公开(公告)号：DE102014114532A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：DE102014114532

申请日：2014-10-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GROSS THOMAS ,  GRUBER HERMANN ,  IRLBACHER WERNER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BORCKE MATHIAS VON ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/822 ,  H01C7/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/324 ,  H01L23/62 ,  H01L27/08 ,  H01L29/167

Abstract: Ein Verfahren (200a) zum Herstellen einer Polysilizium-Widerstandsvorrichtung kann aufweisen; ein Bilden einer Polysiliziumschicht (202a); ein Implantieren von ersten Dotieratomen in mindestens einem Abschnitt der Polysiliziumschicht, wobei die ersten Dotieratome Donatoren mit tiefen Energieniveaus aufweisen (204a); ein Implantieren von zweiten Dotieratomen in dem mindestens einen Abschnitt der Polysiliziumschicht (206a); und ein Ausglühen des mindestens einen Abschnitts der Polysiliziumschicht (208a).

公开(公告)号：DE102013102973A1

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：DE102013102973

申请日：2013-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER THOMAS ,  GRUBER HERMANN ,  HOECKELE UWE ,  MAHLER JOACHIM ,  PRUECKL ANTON ,  SCHMIDT MATTHIAS

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/60 ,  H01L25/04

Abstract: Bei einer Ausführungsform weist ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterpackage das Bereitstellen eines ersten Die (100) mit Kontaktoberflächen auf einer oberen Oberfläche, aber nicht auf einer gegenüberliegenden unteren Oberfläche, auf. Eine dielektrische Linerschicht (130) wird unter der unteren Oberfläche des ersten Die (100) abgeschieden. Der erste Die (100) wird mit der abgeschiedenen dielektrischen Linerschicht (130) an einem Die-Paddel (110) eines Substrats angebracht.

公开(公告)号：FR2987168A1

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：FR1300612

申请日：2013-03-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  GRUBER HERMANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUHL GUENTHER ,  FOERG RAIMUND ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  KELLERMANN KARSTEN ,  SOMMER MICHAEL ,  ROTTMAIR CHRISTIAN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/71 ,  H01L21/20 ,  H01L21/48 ,  H01L23/14

Abstract: Procédé de fabrication d'une tranche (13) composite, caractérisé en ce qu'on se procure une tranche de support comprenant une couche de graphite, on se procure une tranche (10) semiconductrice monocristalline ayant une première face (11) et une deuxième face (12) ; et on forme une couche de liaison sur au moins l'une de la première face (11) de la tranche semiconductrice et de la couche de graphite de la tranche de support.

公开(公告)号：FR2979033A1

公开(公告)日：2013-02-15

申请号：FR1202206

申请日：2012-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  GRUBER HERMANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUHL GUENTHER ,  FOERG RAIMUND ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  KELLERMANN KARSTEN ,  SOMMER MICHAEL ,  ROTTMAIR CHRISTIAN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/71 ,  H01L21/20 ,  H01L21/48 ,  H01L23/14

Abstract: Procédé de fabrication d'une tranche (13) composite, on se procure une tranche de support comprenant une couche de graphite, on se procure une tranche (10) semiconductrice monocristalline ayant une première face (11) et une deuxième face (12) ; et on forme une couche de liaison sur au moins l'une de la première face (11) de la tranche semiconductrice et de la couche de graphite de la tranche de support.