公开(公告)号：DE102015103062A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102015103062

申请日：2015-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  GRIESSLER CHRISTIAN ,  MAIER KATHARINA ,  SCHREIBER KAI-ALEXANDER ,  SOLAZZI FRANCESCO ,  ZORN PETER

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L9/06 ,  G01P15/09 ,  H01L21/30

Abstract: Es werden Verfahren, Geräte und Vorrichtungen beschrieben, in denen ein Hauptwafer irreversibel mit einem Trägerwafer haftschlüssig verbunden und gedünnt wird, um eine Dicke des Hauptwafers zu verringern, zum Beispiel auf eine Dicke von 300 μm oder darunter.

公开(公告)号：DE102013102135B4

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：DE102013102135

申请日：2013-03-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L21/316 ,  C03B5/235 ,  H01L21/762 ,  H01L29/02

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, umfassend:Bilden eines Hohlraums (302) in einer Arbeitsoberfläche (301) eines Substrats (300), in welchem ein Halbleiterelement (305) ausgebildet ist, wobei der Hohlraum (302) ein Gitter bildet, das sich längs Kerbbereichen des Substrats (300) erstreckt, und der Hohlraum (302) weiter als der Kerbbereich ist,Verbinden eines aus einem Glasmaterial (200a) gebildeten Glasstücks (200) mit dem Substrat (300) durch Glaspressen, wobei der Hohlraum (302) wenigstens teilweise mit dem Glasmaterial (200a) gefüllt wird,Dünnen des mit dem Glasstück verbundenen Substrats (300) von einer Rückseite, die einer durch die Arbeitsoberfläche (301) definierten Vorderseite gegenüber liegt, undTrennen des Substrats (300) längs der Kerbbereiche, um eine Vielzahl von Halbleiterplättchen oder Halbleiterchips aus dem Substrat (300) zu erhalten, wobei jedes Halbleiterplättchen einen Glasrahmen oder eine Glaskappe, die aus dem Glasstück hervorgehen, umfasst.

公开(公告)号：DE102020109149A1

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：DE102020109149

申请日：2020-04-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  HELBIG STEPHAN ,  KOLLER ADOLF

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/04 ,  H01L21/301

Abstract: Ein Verfahren umfasst ein Erzeugen eines Halbleiterwafers. Der Halbleiterwafer umfasst mehrere MEMS-Halbleiterchips, wobei die MEMS-Halbleiterchips MEMS-Strukturen aufweisen, die bei einer ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers angeordnet sind, eine bei der ersten Hauptoberfläche angeordnete erste Halbleitermaterialschicht, und eine unter der ersten Halbleitermaterialschicht angeordnete zweite Halbleitermaterialschicht, wobei eine Dotierung der ersten Halbleitermaterialschicht größer ist als eine Dotierung der zweiten Halbleitermaterialschicht. Das Verfahren umfasst ferner ein Entfernen der ersten Halbleitermaterialschicht in einem Bereich zwischen benachbarten MEMS-Halbleiterchips. Das Verfahren umfasst ferner ein Anwenden eines Stealth-Dicing-Prozesses von der ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers und zwischen den benachbarten MEMS-Halbleiterchips.

公开(公告)号：DE102015122781B4

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：DE102015122781

申请日：2015-12-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARZEN STEFAN ,  BROCKMEIER ANDRE ,  FRIZA WOLFGANG ,  FUELDNER MARC ,  PINDL STEPHAN

IPC: B81B7/02 ,  G01L9/12 ,  H04R19/04

Abstract: Kondensatormikrophon (100), umfassend:eine Membran (304); eine erste perforierte Rückplatte (306);eine zweite perforierte Rückplatte (802), die auf einer Seite der Membran angeordnet ist, die einer Seite der Membran, auf der die erste perforierte Rückplatte angeordnet ist, entgegengesetzt ist;ein Gehäuse aufweisend eine Schallöffnung, wobei das Gehäuse um die Membran, die erste perforierte Rückplatte und die zweite perforierte Rückplatte herum bereitgestellt ist;eine erste Isolierschicht, die auf einer, der Membran (304) zugewandten ersten Seite der ersten Rückplatte (306) angeordnet ist, und eine zweite Isolierschicht, die auf einer zweiten Seite der ersten Rückplatte (306) angeordnet ist, die der ersten Seite der ersten Rückplatte (120) entgegengesetzt ist;eine dritte Isolierschicht, die auf einer, der Membran (304) zugewandten ersten Seite der zweiten Rückplatte angeordnet ist, und eine vierte Isolierschicht, die auf einer zweiten Seite der zweiten Rückplatte angeordnet ist, die der ersten Seite der zweiten Rückplatte entgegengesetzt ist;wobei weitere Isolierschichten auf jeder äußeren Wand von mindestens einem aus einer Vielzahl an Perforationslöchern in der ersten perforierten Rückplatte (306) angeordnet sind und mindestens einen jeweiligen Abschnitt jeder äußeren Wand, der der Membran am nächsten ist, abdecken; undwobei Isoliermaterial auf jeder äußeren Wand von mindestens einem aus einer Vielzahl an Perforationslöchern in der zweiten perforierten Rückplatte angeordnet ist undmindestens einen jeweiligen Abschnitt jeder äußeren Wand, der der Membran am nächsten ist, abdeckt.

公开(公告)号：DE102015102718B4

公开(公告)日：2021-02-11

申请号：DE102015102718

申请日：2015-02-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOBLINSKI CARSTEN VON ,  FASTNER ULRIKE ,  BROCKMEIER ANDRE ,  ZORN PETER

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/48 ,  H01L23/08 ,  H01L23/498

Abstract: Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen (300, 500, 600), umfassend:Bereitstellen eines Trägersubstrats (100, 400), das eine erste Seite (101), eine zweite Seite (102, 402) und eine Vielzahl an Aufnahmen (105, 405) jeweils zum Aufnehmen und Tragen eines Halbleiterchips (200) aufweist, wobei die Aufnahmen (105, 405) sich von der ersten Seite (101) zur zweiten Seite (102, 402) des Trägersubstrats (100, 400) erstrecken;Platzieren von Halbleiterchips (200), die jeweils eine erste Seite (201) und eine zweite Seite (202) aufweisen, in den Aufnahmen (105, 405), wobei die Aufnahmen (105, 405) zumindest Teile der ersten Seite (201) und der zweiten Seite (202) der Halbleiterchips (200) freiliegend lassen;Plattieren von Metall in die Aufnahmen (105, 405), um eine Metallstruktur (152) auf und in Kontakt mit der zweiten Seite (202) der Halbleiterchips (200) auszubilden; undDurchschneiden des Trägersubstrats (100, 400), um getrennte Halbleitervorrichtungen (300, 500, 600) auszubilden.

公开(公告)号：DE102013111772B4

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：DE102013111772

申请日：2013-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  DIELACHER FRANZ ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L23/08 ,  H01L21/58 ,  H01L25/04

Abstract: Bauelement, umfassend:ein Halbleitermaterial (1), das eine erste Hauptoberfläche (2), eine gegenüberliegende Oberfläche (3), die der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegt, und eine seitliche Oberfläche (4), die sich von der ersten Hauptoberfläche zur gegenüberliegenden Oberfläche erstreckt, umfasst, wobei das Halbleitermaterial eine Funktionsfläche umfasst, die in einem Hochfrequenzbereich betrieben wird;ein erstes elektrisches Kontaktelement (5), das auf der ersten Hauptoberfläche (2) des Halbleitermaterials angeordnet ist;ein Glasmaterial (6), das eine zweite Hauptoberfläche (7) umfasst, wobei das Glasmaterial die seitliche Oberfläche (4) des Halbleitermaterials kontaktiert und wobei die erste Hauptoberfläche (2) des Halbleitermaterials und die zweite Hauptoberfläche des Glasmaterials in einer gemeinsamen Ebene angeordnet sind; undeine Metallschicht (11), die über der ersten Hauptoberfläche (2) des Halbleitermaterials und über dem Glasmaterial angeordnet ist, wobei eine passive elektronische Komponente (42) aus der Metallschicht gebildet wird, wobei die passive elektronische Komponente über der zweiten Hauptoberfläche (7) des Glasmaterials und vollständig außerhalb eines Grundrisses des Halbleitermaterials angeordnet ist, wobei das Glasmaterial (6) eine Niedertemperatur-Einbrand-Keramik umfasst.

公开(公告)号：DE102019119289A1

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102019119289

申请日：2019-07-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BROCKMEIER ANDRE ,  HOECHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG ,  METZGER-BRUECKL GERHARD ,  PICCIN MATTEO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/161

Abstract: Ein Träger (100), der dafür konfiguriert ist, über eine erste Oberfläche (104) an einem Halbleitersubstrat angebracht zu werden, weist eine eine erste Oberfläche (104) des Trägers (100) definierende zusammenhängende Kohlenstoffstruktur (102) und ein Verstärkungsmaterial (106), das zumindest 2 Vol.-% des Trägers (100) ausmacht, auf.

公开(公告)号：DE102017012223A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：DE102017012223

申请日：2017-09-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  FRIZA WOLFGANG ,  MAURER DANIEL

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/306

Abstract: Verschiedenen Ausführungsformen betreffen ein mikroelektromechanisches Bauelement mit einer Schichtstruktur und ein Verfahren zum Prozessieren einer Schichtstruktur (100). Die Schichtstruktur (100) kann aufweisen: eine erste Schicht (102), eine über der ersten Schicht (102) angeordnete Opferschicht (104) und eine über der Opferschicht (104) angeordnete zweite Schicht (106) aufweist, wobei die zweite Schicht (106) mindestens eine Öffnung (106h) aufweist, wobei sich die mindestens eine Öffnung (106h) von einer ersten Seite (106a) der zweiten Schicht (106) bis zur Opferschicht (104) erstreckt. Das Verfahren kann aufweisen: Bilden einer Linerschicht (108), welche zumindest eine Innenwandung (106w) der mindestens einen Öffnung (106h) bedeckt; Bilden einer Deckschicht (110) über der Linerschicht (108), wobei sich die Deckschicht (110) zumindest abschnittsweise in die mindestens eine Öffnung (106h) erstreckt; und nasschemisches Ätzen der Deckschicht (110), der Linerschicht (108) und der Opferschicht (104) mittels einer Ätzlösung, wobei die Ätzlösung eine größere Ätzgeschwindigkeit für die Linerschicht (108) aufweist als für die Deckschicht (110).

公开(公告)号：DE102016118268A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102016118268

申请日：2016-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  RUPP ROLAND ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bearbeiten eines einkristallinen Substrats (102) Folgendes aufweisen: Durchtrennen (100b) des Substrats (102) entlang einer Hauptprozessierseite in zumindest zwei einkristalline Substratteilstücke (102a, 102b); und Bilden (100c) einer mikromechanischen Struktur (106), welche ein einkristallines Substratteilstück der zumindest zwei Substratteilstücke (102a, 102b) aufweist.

公开(公告)号：DE102015122781A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：DE102015122781

申请日：2015-12-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARZEN STEFAN ,  BROCKMEIER ANDRE ,  FRIZA WOLFGANG ,  FUELDNER MARC ,  PINDL STEPHAN

IPC: B81B7/02 ,  G01L9/12 ,  H04R19/04

Abstract: Ein Kondensatormikrophon (100) kann ein Gehäuse, eine Membran (110) und eine erste Rückplatte (120) umfassen, wobei eine erste Isolierschicht auf einer, der Membran (110) zugewandten ersten Seite der ersten Rückplatte (120) angeordnet sein kann, und eine zweite Isolierschicht auf einer zweiten Seite der ersten Rückplatte (120) angeordnet sein kann, die der ersten Seite der ersten Rückplatte (120) entgegengesetzt ist. Eine weitere Isolierschicht kann auf einer Seitenwand von mindestens einem aus einer Vielzahl von Perforationslöchern in der ersten Rückplatte (120) angeordnet sein. Jede leitfähige Oberfläche der ersten Rückplatte (120) kann mit Isoliermaterial bedeckt sein.