公开(公告)号：KR101905646B1

公开(公告)日：2018-10-10

申请号：KR1020160133143

申请日：2016-10-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 최원진 ,  박세린 ,  이정오 ,  양철수 ,  공기정 ,  장현주 ,  안기석 ,  임진오 ,  채시은

IPC: C01B31/04 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  B01J21/00 ,  B01J23/00

CPC classification number: B01J21/00 ,  B01J23/00 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14

Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.

公开(公告)号：KR1020170093699A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：KR1020160183252

申请日：2016-12-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  양철수 ,  최원진 ,  정두원 ,  박세린 ,  버나드두댕 ,  아텔마무드

IPC: G01N33/00 ,  G01N21/77 ,  G01N33/497

Abstract: 본발명은 2차원센서물질의민감도향상방법; 민감도가향상된 2차원센서물질함유복합체; 및 2차원센서물질의민감도가향상된박막형센서소자에관한것이다. 본발명에따른 2차원센서물질의민감도향상방법은그 위에탑재되는 2차원센서물질함유박막상에나노스케일의지형(topography) 및비균일정전전위(non-uniform electrostatic potential)을제공할수 있는기재를준비하는제1단계; 및제1단계의기재에 2차원센서물질함유박막을전사또는인쇄하는제2단계를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于改善二维传感器材料的灵敏度的方法; 一种灵敏度提高的含二维传感器材料的复合物; 以及具有改进的二维传感器材料的灵敏度的薄膜传感器元件。 根据本发明方法制备的衬底，可以提供含有纳米级（地形）的薄膜形貌和非均匀的静电电势（非均匀静电势）被安装在其上的二维传感器材料增强二维传感器材料的灵敏度， 的第一步骤; 以及将包含二维传感器物质的薄膜转印或印刷到第一步骤的基底的第二步骤。

公开(公告)号：KR101658966B1

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：KR1020160066676

申请日：2016-05-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  김성환 ,  최원진 ,  문성희 ,  정종진 ,  박정규 ,  김지연

IPC: C12M3/00 ,  G01N33/574 ,  C12N5/071

Abstract: 본발명은상피-중간엽전이(epithelial-mesenchymal transition; EMT) 유도용세포배양기재로서, 상부에세포가부착하여배양될수 있는편평한면을포함하는일정한평균직경을갖는기둥형태의구조물이일정한간격으로배열되고, 상기기둥형태의구조물은하나의기둥의중심으로부터인접한기둥의중심까지의거리는 4 μm 이상 30 μm 이하로조절된것인세포배양기재; 상기세포배양기재를이용한약물스크리닝방법; 상기세포배양기재에환자의암조직으로부터분리한세포를항암제후보물질을처리또는비처리하여부착배양하는단계를포함하는환자맞춤형항암제및 섬유화증치료제의스크리닝방법; 및복수의기둥형태의구조물이음각으로패턴화된탄성고분자를포함하는중간체주형(intermediate mold)을준비하는단계를포함하는상기세포배양기재의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020150096016A

公开(公告)日：2015-08-24

申请号：KR1020140016779

申请日：2014-02-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  최원진 ,  정윤장 ,  이영국 ,  박정규 ,  정종진 ,  고혁완 ,  이수진

IPC: C12M3/00 ,  C12N5/00 ,  C12N1/00

CPC classification number: C12M23/20 ,  C12N5/0602

Abstract: 본 발명은 원자층 증착방식(atomic layer deposition, ALD)에 의해 형성된 산화아연(ZnO) 박막을 구비한 세포 배양 기재; 상기 세포 배양 기재를 이용한 액틴 발현을 향상시키는 세포 배양방법; 상기 세포 배양 기재 상에서 세포를 배양하는 단계를 포함하는, 세포의 액틴 재배열을 조절하는 방법 및 세포 형태 변화를 유도하는 방법; 및 상기 산화아연 박막을 구비한 세포 배양 기재를 포함한 이식체 또는 피부부착용 패치에 관한 것이다.
본 발명의 세포 배양 기재에 구비된 산화아연(ZnO) 박막은 원자층 증착방식(ALD)에 의해 제조된 것으로서, 나노미터 단위로 미세하게 조절할 수 있다. 또한, 상기 ZnO 박막의 표면 상에서 세포를 배양함으로써 인위적으로 세포 증식 속도를 조절할 수 있으므로, 증식이 필요한 세포의 증식 증가와 증식이 불필요한 세포의 증식 억제를 통한 치료적 활용이 가능하다.

Abstract translation: 本发明涉及具有通过原子层沉积（ALD）形成的氧化锌（ZnO）薄膜的细胞培养基板; 能够通过使用细胞培养基来改善肌动蛋白的表达的细胞培养方法; 一种控制细胞肌动蛋白重排的方法; 以及诱导细胞形态变化的方法，其包括在细胞培养基质上培养细胞的步骤; 以及包含具有ZnO薄膜的细胞培养基板的皮肤贴剂或植入物。 设置在细胞培养基板中的ZnO薄膜由能够通过纳米微调的ALD制造。 此外，通过在ZnO薄膜的表面上培养细胞，可以人工地控制细胞增殖率，通过增加必需的细胞并抑制不必要的细胞，可以获得治疗优势。

公开(公告)号：KR1020140136601A

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020130056770

申请日：2013-05-20

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 최원진 ,  이정오 ,  이영국 ,  정윤장 ,  박세린

IPC: B08B3/08 ,  B08B1/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B32/196 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66015

Abstract: 본 발명은 정전기적인 힘을 이용한 그래핀 클리닝 공정 및 이에 의해 처리된 그래핀 소자에 관한 것으로서, 구체적으로는 유기용매를 사용하여 한쪽 면에 그래핀 층이 형성되어 있는 그래핀 지지층을 제거하는 단계와 그래핀 지지층이 제거된 그래핀 층 상에 상호작용이 가능한 거리에 클리닝 부재를 위치시켜서 상기 클리닝 부재를 그래핀 층 상에서 이동시킴으로써 그래핀 지지층 잔사를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 클리닝 방법 및 상기 방법에 의해 클리닝 처리된 그래핀을 포함하는 소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 추가적인 공정이나 비용없이 대면적으로 그래핀의 성능을 균일하게 향상시킬 수 있으며, 본 발명으로 만들어진 클리닝된 그래핀 소자는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가진다.

Abstract translation: 本发明涉及使用静电力的石墨烯清洗工艺和由其处理的石墨烯元件。 更具体地，本发明提供了石墨烯清洗方法，其包括通过使用有机溶剂在一个表面上去除包括石墨烯层的石墨烯支撑层的步骤，以及通过将清洁部件定位在石墨烯层上去除剩余的石墨烯支撑层的步骤 其中石墨烯支撑层在可能相互作用的距离内被去除，并且将清洁构件移动到石墨烯层上，并且包括通过该方法清洁的石墨烯的元素。 本发明可以均匀地提高大面积石墨烯的性能，而无需额外的工艺和费用。 此外，由于本发明，清洁的石墨烯元件获得优异的电气，机械和光学性能。

公开(公告)号：KR101991456B1

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：KR1020160037008

申请日：2016-03-28

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정윤장 ,  이영국 ,  최원진 ,  이정오 ,  정택모 ,  김창균

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

公开(公告)号：KR1020170043472A

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：KR1020160133143

申请日：2016-10-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 최원진 ,  박세린 ,  이정오 ,  양철수 ,  공기정 ,  장현주 ,  안기석 ,  임진오 ,  채시은

IPC: C01B31/04 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  B01J21/00 ,  B01J23/00

CPC classification number: B01J21/00 ,  B01J23/00 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  C01B32/186

Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用聚合物介导的石墨烯沉积方法制造其上具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板的方法; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定这增加了含有金属的层的表面能（上）石墨烯薄膜的含有金属的层的金属表面状况，并且确定用于含金属层改变到金属表面上确定的状态的条件。

公开(公告)号：KR101602843B1

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：KR1020140018344

申请日：2014-02-18

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  안기석 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석 ,  정민욱 ,  강민아 ,  최원진 ,  이정오

IPC: G01N27/12

Abstract: 본발명은유연소재히터를포함하는그래핀가스센서에관한것으로, 기재필름; 상기기재필름의일면에형성된, 패턴화된그래핀계층을포함하는그래핀센서부; 및상기기재필름의타면에형성된, 그래핀계층을포함하는그래핀히터부를포함하는본 발명의그래핀가스센서는가스의흡착이용이하고그래핀히터층과결함됨으로써가스검출감도(sensitivity)가높아반응시간이짧고(low response time) 낮은저항과우수한열적, 화학적안정성을가져 CO, NO, NH, O와같은가스를용이하게흡착할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150097145A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：KR1020140018344

申请日：2014-02-18

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  안기석 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석 ,  정민욱 ,  강민아 ,  최원진 ,  이정오

IPC: G01N27/12

CPC classification number: G01N27/12

Abstract: 본 발명은 유연소재 히터를 포함하는 그래핀 가스센서에 관한 것으로, 기재 필름; 상기 기재 필름의 일면에 형성된, 패턴화된 그래핀계 층을 포함하는 그래핀 센서부; 및 상기 기재 필름의 타면에 형성된, 그래핀계 층을 포함하는 그래핀 히터부를 포함하는 본 발명의 그래핀 가스센서는 가스의 흡착이 용이하고 그래핀 히터층과 결함됨으로써 가스 검출 감도(sensitivity)가 높아 반응시간이 짧고(low response time) 낮은 저항과 우수한 열적, 화학적 안정성을 가져 CO
2 , NO
2 , NH
3 , O
2 와 같은 가스를 용이하게 흡착할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括柔性材料加热器的石墨烯气体传感器。 石墨烯气体传感器包括基膜; 石墨烯传感器部件，其形成在所述基膜的表面上，并且包括图案化的石墨烯层; 以及形成在基膜的另一个表面上并包括石墨烯层的石墨烯加热器部分。 石墨烯气体传感器与石墨烯加热器层结合，对气体检测具有高灵敏度，响应时间低，电阻低，化学和热稳定性优异，因此，易于吸收CO 2，NO 2，NH 3，O 2等气体。

公开(公告)号：KR1020150048259A

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：KR1020130126765

申请日：2013-10-23

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정윤장 ,  이영국 ,  최원진 ,  이정오 ,  정택모 ,  김창균

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/06

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/45525

Abstract: 본발명은단원자증착(atomic layer deposition, ALD)법을이용하여, 도핑영역층과비도핑영역층을구비하여두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적인복합박막및 이를제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른복합박막은박막일부에도판트원자층을포함하는도핑영역층을구비함으로써, 박막두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적특성을갖게되고, 이는도핑영역층과비도핑영역층간의밴드구조가달라지게됨으로써박막의층 영역별로전자기적특성이달라지게되고, 기능성이향상되어디스플레이, 메모리, 반도체영역전반에걸쳐서사용될수 있다. 나아가복합박막내 도핑영역층의위치및 이의도판트농도에따라다양한전자기적특성에영향을미치며, 따라서도핑영역층의위치및 농도를조절함으로써박막의전자기적특성을목적에따라손쉽게조절할수 있다. 본발명에따른복합박막은단원자증착법으로제조됨으로써, 간단한공정을통하여박막의광학적및 전자기적특성을제어할수 있으며, 별도의추가공정이나복수의막을따로따로제조할필요가없기때문에생산단가측면에서도유리하다.

Abstract translation: 本发明涉及通过使用原子层沉积（ALD）方法具有掺杂部分层和不掺杂部分层而在垂直分量中复杂且不对称的复合薄膜。 根据本发明的复合薄膜通过在薄膜的一部分中具有包括掺杂剂原子层的掺杂部分层，在薄膜的垂直分量中具有复杂和不对称的特性。 它使得掺杂部分层和非掺杂部分层之间的带结构不同以通过截面来改变电磁特性并改善功能; 从而在整个显示器，存储器和半导体领域中被使用。 此外，它根据复合薄膜中的掺杂部分层的位置和掺杂剂浓度影响各种电磁特性。 因此，通过控制掺杂部分层的位置和浓度，可以根据目的容易地控制薄膜的电磁特性。 根据本发明的复合薄膜可以通过通过原子层沉积方法制造的简单工艺来控制薄膜的光学和电磁特性，并且可以具有生产成本的优点，因为它不需要额外的工艺或 独立制造多个膜。