公开(公告)号：DE102014112386A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102014112386

申请日：2014-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters offenbart, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10) mit einer ersten Seite (11) und einer zweiten Seite (12); Bilden einer n-dotierten Zone in dem Halbleiterkörper (10) durch eine erste Implantierung in den Halbleiterkörper (10) über die erste Seite (11) bis auf eine erste Tiefenposition des Halbleiterkörpers (10); und Bilden einer p-dotierten Zone in dem Halbleiterkörper (10) durch eine zweite Implantierung in den Halbleiterkörper (10) über die zweite Seite (12) bis auf eine zweite Tiefenposition des Halbleiterkörpers (10), wodurch ein pn-Übergang (13) zwischen der n-dotierten Zone und der p-dotierten Zone in dem Halbleiterkörper (10) entsteht.

公开(公告)号：DE102018010396B3

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE102018010396

申请日：2018-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  MODER IRIS ,  EICHINGER BARBARA ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/68

Abstract: Verfahren, das aufweist:Erzeugen mehrerer Gräben (20) in einer ersten Oberfläche (11) eines Halbleiterwafers (10);Einbringen von Dotierstoffatomen zumindest in Seitenwände (21, 22) und einen Boden (23) eines jeden der mehreren Gräben (20);Erzeugen einer Halbleiterschicht (30), die die mehreren Gräben (20) vollständig füllt; undDiffundieren der Dotierstoffatome in einem thermischen Prozess, um ein dotiertes Gebiet (40) derart zu erzeugen, dass sich das dotierte Gebiet (40) in einer lateralen Richtung des Halbleiterwafers (10) über solche Abschnitte der Halbleiterschicht (30), die die Gräben (20) füllen, und über Mesagebiete (13), die in dem Halbleiterwafer (10) jeweils zwischen den Gräben (20) vorhanden sind, erstreckt.

公开(公告)号：DE102019132230A1

公开(公告)日：2021-06-02

申请号：DE102019132230

申请日：2019-11-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  MURI INGO ,  MEYER THORSTEN ,  EICHINGER BARBARA

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung beinhaltet ein Halbleiterdie, einen elektrischen Kontakt, der auf einer Oberfläche des Halbleiterdie angeordnet ist, und eine Metallschicht, die auf dem elektrischen Kontakt angeordnet ist, wobei die Metallschicht einen vereinzelten Teil von mindestens einem von einer Metallfolie, einem Metallblech, einem Metallleiterrahmen, oder einer Metallplatte beinhaltet. In einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Halbleiterdie betrachtet, sind eine Grundfläche des elektrischen Kontakts und eine Grundfläche der Metallschicht im Wesentlichen deckungsgleich.

公开(公告)号：DE102018129594A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：DE102018129594

申请日：2018-11-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  MURI INGO

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren wird beschrieben. Das Verfahren umfasst: in einem Halbleiterwafer, der eine erste Halbleiterschicht (10) und eine an die erste Halbleiterschicht (10) angrenzende Halbleiterschicht (20) aufweist, Herstellen eines porösen Gebiets (12), das sich von einer ersten Oberfläche (11) in die erste Halbleiterschicht (10) erstreckt; und Entfernen des porösen Gebiets (12) durch einen Ätzprozess, wobei bezüglich einer Dotierung der ersten Halbleiterschicht (10) und einer Dotierung der zweiten Halbleiterschicht (20) wenigstens eines der folgenden gilt: eine Dotierungskonzentration der zweiten Halbleiterschicht (20) ist geringer als das 10-fache einer Dotierungskonzentration der ersten Halbleiterschicht (10); ein Dotierungstyp der zweiten Halbleiterschicht ist komplementär zu einem Dotierungstyp der ersten Halbleiterschicht (10).

公开(公告)号：DE102018127833A1

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：DE102018127833

申请日：2018-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  MODER IRIS ,  EICHINGER BARBARA ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/68

Abstract: Es wird ein Verfahren offenbart. Das Verfahren beinhaltet das Erzeugen mehrerer Gräben (20) in einer ersten Oberfläche (11) eines Halbleiterwafers (10);das Einbringen von Dotierstoffatomen zumindest in Seitenwände (21, 22) und einen Boden (23) eines jeden der mehreren Gräben (20); das Erzeugen einer Halbleiterschicht (30), die die mehreren Gräben (20) vollständig füllt; und das Diffundieren der Dotierstoffatome in einem thermischen Prozess, um ein dotiertes Gebiet (40) zumindest in dem Halbleiterwafer (10) zu erzeugen.

公开(公告)号：DE102018111213A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018111213

申请日：2018-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  MODER IRIS ,  HELLMUND OLIVER ,  NEIDHART THOMAS CHRISTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHMIDT GERHARD ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Ausführungsform bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Vorsehen eines Halbleitersubstrats (102) mit einer ersten Hauptoberfläche (104) und einer der ersten Hauptoberfläche (104) gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche (106), wobei das Halbleitersubstrat (102) einen ersten Dotierstoff und einen zweiten Dotierstoff aufweist und ein kovalenter Atomradius eines Materials des Halbleitersubstrats (102) i) größer als ein kovalenter Atomradius des ersten Dotierstoffes und kleiner als ein kovalenter Atomradius des zweiten Dotierstoffes oder ii) kleiner als ein kovalenter Atomradius des ersten Dotierstoffes und größer als ein kovalenter Atomradius des zweiten Dotierstoffes ist. Eine vertikale Ausdehnung des ersten Dotierstoffes in das Halbleitersubstrat (102) von der ersten Hauptoberfläche (104) aus endet bei einem Boden (109) eines ersten Halbleitersubstratbereichs (108) in einer ersten vertikalen Distanz (t1) zur ersten Hauptoberfläche (104). Danach umfasst das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Halbleiterschicht (110) auf der ersten Hauptoberfläche (104) und ein Ausbilden von Halbleitervorrichtungselementen (1121, 1122) in der Halbleiterschicht (110). Weiter umfasst das Verfahren ein Reduzieren einer Dicke (t) des Halbleitersubstrats (102) durch Entfernen eines Materials des Halbleitersubstrats (102) von der zweiten Hauptoberfläche (106) aus zumindest bis zum ersten Halbleitersubstratbereich (108).

公开(公告)号：DE102017120535A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：DE102017120535

申请日：2017-09-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/84

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Ausbilden einer Hilfsmaske, die eine Vielzahl von Maskenöffnungen enthält, auf einer Hauptoberfläche eines kristallinen Halbleitersubstrats. Eine poröse Struktur wird im Halbleitersubstrat gebildet. Die poröse Struktur umfasst eine poröse Schicht in einer Distanz zur Hauptoberfläche und poröse Säulen, die sich von der porösen Schicht in Richtung der Hauptoberfläche erstrecken und die durch einen nicht porösen Bereich lateral voneinander getrennt sind. Eine nicht poröse Vorrichtungsschicht wird auf dem nicht porösen Bereich und auf den porösen Säulen ausgebildet.

公开(公告)号：DE102017105000A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：DE102017105000

申请日：2017-03-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  BINTER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  GRINDLING CHRISTIAN

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  H01L21/304

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Werkstückplanarisierungsanordnung aufweisen: einen Chuck, der zumindest einen zum Tragen von einem oder mehreren Werkstücken konfigurierten Abschnitt aufweist; und ein Planarisierungswerkzeug, das konfiguriert ist, den zumindest einen Abschnitt des Chucks zu planarisieren und ein oder mehrere Werkstücke auf dem zumindest einen Abschnitt des Chucks zu planarisieren; wobei der zumindest eine Abschnitt des Chucks zumindest eines von Partikeln, Poren und/oder einem Polymer aufweist.

公开(公告)号：DE102016122217A1

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：DE102016122217

申请日：2016-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  MODER IRIS ,  MURI INGO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L21/322 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes enthalten: Bereitstellen eines Substrats, das eine erste Seite und eine zweite Seite gegenüber der ersten Seite aufweist; Ausbilden einer vergrabenen Schicht in und/oder über dem Substrat durch Verarbeiten der ersten Seite des Substrats; und Dünnen des Substrats von der zweiten Seite des Substrats her, wobei die vergrabene Schicht eine feste Verbindung enthält, die eine größere Beständigkeit gegen das Dünnen aufweist als das Substrat, und wobei das Dünnen an der vergrabenen Schicht stoppt.

公开(公告)号：DE102015122639A1

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：DE102015122639

申请日：2015-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MURI INGO ,  MODER IRIS

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76 ,  H01L21/84

Abstract: Gemäß einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung wird ein erster Trench (102) in einem Halbleiterkörper (104) von einer ersten Seite (106) gebildet. Eine anodische Oxidstruktur (108) ist an einer Bodenseite des ersten Trenches (102) durch Eintauchen des Halbleiterkörpers (104) in einen Elektrolyten und Anlegen einer anodisierenden Spannung zwischen dem Halbleiterkörper (104) und einer Elektrode in Kontakt mit dem Elektrolyten gebildet.