公开(公告)号：DE102015102300A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：DE102015102300

申请日：2015-02-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER JENS ,  STEPHAN CHRISTOPH ,  WALTER ROBERT ,  HARTAUER STEFAN ,  RUMBOLZ CHRISTIAN

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01S5/026

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Oberfläche mit einem ersten Bereich und einem an den ersten Bereich angrenzenden zweiten Bereich, zum Anordnen einer Opferschicht über dem ersten Bereich der Oberfläche, zum Anordnen einer Passivierungsschicht über der Opferschicht und dem zweiten Bereich der Oberfläche, zum Anlegen einer Öffnung in der Passivierungsschicht über den ersten Bereich der Oberfläche und zum Entfernen der Opferschicht.

公开(公告)号：DE102018103431A1

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE102018103431

申请日：2018-02-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ SIMEON ,  WENDT MATHIAS ,  HUPPMANN SOPHIA ,  ZENGER MARCUS ,  MÜLLER JENS

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/58 ,  H01L21/30 ,  H01L25/075 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen einem ersten Bauteil (1) und einem zweiten Bauteil (2) angegeben, bei dem das erste Bauteil mit einer ersten freiliegenden Isolationsschicht (II) und das zweite Bauteil mit einer zweiten freiliegenden Isolationsschicht (21) bereitgestellt werden, wobei die Isolationsschichten jeweils zumindest eine Öffnung (1IC, 2IC) aufweisen. Die Bauteile werden derart zusammengeführt, dass sich die Öffnung (1IC) der ersten Isolationsschicht und die Öffnung (2IC) der zweiten Isolationsschicht in Draufsicht überlappen, wobei in mindestens einer der Öffnungen (1IC, 2IC) eine Au-Schicht (S1, S2) und eine Sn-Schicht (S1, S2) übereinander angeordnet sind. Die Au-Schicht und die Sn-Schicht werden zur Bildung einer AuSn-Legierung aufgeschmolzen, wobei die AuSn-Legierung nach einer Abkühlung eine Durchkontaktierung (12) bildet, welche das erste Bauteil mit dem zweiten Bauteil elektrisch leitend verbindet. Des Weiteren wird ein Bauelement aus einem ersten Bauteil und einem zweiten Bauteil angegeben, wobei die Bauteile durch eine Durchkontaktierung aus einer AuSn-Legierung miteinander elektrisch leitend verbunden sind.

公开(公告)号：DE102019101544A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102019101544

申请日：2019-01-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER JENS ,  WINNERL ANDREA ,  HUPPMANN SOPHIA ,  PFEUFFER ALEXANDER

IPC: H01L33/36 ,  H01L21/768

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Halbleiterkörper (2), der eine Schichtenfolge (2.1, 2.2, 3.3) mit einer aktiven Region aufweist; eine auf der Schichtenfolge (2.1, 2.2) angeordnete erste dielektrische Schicht (3.2), die eine Vielzahl von ersten Bereichen und einen zweiten Bereich aufweist. Eine erste Durchkontaktierung (3.2A) ist in jedem ersten Bereich angeordnet, um eine erste Seite der aktiven Region zu kontaktieren, und eine zweite Durchkontaktierung (3.5) ist im zweiten Bereich angeordnet, um eine zweite Seite der aktiven Region zu kontaktieren. Eine leitfähige Schicht (3.1) umfasst eine Vielzahl von ersten Regionen, die gegenüber einer zweiten Region elektrisch isoliert sind, wobei die leitfähige Schicht (3.1) eine im Wesentlichen ebene Oberfläche aufweist und eben auf der Vielzahl von ersten Bereichen und dem zweiten Bereich angeordnet ist, so, dass jede von der Vielzahl von ersten Regionen der leitfähigen Schicht in Kontakt mit der ersten Durchkontaktierung (3.2A) im jeweiligen Bereich von der Vielzahl von ersten Bereichen steht und die zweite Region der leitfähigen Schicht in Kontakt mit der zweiten Durchkontaktierung (3.5) der ersten dielektrischen Schicht (3.2) steht.

公开(公告)号：DE102012106687B4

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102012106687

申请日：2012-07-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER JENS ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/042 ,  H01S5/34

Abstract: Steglaser (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20),- einem Wellenleiter (3) an einer p-dotierten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2), auch bezeichnet als Steg, mit einer Breite (B), wobei der Wellenleiter (3) aus der Halbleiterschichtenfolge (2) als Erhebung geformt ist,- einer Kontaktmetallisierung (4) aus einem Metall oder aus einer Metalllegierung, die auf einer der aktiven Zone (20) abgewandten Oberseite (30) des Wellenleiters (3) aufgebracht ist, und- einer Bestromungsschicht (5), die in direktem Kontakt mit der Kontaktmetallisierung (4) steht und über die die Kontaktmetallisierung (4) elektrisch angeschlossen ist,wobei- die Oberseite (30) parallel zur aktiven Zone (20) orientiert ist,- eine Bestromungsbreite (C) der aktiven Zone (20) und/oder des Wellenleiters (3) kleiner ist als die Breite (B) des Wellenleiters (3),- der Wellenleiter (3) von der aktiven Zone (20) beabstandet ist,- die Oberseite (30) nur teilweise von der Kontaktmetallisierung (4) mit einer Kontaktbreite (M) bedeckt ist und die Kontaktbreite (M) kleiner ist als die Breite (B) des Wellenleiters (3),- die Bestromungsschicht (5) die Oberseite (30) stellenweise berührt,- ein Abstand der Kontaktmetallisierung (4) von einer Kante der Oberseite (30) mindestens 0,15 µm und/oder mindestens 2,5 % der Breite (B) des Wellenleiters (3) beträgt,- sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der Bestromungsschicht (5) stellenweise eine Passivierungsschicht (6) befindet,- eine Definition einer optischen Modenbreite über die Breite des Wellenleiters (3) und über die Brechungsindizes der beteiligten Materialien erfolgt und die Bestromungsbreite (C) hingegen über die Kontaktmetallisierung (4) an der Oberseite (30) eingestellt ist,- für die Kontaktbreite M, die Breite B des Wellenleiters (3) und einen Bedeckungsanteil S der Oberseite (30) durch die Bestromungsschicht (5) gilt: 0,1 B ≤ M ≤ 0,8 B und 0,4 (B-M) ≤ S ≤ (B-M),- die Halbleiterschichtenfolge (2) frei von einer Stromblockschicht ist, und- die Bestromungsschicht (5) mit der Halbleiterschichtenfolge (2) einen nicht-ohmschen Kontakt bildet und die Kontaktmetallisierung (4) gegenüber der Halbleiterschichtenfolge (2) eine höhere Austrittsarbeit aufweist als die Bestromungsschicht (5) gegenüber der Halbleiterschichtenfolge (2).

公开(公告)号：DE102015105752A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：DE102015105752

申请日：2015-04-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KURZ CHRISTIAN ,  GERHARD SVEN ,  LÖFFLER ANDREAS ,  MÜLLER JENS

IPC: H01L23/544 ,  H01L33/44

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einer Begrenzungsschicht, einer Metallisierungsschicht und einem Halbleiterbauelement, wobei die Metallisierungsschicht auf dem Halbleiterbauelement und die Begrenzungsschicht auf der Metallisierungsschicht angeordnet ist, wobei die Begrenzungsschicht dazu dient, ein Reservoir für ein Markermaterial räumlich zumindest teilweise definiert festzulegen.

公开(公告)号：DE102014112902A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：DE102014112902

申请日：2014-09-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  ADLHOCH THOMAS ,  VEIT THOMAS ,  LELL ALFRED ,  PFEIFFER JOACHIM ,  MÜLLER JENS ,  EICHLER CHRISTOPH

IPC: H01S5/02

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Laserchips umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Halbleiterscheibe mit einer Oberseite und einer Unterseite, wobei die Halbleiterscheibe eine Mehrzahl integrierter Laserdiodenstrukturen aufweist, die entlang einer festgelegten Bruchrichtung hintereinander angeordnet sind, zum Anlegen einer Mehrzahl von entlang der Bruchrichtung hintereinander angeordneten Vertiefungen an der Oberseite der Halbleiterscheibe, wobei jede Vertiefung in Bruchrichtung aufeinander folgend eine vordere Begrenzungsfläche und eine hintere Begrenzungsfläche aufweist, wobei bei mindestens einer Vertiefung die hintere Begrenzungsfläche gegenüber der Oberseite der Halbleiterscheibe um einen Winkel zwischen 95° und 170° geneigt ist, und zum Brechen der Halbleiterscheibe in Bruchrichtung an einer senkrecht zur Oberseite der Halbleiterscheibe orientierten Bruchebene, die durch die Vertiefungen verläuft.

公开(公告)号：DE102013216527A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：DE102013216527

申请日：2013-08-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER JENS ,  HORN MARKUS

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/022 ,  H01S5/40

Abstract: Ein Laserbauelement umfasst einen kantenemittierenden ersten Laserchip mit einer Oberseite, einer Unterseite, einer Stirnseite und einer Seitenfläche. An der Stirnseite ist ein Emissionsbereich ausgebildet. Die Seitenfläche ist senkrecht zur Oberseite und zur Stirnseite orientiert. An der Oberseite ist eine erste Metallisierung angeordnet. An der Seitenfläche ist eine Stufe ausgebildet, durch die ein an die Oberseite angrenzender Teil der Seitenfläche zurückversetzt ist. Im zurückversetzten Teil der Seitenfläche ist eine Passivierungsschicht angeordnet.

公开(公告)号：DE102013207258A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：DE102013207258

申请日：2013-04-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  MÜLLER JENS ,  BRÜDERL GEORG

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/30

Abstract: Die Erfindung betrifft ein/Halbleiterlaser mit einem Grundkörper und einem auf dem Grundkörper angeordneten Streifenkörper, wobei der Grundkörper und der Streifenkörper aus Halbleitermaterial gebildet sind, wobei das Halbleitermaterial eine aktive Zone zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist, wobei auf einer Oberseite des Streifenkörpers eine erste Kontaktschicht aufgebracht ist, wobei eine zweite Kontaktschicht an wenigstens eine Seitenfläche des Streifenkörpers und/oder an wenigstens eine seitlich zum Streifenkörper angeordnete Oberseite des Grundkörpers angrenzt, wobei die zweite Kontaktschicht mit einer Wärmesenke in Kontakt steht, wobei ein elektrischer Übergangswiderstand zwischen der zweiten Kontaktschicht und dem Grundkörper und/oder dem Streifenkörper größer ist als der elektrische Übergangswiderstand zwischen der ersten Kontaktschicht und dem Streifenkörper.