公开(公告)号：DE102004016700A1

公开(公告)日：2004-11-18

申请号：DE102004016700

申请日：2004-04-05

Applicant: IBM ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHAVEN PATRICK W ,  AGNELLO PAUL D ,  WONG KEITH KWONG HON ,  HUANG HSIANG-JEN ,  MURPHY RICHARD J ,  DZIOBKOWSKI CHET ,  CLEVENGER LAWRENCE ,  LAVOIE CHRISTIAN ,  ROVEDO NIVO ,  FANG SUNFEI

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/336 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: A method of forming a salicide on a semiconductor device includes depositing a first refractory metal layer over a silicon region of a substrate, depositing a near-noble metal layer over the first refractory metal layer, and depositing a second refractory metal layer over the near-noble metal layer. The semiconductor device is annealed in a first annealing process to form a silicide layer abutting the doped region of the semiconductor device. Un-reacted portions of the near-noble metal layer and the second refractory metal layer are removed. The device may be annealed in an optional second annealing process to convert the silicide layer to a low resistance phase silicide material. Junction leakage and bridging are minimized or eliminated by embodiments of the present invention, and a smoother silicided surface is achieved.

公开(公告)号：AU2002216238A1

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：AU2002216238

申请日：2001-12-21

Applicant: IBM

Inventor： CABRAL CYRIL ,  HSU LOUIS LU-CHEN ,  WONG KEITH KWONG HON ,  CLEVENGER LAWRENCE

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/525 ,  H01L27/06 ,  H01L23/64

Abstract: A semiconductor structure that includes at least one circuit element of a fuse, a diffusion barrier or a capacitor that is formed by refractory metal-silicon-nitrogen is disclosed. A method for fabricating such semiconductor structure that includes a fuse element, a diffusion barrier, a resistor or a capacitor by a refractory metal-silicon-nitrogen material is further disclosed. A suitable refractory metal-silicon-nitrogen material to be used is TaSiN which provides a wide range of resistivity by changing the ratio of Ta:Si:N. The invention provides the benefit that the various components of diffusion barriers, fuses, capacitors and resistors may be formed by a single deposition process of a TaSiN layer, the various components are then selectively masked and treated by either heat-treating or ion-implantation to vary their resistivity selectively while keeping the other shielded elements at the same resistivity.

公开(公告)号：DE112020000672B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE112020000672

申请日：2020-03-26

Applicant: IBM

Inventor： CHEN HSUEH-CHUNG ,  XU YONGAN ,  MIGNOT YANN ,  KELLY JAMES ,  CLEVENGER LAWRENCE

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Verfahren für ein Bilden einer Halbleitereinheit (100), wobei das Verfahren aufweist:Bilden von Mandrels (202) auf einem Substrat (102), wobei die Mandrels eine erste Metallschicht (106) aufweisen; undAnordnen von Abstandshaltermaterial (302) und Füllmaterial (402) auf den Mandrels, um eine Struktur mit einem Graben (504) zwischen Abschnitten der ersten Metallschicht durch Entfernen des Füllmaterials zwischen zwei benachbarten Mandrels zu bilden, wobei der Graben eine dielektrische Schicht (104) in direktem Kontakt mit dem Substrat freiliegt, wobei das Abstandsmaterial sowohl oberhalb der ersten Metallschicht angeordnet ist, als auch Seitenwände der ersten Metallschicht bedeckt; undBilden einer zweiten Metallschicht (802) auf der dielektrischen Schicht, die in direktem Kontakt mit dem Substrat ist, in der Struktur, um den Graben zwischen den Abschnitten der ersten Metallschicht zu füllen, wobei die zweite Metallschicht zu der ersten Metallschicht benachbart ist, wobei die erste und die zweite Metallschicht durch das Abstandshaltermaterial getrennt werden.

公开(公告)号：DE112021000360T5

公开(公告)日：2022-12-08

申请号：DE112021000360

申请日：2021-02-12

Applicant: IBM

Inventor： PHILIP TIMOTHY MATTHEW ,  CLEVENGER LAWRENCE ,  BREW KEVIN

IPC: G11C13/00

Abstract: Es wird eine Phasenwechselspeichereinheit bereitgestellt. Die Phasenwechselspeichereinheit enthält ein Phasenwechselspeichermaterial innerhalb einer elektrisch isolierenden Wand, einen ersten Heizelementanschluss in der elektrisch isolierenden Wand und zwei Leseanschlüsse in der elektrisch isolierenden Wand.

公开(公告)号：AU2021244850A1

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：AU2021244850

申请日：2021-02-12

Applicant: IBM

Inventor： PHILIP TIMOTHY MATTHEW ,  CLEVENGER LAWRENCE ,  BREW KEVIN

IPC: G11C13/00

Abstract: A phase change memory device is provided. The phase change memory device includes a phase change memory material within an electrically insulating wall, a first heater terminal in the electrically insulating wall, and two read terminals in the electrically insulating wall.

公开(公告)号：DE112020003222T5

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：DE112020003222

申请日：2020-08-06

Applicant: IBM

Inventor： PARK CHANRO ,  LANZILLO NICHOLAS ANTHONY ,  PENNY CHRISTOPHER ,  CLEVENGER LAWRENCE ,  PRANATHARTHI HARAN BALASUBRAMANIAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/50 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: Eine Zwischenverbindungsanordnung (100) weist ein Zwischenschichtdielektrikum (ILD) (112) mit einem Hohlraum (122) auf, der sich entlang einer ersten Richtung durch dieses hindurch erstreckt. Ein erster elektrisch leitfähiger Streifen (110) ist auf einem Substrat (102) und innerhalb des Hohlraums (122) ausgebildet. Der erste elektrisch leitfähige Streifen (110) erstreckt sich entlang der ersten Richtung und über eine obere Oberfläche des Substrats (102) hinweg. Ein zweiter elektrisch leitfähiger Streifen (118) befindet sich auf einer oberen Oberfläche des ILD (112) und erstreckt sich entlang einer zweiten Richtung entgegengesetzt zu der ersten Richtung. Ein vollständig ausgerichteter Durchkontakt (FAV) (124) erstreckt sich zwischen dem ersten und dem zweiten elektrisch leitfähigen Streifen (110, 118), so dass sämtliche Seiten des FAV (124) koplanar mit gegenüberliegenden Seiten des ersten elektrisch leitfähigen Streifens (110) und gegenüberliegenden Seiten des zweiten elektrisch leitfähigen Streifens (118) sind, so dass dadurch ein FAV (124) bereitgestellt wird, der in Bezug auf den ersten elektrisch leitfähigen Streifen (110) und den zweiten elektrisch leitfähigen Streifen (118) vollständig ausgerichtet ist.

公开(公告)号：DE112016001773T5

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE112016001773

申请日：2016-05-27

Applicant: IBM

Inventor： BRIGGS BENJAMIN DAVID ,  RIZZOLO MICHAEL ,  CLEVENGER LAWRENCE ,  MOTOYAMA KOICHI

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: Nach dem Bilden einer Grabenöffnung (52), welche schmale Grabenabschnitte (52A) umfasst, die durch breite Grabenabschnitte (52B) getrennt sind, und dem Bilden eines Stapels aus einer ersten Diffusionsbarrierenschicht (62) und einer ersten Deckschicht (64) auf Seitenwänden und einer unteren Fläche der Grabenöffnung (52) wird ein Reflow-Verfahren durchgeführt, um die schmalen Grabenabschnitte (52A), aber nicht die breiten Grabenabschnitte (52B), mit einer ersten Schicht leitfähigen Materials (66) zu füllen. Auf Abschnitten der ersten Deckschicht (64) und Enden der ersten Schicht leitfähigen Materials (66), welche durch die breiten Grabenabschnitte (52B) freigelegt sind, wird ein Stapel aus einer zweiten Diffusionsbarrierenschicht (72) und einer zweiten Deckschicht (74) gebildet. Es wird eine zweite Schicht leitfähigen Materials (76) abgeschieden, um die breiten Grabenabschnitte (52B) zu füllen. Abschnitte der zweiten Diffusionsbarrierenschicht (72) und der zweiten Deckschicht (74), welche zwischen der ersten Schicht leitfähigen Materials (66) und der zweiten Schicht leitfähigen Materials (76) angeordnet sind, fungieren als vertikale blockierende Grenzen zum Verhindern der Elektromigration von Metallatomen.

公开(公告)号：CA2719727C

公开(公告)日：2017-01-03

申请号：CA2719727

申请日：2009-03-30

Applicant: IBM

Inventor： CLEVENGER LAWRENCE ,  DALTON TIMOTHY ,  HSU LOUIS ,  RADENS CARL

IPC: H02J50/20 ,  H02J7/00 ,  H02J50/80 ,  H04W88/02

Abstract: A system and methodology for intelligent power management of wirelessly networked devices. The system provides for reliable wireless communication via a wireless power charging method and, a method to maintain power capacity of batteries in a wireless device. The batteries are charged via an RF harvesting unit embedded inside the wireless device. An intelligent wireless power charging system further comprises at least two batteries and at least two RF adaptor devices coupled to an AC power line. The first adaptor is set for data communication while the second adaptor is used to transmit the power. In addition, when a first battery is in use during active mode, the second battery is subjected to wireless charging.

公开(公告)号：AT535013T

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：AT06740771

申请日：2006-04-07

Applicant: IBM

Inventor： YANG CHIH-CHAO ,  CLEVENGER LAWRENCE ,  COWLEY ANDREW ,  DALTON TIMOTHY ,  YOON MEEYOUNG

IPC: H01L21/4763 ,  H01L21/768

Abstract: A structure. The structure includes: a core electrical conductor having a top surface, an opposite bottom surface and sides between the top and bottom surfaces; an electrically conductive liner in direct physical contact with and covering the bottom surface and the sides of the core electrical conductor, embedded portions of the electrically conductive liner in direct physical contact with and extending over the core electrical conductor in regions of the core electrical conductor adjacent to both the top surface and the sides of the core electrical conductor; and an electrically conductive cap in direct physical contact with the top surface of the core electrical conductor that is exposed between the embedded portions of the electrically conductive liner.