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公开(公告)号：KR1020160037747A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：KR1020150120212
申请日：2015-08-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 반도체채널저항의등가회로를구성하는방법은, 반도체채널저항의제 1 전극및 제 2 전극을정의하는단계, 상기제 1 전극및 상기제 2 전극사이에연결되는수동소자부를정의하는단계및 상기수동소자부내 상기적어도두 개의수동소자의파라미터값을각각결정하는단계를포함한다. 여기에서, 상기수동소자부는병렬연결된적어도두 개의수동소자를포함한다. 따라서, 주파수변화에도불구하고반도체채널저항의특성을정확히나타낼수 있다.
Abstract translation: 一种用于构造半导体沟道电阻器的等效电路的方法包括限定半导体沟道电阻器的第一电极和第二电极的步骤，限定连接在第一电极和第二电极之间的无源元件部分的步骤，以及 分别确定无源元件部分中的至少两个无源元件的参数值的步骤。 这里，无源元件部分包括并联连接的至少两个无源元件。 因此，即使频率变化，也能够准确地显示半导体通道电阻的特性。
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公开(公告)号：KR1020150112425A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：KR1020140036574
申请日：2014-03-28
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 주철원
IPC: G01R31/26
Abstract: 본발명은반도체소자가인입되는개구홀과, 상기반도체소자의리드선들에접촉되는콘택패드들을갖는회로기판; 상기회로기판을지지하도록상기회로기판배면에장착된베이스; 및상기개구홀하부의상기베이스내부에내장되며, 상기개구홀에인입된상기반도체소자에열을가하는히터를포함하는반도체소자테스트소켓을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种用于半导体器件的测试插座，包括：电路板，具有用于引入半导体器件的开孔和与半导体器件的引线接触的接触焊盘; 安装在电路板的后表面上以支撑电路板的基座; 以及加热器，其包含在所述基部内部的所述开口孔的下方，并加热引入到所述开口孔中的所述半导体器件。
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公开(公告)号：KR1020140075946A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120143702
申请日：2012-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/402 , H01L29/42316 , H01L29/66431
Abstract: A high electron mobility transistor is provided. The transistor includes a source electrode and a drain electrode disposed on a substrate to be spaced apart; a T-shaped gate electrode disposed between the source electrode and the drain electrode on the substrate; and a plurality of insulating films interposed between the substrate and the T-shaped gate electrode. The plurality of insulating films is composed of a first insulating film, a second insulating film, and a third insulating film. The third insulating film is interposed between the substrate and the head part of the T-shaped gate electrode to be in contact with the leg part of the T-shaped gate electrode. The second insulating film is interposed between the substrate and the head part of the T-shaped gate electrode to be in contact with the third insulating film. The first insulating film and the third insulating film stacked in order are interposed between the substrate and the head part of the T-shaped gate electrode to be in contact with the second insulating film.
Abstract translation: 提供高电子迁移率晶体管。 晶体管包括设置在基板上的源电极和漏电极以被间隔开; 设置在基板上的源电极和漏电极之间的T字栅电极; 以及插入在所述基板和所述T形栅电极之间的多个绝缘膜。 多个绝缘膜由第一绝缘膜，第二绝缘膜和第三绝缘膜构成。 第三绝缘膜插入到基板和T形栅电极的头部之间，以与T形栅电极的腿部接触。 第二绝缘膜插入到基板和T形栅电极的头部之间以与第三绝缘膜接触。 按顺序堆叠的第一绝缘膜和第三绝缘膜介于基板和T形栅电极的头部之间以与第二绝缘膜接触。
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公开(公告)号：KR1020140041357A
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020130113746
申请日：2013-09-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G05F1/46
CPC classification number: H02M3/1582 , H02H7/1213 , H02M1/44
Abstract: The present invention relates to a system of supplying constant-current DC power to various serial loads which are connected in series. The present invention comprises a constant-current DC power supply part which outputs a preset direct current, a load connection part which has the same rated current as a constant current source, a load connection part which has a less rated current than the constant current source, a load connection part which has a greater rated current than the constant current source, a load connection part which changes from case to case and has a less or greater rated current than a constant current source, and a circuit and an algorithm which protect or control them.
Abstract translation: 本发明涉及向串联连接的各种串联负载提供恒流直流电力的系统。 本发明包括输出预设直流电流的恒流直流电源部分，与恒流源具有相同额定电流的负载连接部分，具有比恒定电流源更小的额定电流的负载连接部分 具有比恒定电流源更大的额定电流的负载连接部，负载连接部，其从情况变化到具有比恒定电流源小的或更大的额定电流;以及电路和算法，其保护或 控制他们
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公开(公告)号：KR1020120054495A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：KR1020100127921
申请日：2010-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 주철원
IPC: H01L23/488 , H01L23/00 , H01L23/367 , H01L23/373
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/01013 , H01L2924/13064 , H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/3736 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2225/06513 , H01L2924/18161 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A GaN system compound power semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to efficiently release heat created in an AlGaN HEMT after the AlGaN HEMT is flip-chip-bonded to a substrate. CONSTITUTION: A gallium nitride-based compound device grows on a wafer. A contact pad(11) forms a source, a drain, and a gate in the gallium nitride-based compound device. The gallium nitride-based compound device is flip-chip-bonded on a module substrate. A bonding pad(24) is formed on the module substrate. A bump(23) is formed in the bonding pad of the module substrate so that the gallium nitride-based compound device is flip-chip-bonded on the module substrate. A sub source contact pad and a sub drain source contact pad are formed in the source and the drain.
Abstract translation: 目的：提供一种GaN系复合功率半导体器件及其制造方法，用于在将AlGaN HEMT倒装芯片接合到基板上之后，有效地释放在AlGaN HEMT中产生的热。 构成：氮化镓基复合器件在晶片上生长。 接触焊盘（11）在氮化镓系复合器件中形成源极，漏极和栅极。 氮化镓系化合物装置在模块基板上进行倒装芯片接合。 在模块基板上形成焊盘（24）。 在模块基板的焊盘中形成凸块（23），使得氮化镓系复合器件在模块基板上倒装芯片接合。 在源极和漏极中形成子源极接触焊盘和副漏极源极接触焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110010539A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：KR1020090125467
申请日：2009-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/0236
Abstract: PURPOSE: A CIGS solar battery and a manufacturing method thereof are provided to maximize energy conversion efficiency by minimizing sunlight which is reflected from the surface of a window electrode layer. CONSTITUTION: A lower electrode layer is formed on a substrate. An optical absorption layer(30) is formed on the lower electrode layer. A buffer layer(40) comprises a plurality of protrusions. A window electrode layer(50) is unevenly bent on the buffer layer along the plurality of protrusions.
Abstract translation: 目的：提供CIGS太阳能电池及其制造方法，以通过使从窗电极层的表面反射的太阳光最小化来最大化能量转换效率。 构成：在基板上形成下电极层。 在下电极层上形成有光吸收层（30）。 缓冲层（40）包括多个突起。 窗口电极层（50）沿着多个突起在缓冲层上不均匀地弯曲。
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公开(公告)号：KR1020080052189A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070045757
申请日：2007-05-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C25D17/00
CPC classification number: C25D5/20 , C25D7/12 , C25D17/001 , C25D17/12 , H01L21/2885
Abstract: An electroplating apparatus is provided to perform a coating operation uniformly by allowing bubbles generated in via holes to be evacuated from the inside of the via holes very well. An electroplating apparatus comprises: a plating pot(200) which form an external shape, and in which a plating solution is contained; a metal bar(202) which is positioned within the plating pot, and which is made of the same material as metal to be plated; an inclined electrode ring(212) which is positioned oppositely to the metal bar within the plating pot, and on which a plating object is placed; a metal bar fixing frame(206) for fixing the metal bar; an electrode ring fixing frame(216) for fixing the inclined electrode ring; power supply terminals(204,214) connected to the metal bar and the inclined electrode ring; and an ultrasonic generating part(220) for flowing the plating solution. The inclined electrode ring has a wafer holder(218) attached thereto so as to place a wafer that is the plating object on the wafer holder. The power supply terminals are connected to the metal bar and the inclined electrode ring through the metal bar fixing frame and the electrode ring fixing frame.
Abstract translation: 提供一种电镀设备，通过允许通孔中产生的气泡从通孔的内部被很好地排出来均匀地进行涂覆操作。 一种电镀设备，包括：形成外部形状的电镀罐（200），其中包含电镀溶液; 金属棒（202），其位于电镀槽内，并且由与被镀金属相同的材料制成; 倾斜电极环（212），其与所述电镀罐内的所述金属棒相对设置，并且在其上放置电镀对象; 用于固定金属棒的金属棒固定框架（206） 用于固定倾斜电极环的电极环固定框架（216）; 连接到金属棒和倾斜电极环的电源端子（204,214）; 以及用于使电镀液流动的超声波发生部（220）。 倾斜电极环具有附接到其上的晶片保持器（218），以将作为电镀对象的晶片放置在晶片保持器上。 电源端子通过金属棒固定框架和电极环固定框架连接到金属棒和倾斜电极环。
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公开(公告)号：KR100591247B1
公开(公告)日：2006-06-20
申请号：KR1020050030296
申请日：2005-04-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 형성되는 제1 에피층과, 상기 제1 에피층 상부의 소정영역이 노출되도록 형성되는 제2 에피층과, 상기 제2 에피층 상부의 소정영역이 노출되도록 순차적으로 형성되는 전류차단층 및 부컬렉터층과, 상기 부컬렉터층 상부의 소정영역이 노출되도록 순차적으로 형성되는 컬렉터층 및 베이스층과, 상기 베이스층 상부의 소정영역이 노출되도록 순차적으로 형성되는 에미터층 및 에미터캡층과, 상기 에미터캡층의 상부, 노출된 상기 베이스층, 상기 부컬렉터층, 상기 제2 에피층 및 상기 제1 에피층의 소정영역에 각각 형성되는 에미터전극, 베이스전극, 컬렉터전극, 다이오드용 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 컬렉터전극과 상기 제1 전극, 상기 에미터전극과 상기 제2 전극을 각각 전기적으로 연결시키는 제1 및 제2 금속배선을 포함함으로써, 종래의 반도체 소자와 분리된 다이오드를 이종접합 쌍극자 트랜지스터와 금속선으로 연결하는 방법보다 간단한 공정을 통해 PN 접합 다이오드를 이종접합 쌍극자 트랜지스터와 연결할 수 있으므로 전체 회로에서 차지하는 면적이 감소되며, 금속선에서 나타날 수 있는 저항과 손실 등이 감소될 수 있는 효과가 있다.
이종접합 쌍극자 트랜지스터, PN 접합 다이오드, 화합물반도체-
公开(公告)号：KR1020060065423A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020050030296
申请日：2005-04-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/66318
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 형성되는 제1 에피층과, 상기 제1 에피층 상부의 소정영역이 노출되도록 형성되는 제2 에피층과, 상기 제2 에피층 상부의 소정영역이 노출되도록 순차적으로 형성되는 전류차단층 및 부컬렉터층과, 상기 부컬렉터층 상부의 소정영역이 노출되도록 순차적으로 형성되는 컬렉터층 및 베이스층과, 상기 베이스층 상부의 소정영역이 노출되도록 순차적으로 형성되는 에미터층 및 에미터캡층과, 상기 에미터캡층의 상부, 노출된 상기 베이스층, 상기 부컬렉터층, 상기 제2 에피층 및 상기 제1 에피층의 소정영역에 각각 형성되는 에미터전극, 베이스전극, 컬렉터전극, 다이오드용 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 컬렉터전극과 상기 제1 전극, 상기 에미터전극과 상기 제2 전극을 각각 전기적으로 연결시키는 제1 및 제2 금속배선을 포함함으로써, 종래의 반도체 소자와 분리된 다이오드를 이종접합 쌍극자 트랜지스터와 금속선으로 연결하는 방법보다 간단한 공정을 통해 PN 접합 다이오드를 이종접합 쌍극자 트랜지스터와 연결할 수 있으므로 전체 회로에서 차지하는 면적이 감소되며, 금속선에서 나타날 수 있는 저항과 손실 등이 감소될 수 있는 효과가 있다.
이종접합 쌍극자 트랜지스터, PN 접합 다이오드, 화합물반도체-
公开(公告)号：KR1020050037886A
公开(公告)日：2005-04-25
申请号：KR1020030073166
申请日：2003-10-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 리프트오프 방법을 이용함에 따른 재현성 저하를 개선시키는데 적합한 화합물반도체소자의 금속배선 형성 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 기판 상부에 접착력 강화를 위한 티타늄(Ti)과 전기도금을 위한 시드 역할을 하는 금(Au)을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 금(Au) 상에 금속배선예정영역을 오픈시키는 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 금속배선예정영역에 금속배선 역할을 하는 금(Au)을 전기도금법으로 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계, 및 상기 티타늄, 금 및 금속배선용 금의 순서로 적층된 금속배선구조를 형성하기 위해 불산용액을 이용하여 습식식각하는 단계를 포함하여, 리프트오프방법이 아닌 습식식각법을 이용하므로써 재현성이 우수하면서 깨끗한 금속배선을 형성할 수 있는 효과가 있다.
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