公开(公告)号：CN104810231A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410808396.2

申请日：2014-12-22

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 大浦正英 ,  今井大辅 ,  二宫史郎

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3002 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/18 ,  H01J2237/304 ,  H01J2237/30472 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/04 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明提供一种离子注入装置以及离子注入装置的控制方法，其课题在于提供一种保护电源以避免因负载电流的产生而产生的过电流的技术。在本发明的离子注入装置(10)中，切断机构在射束线的中途切断离子束(B)。等离子体淋浴装置(40)设置于比切断机构更靠射束线的下游侧。控制部(60)在等离子体淋浴装置(40)的点火开始期间，使切断机构切断离子束(B)。切断机构可以设置于比高电压电场式电极部更靠射束线的上游侧，所述高电压电场式电极部至少设置一个以上。气体供给机构可以向等离子体淋浴装置(40)供给源气体。控制部(60)可以在使切断机构切断离子束(B)之后，使气体供给机构开始供给源气体。

公开(公告)号：CN104471670A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380037199.9

申请日：2013-06-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青木直文 ,  教学正文 ,  岩崎光太 ,  村山阳平

IPC: H01J37/252 ,  G01N27/62 ,  H01J49/10 ,  H01J49/40

CPC classification number: H01J37/261 ,  H01J49/0004 ,  H01J49/0468 ,  H01J49/142 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/2448 ,  H01J2237/2602

Abstract: 为了提供能够使用水分子执行高灵敏度测量的质谱仪。质谱仪具有样本(2)设置在其中的室(5)，用于向样本发射粒子的照射单元(3)，以及将从样本发射的二次离子引导至质谱分析单元(4)的提取电极，其中，所述照射单元切换第一模式和第二模式，第一模式发射用于导致从样本发射二次离子的一次离子，第二模式发射含有要附着到样本的水分子的粒子，并且所述照射单元向样本发射该粒子。

公开(公告)号：CN104217913A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410158429.3

申请日：2014-04-18

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 佐藤正辉

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/036 ,  H01J2237/038 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明提供一种绝缘结构及绝缘方法，其有助于降低维护频度并提高装置运转率。本发明提供设置在用于从等离子体生成部引出离子束的多个电极间的绝缘结构（30）。绝缘结构（30）具备：第1部分（52），连接于第1电极（20）；及第2部分（54），连接于第2电极（22），且具备：绝缘部件（32），用于将第1电极（20）支承于第2电极（22）；第1罩体（70），为了保护第1部分（52）免受污染粒子（18）的影响而包围第1部分（52）的至少一部分；及第2罩体（72），为了保护第2部分（54）免受污染粒子（18）的影响而包围第2部分（54）的至少一部分。第1部分（52）及第2部分（54）中的至少一部分由可加工陶瓷或多孔陶瓷形成。

公开(公告)号：CN101593658B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200910145359.7

申请日：2009-05-26

Applicant: FEI公司

Inventor： A·亨斯特拉

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J3/027 ,  H01J3/04 ,  H01J37/063 ,  H01J2237/045 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/1534

Abstract: 本发明的名称为具有集成能量过滤器的带电粒子源，描述发生能量选择的粒子源。能量选择通过偏心地发送带电粒子束穿过透镜发生。这样做的结果是，在透镜形成的图像中将发生能量色散。通过将此图像投射到能量选择光阑中的狭缝上，可以只让有限的能量谱部分中的粒子穿过。因此，穿过的束将具有减少的能量分散。偏转单元将束偏转到光轴。也可以选择偏转经过透镜中间去向光轴并且具有如更大电流的束。能量色散点由偏转器在狭缝上成像。在狭缝上定位能量色散点时，中央束偏离轴到被能量选择光阑阻止的程度。由此避免了在光阑后的区域由此束导致的反射和污染。此外，还避免了中央束的电子与偏转器区域中的能量过滤束交互作用所导致的电子-电子相互作用。

公开(公告)号：CN101563749B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200780043193.7

申请日：2007-09-25

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 ,  拉塞尔·J·罗

IPC: H01J37/317 ,  H01J31/16 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/09 ,  H01J37/16 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/038 ,  H01J2237/08

Abstract: 一种用在离子注入机的装置包括导电结构以及绝缘导体，绝缘导体安置于紧邻导电结构的外部之处以修改导电结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。也提供一种离子注入机。离子注入机包括：用于提供离子束的离子源；界定空腔的终端结构，离子源至少部分地安置于空腔中；以及绝缘导体。绝缘导体安置于紧邻终端结构的外部之处以修改终端结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。

公开(公告)号：CN101636811A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200780049064.9

申请日：2007-12-20

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 黄永章 ,  阙维国 ,  张锦程

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/248 ,  H01J37/302

CPC classification number: H01J37/248 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/0432 ,  H01J2237/08

Abstract: 本发明公开一种射束控制电路和方法，通过减小离子束的工作因数以最小化离子植入系统内颗粒污染。在一个实施例中，射束控制电路包括与电源及离子植入系统的离子源部分相串联的高压开关，其中，开关可被操作以中断或重新建立电源与离子源的电极之间的连接，电极包括用于产生等离子体的电极。射束控制电路还包括开关控制器，其可操作地通过控制开关在离子植入开始之前闭合并且控制开关在植入完成之后或在不需要射束的其它时间断开，以控制离子束的工作因数，从而最小化射束工作因数和颗粒污染。射束控制技术可被应用于晶片掺杂植入和减小工作因数。用于高压开关的保护电路吸收来自电抗元件的能量并且钳止任何过电压。

公开(公告)号：CN101223624A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200680025436.X

申请日：2006-09-07

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐佐木德康 ,  清水三郎 ,  国部利寿

IPC: H01J27/16 ,  H01J37/08 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/16

Abstract: 本发明能够长寿命地形成稳定的等离子体。本发明的离子源在划分等离子体生成室(14)的由电介质构成的隔壁(15)的外周一侧设置了高频天线(16)，在等离子体生成室(14)内设置了限制膜向与高频天线(16)对置的隔壁(15)内周面附着的、由电介质构成的屏蔽体(26)。由于该结构体用电介质构成，故可抑制在与等离子体的感应耦合中必要的高频电力的增大。再者，在该屏蔽体(26)中在横切高频天线(16)的卷绕方向的方向上形成了缝隙(26a)。利用该结构，由于可防止对于隔壁的内表面在高频天线的卷绕方向上附着膜连续化，故即使在附着膜是导电性物质的情况下也能有效地抑制高频天线与等离子体生成室之间的感应损耗。

公开(公告)号：CN1295754C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN02815975.6

申请日：2002-08-27

Applicant: 库克有限公司

Inventor： 大卫·诺曼·杰米尔森 ,  史蒂夫·卜劳 ,  安德鲁·史蒂夫·德祖瑞克 ,  罗伯特·格雷姆·克拉克 ,  杨长义

IPC: H01L21/265 ,  H01L31/115 ,  B82B3/00 ,  G06N1/00 ,  G01T1/00

CPC classification number: H01J37/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G06N10/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20292 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31711 ,  H01J2237/31713 ,  H01J2237/31755 ,  H01J2237/31788 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513

Abstract: 一种用于单离子掺杂和处理的方法和系统检测衬底中的单离子的注入、穿透以及终止。这种检测对于将可数数量的31P离子成功地注入到用于构成凯恩量子计算机的半导体衬底内很必要。该方法和系统特别涉及衬底(20)的表面上两个电极(22，23)上的电位(24)的应用，以产生电场将衬底(20)内形成的电子空穴对分开并清除。然后使用检测器(30)检测电极中的瞬时电流，由此决定衬底(20)中单离子的到达。

公开(公告)号：CN1623008A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02828340.6

申请日：2002-02-27

Applicant: 亨利J·拉莫斯 ,  菲律宾高等科学技术研究及开发委员会 ,  菲律宾迪利曼大学

Inventor： 亨利J·拉莫斯

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/32

CPC classification number: C23C14/355 ,  C23C14/325 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/3142

Abstract: 本发明是利用磁化的片等离子体源在金属底材上蒸镀氮化钛(TiN)薄膜的合成法。在金属底材上有化学计量TiN和Ti2N的TiN膜在下列条件下初始充气率为1∶3的N2/Ar混合等离子体中合成：初始充气总压力至少40毫托，等离子体电流范围约为2A－3A，等离子区放电电压范围约为125V－150V。

公开(公告)号：CN1173608C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN97129706.1

申请日：1997-12-31

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： T·N·霍尔斯基 ,  W·E·雷伊诺尔斯 ,  R·M·克劳蒂尔

IPC: H05H1/34 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/08 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 离子注入机用的离子源，包括限定气体电离区的导电室壁的气封室，其出口允许离子射出。基板使气封室对着将射出的离子形成离子束的结构配置。阴极一部分伸入气封室的开口中。阴极包括置有灯丝的内部区域的阴极体。阴极体包括内管件、同轴的外管件和端帽。端帽具有带径向延伸凸缘的横截面减小的主体部分。端帽压入内管件。给灯丝供电以加热该端帽，使其发射电子至电离区。该灯丝受阴极体保护，可免受气体电离区中激发等离子体的影响。