002-03-12
申请号：KR1019990044158
申请日：1999-10-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/18
Abstract: 본발명은양자우물무질서화기술에서유전체-반도체덮개층조합에의한 InGaAs/InGaAsP 양자우물밴드갭의조작방법에관한것으로서, 유전자덮개층을이용하여 InGaAs/InGaAsP 양자우물구조기판에국부적으로다른밴드갭을형성하기위한양자우물무질서화공정에있어서, 상기유전체덮개층으로 SiN나 SiO를사용하고 InGaAs/InGaAsP 양자우물상부의반도체덮개층으로동일두께의 InP이나 InGaAs 혹은 InGaAsP 을사용하여양자우물을무질서화하는경우, 상기유전체덮개층및 반도체덮개층을이용한유전체-반도체조합을양자우물기판상에형성하고소정온도및소정시간의열처리를통하여양자우물구조기판에국부적으로다른밴드갭을형성시킴으로써양자우물구조의밴드갭이동량을조절할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010077692A
公开(公告)日：2001-08-20
申请号：KR1020000005660
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/14
Abstract: PURPOSE: A method for extending the gain bandwidth of a semiconductor optical amplifier is provided to extend the gain bandwidth by forming differently the thickness of quantum well layers and by using all wave lengths of the light irradiated from each quantum well layer. CONSTITUTION: In a semiconductor optical amplifier, the structure of quantum well layers comprises InGaAs/InGaAsP/InP. The quantum well layers of different thickness are used as a combination. The combination of the quantum well layers has different barrier. The farther from p-layer, the thinner quantum well layer is arranged. Therefore, the quantum well layers have flat gain characteristic in a wide area and low critical current.
Abstract translation: 目的：提供一种用于扩展半导体光放大器的增益带宽的方法，以通过不同地形成量子阱层的厚度并且通过使用从每个量子阱层照射的光的全部波长来扩展增益带宽。 构成：在半导体光放大器中，量子阱层的结构包括InGaAs / InGaAsP / InP。 使用不同厚度的量子阱层作为组合。 量子阱层的组合具有不同的屏障。 距离p层越远，布置了较薄的量子阱层。 因此，量子阱层在广泛区域和低临界电流下具有平坦增益特性。
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30.发明授权금속 산화물 서브마이크로구체를 포함하는 조성물, 상기 조성물을 포함하는 폴리머 박막 및 광촉매 소재, 그리고 상기 조성물의 제조방법 有权包含金属氧化物亚微球体的组合物，聚合物薄膜和包含该组合物的光催化材料，以及制备该组合物的方法
公开(公告)号：KR101800835B1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：KR1020160143426
申请日：2016-10-31
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 방사상으로조립된이방성나노결정립들로구성된금속산화물서브마이크로구체를포함하는조성물, 상기조성물을포함하는폴리머박막및 광촉매소재, 그리고상기조성물의제조방법이개시된다. 상기중공금속산화물서브마이크로구체를포함하는조성물은발광체와반응시켜상기서브마이크로구체와발광체가하이브리드되는경우광 이용특성이증대된하이브리드소재를제조할수 있다. 이를이용하여광 이용특성이증대된디바이스또는시스템을제공할수 있다. 또한, 상기조성물은환경유해물질을분해하고재사용가능한광촉매소재로사용될수 있다.
Abstract translation: 包含由径向组装的各向异性纳米晶组成的金属氧化物亚微米球的组合物，包含该组合物的聚合物薄膜，光催化材料以及制备该组合物的方法。 包含中空金属氧化物亚微球的组合物可以与发光材料反应以产生当亚微米球和发光材料杂交时具有增强的光利用特性的混合材料。 可以提供具有增加的光利用特性的装置或系统。 此外，该组合物可以用作能够分解对环境有害的物质并且可重复使用的光催化材料。
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