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公开(公告)号：KR1020140083266A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120152813
申请日：2012-12-26
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , B81C1/0046 , B82B3/00 , C23C30/00
Abstract: The present invention relates to a method for forming an aligned metal oxide nanostructure. The method for the aligned metal oxide nanostructure using an imprint lithography process or a KrF stepper, a KrF scanner, an i-line stepper, and an i-line scanner comprises: forming a metal oxide seed layer on a substrate; forming a resin pattern layer by the imprinting process; and exposing the metal oxide seed layer through a dry etching process or exposing the metal oxide seed layer by forming the resin pattern layer using the KrF stepper, the KrF scanner, the i-line stepper, and the i-line scanner to develop the metal oxide nanostructure from the metal oxide seed layer using a hydrothermal synthesis method. So the present invention has the advantage of making metal nanostructure of various shapes, sizes, and patterning; providing at a relatively low price; facilitating an alignment of large-scaled metal oxide nanostructure; preventing adhesion or deformation of the metal oxide nanostructure; and enabling an uniform formation and alignment of the nanostructure.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成对准的金属氧化物纳米结构的方法。 使用压印光刻工艺或KrF步进器，KrF扫描仪，i线步进机和i线扫描仪的对准的金属氧化物纳米结构的方法包括：在衬底上形成金属氧化物种子层; 通过印刷工艺形成树脂图案层; 并通过干式蚀刻工艺使金属氧化物种子层暴露或通过使用KrF步进器，KrF扫描器，i线步进器和i线扫描器形成树脂图案层来暴露金属氧化物晶种层，以开发金属 氧化物纳米结构由金属氧化物种子层采用水热合成法。 因此，本发明具有制造各种形状，尺寸和图案化的金属纳米结构的优点; 以相对较低的价格提供; 促进大规模金属氧化物纳米结构的排列; 防止金属氧化物纳米结构的粘合或变形; 并且能够均匀地形成和取向纳米结构。
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公开(公告)号：KR101345109B1
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020110073391
申请日：2011-07-25
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은기판또는박막에고분자층 및패터닝된감광성금속-유기물전구체층을형성하여박막의식각선택비에따른식각으로언더컷(Undercut)을형성하고, 3차원구조의나노구조체제조를위한금속또는금속산화막증착시 기판의회전유무를조절하여 3차원구조의나노구조체를제조하는임프린트리소그래피와리프트오프공정을이용한 3차원구조의정렬된나노구조체및 그제조방법에관한것으로, 임프린트리소그래피(Imprint Lithography) 공정과리프트오프(Lift-Off) 공정을이용하여 3차원형태의금속또는금속산화막나노구조체를제조하는방법에있어서, 기판에고분자층을형성하는단계, 고분자층 상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계, 패턴(Pattern)이형성된임프린트용스탬프(Imprint Stamp)를준비하는단계, 감광성금속-유기물전구체층을임프린트용스탬프(Imprint Stamp)로가압하고, 가열또는빛 조사방법중 어느하나또는혼용한방법으로감광성금속-유기물전구체층을경화하여패턴층을형성하는단계, 임프린트용스탬프(Imprint Stamp)를패턴층으로부터제거하는단계, 건식식각으로패턴층하부의고분자층을식각하여, 기판이노출되도록언더컷(Undercut)을형성하는단계, 패턴층상부또는노출된기판의상부에전자빔 증착기를이용하여금속또는금속산화막을형성하는단계및 용매를이용하여패턴층을리프트오프(Lift-Off)하여나노구조체를취득하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101296281B1
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：KR1020110118674
申请日：2011-11-15
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 고품위 질화물 반도체 성장방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 고품위 질화물 반도체 성장방법은 기판 또는 박막 상에 유전체 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 유전체 마스크층 상에 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 고분자층 상에 O
2 가스에 대한 에칭 저항성 레진 또는 금속-유기물 전구체로 이루어지는 패턴층을 형성하는 단계와, 건식 식각으로 상기 패턴층 하부의 고분자층을 식각하는 단계와, 건식 식각으로 상기 유전체 마스크층을 식각하여, 상기 기판 또는 박막이 일부 노출되도록 유전체 마스크층의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 유전체 마스크층의 패턴 상부에 있는 고분자층 및 패턴층을 제거하는 단계와, 일부 노출된 상기 기판의 상면에 질화물 반도체층을 측방향으로 성장시� ��는 단계를 포함함으로써, 사파이어 또는 Si 또는 기판과 질화물 반도체의 격자상수 불일치로 인해서 발생되는 전위 결함 및 휨이나 깨짐 등과 같은 변형을 최소화하여, 최적화된 고품위 질화물 반도체의 성장이 가능한 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020130068667A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110135976
申请日：2011-12-16
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/22 , H01L2933/0083
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a light emitting diode using an imprint stamp is provided to increase light extraction efficiency by forming a concave-convex pattern on the upper part of an n-type semiconductor layer or a p-type semiconductor layer. CONSTITUTION: An n-type semiconductor layer(105) including a concave-convex pattern is formed on the lower side of an n-electrode(106). An active layer(104) emitting light is formed on the lower side of the n-type semiconductor layer. A p-type semiconductor layer(103) is formed on the lower part of the active layer. A combination metal layer(102) reflecting the light generated in the active layer is formed on the lower part of the p-type semiconductor layer. A substrate or a thin film(101) is formed on the lower part of the combination metal layer.
Abstract translation: 目的：提供使用压印印模的发光二极管的制造方法，以通过在n型半导体层或p型半导体层的上部形成凹凸图案来提高光提取效率。 构成：在n电极（106）的下侧形成有包含凹凸图案的n型半导体层（105）。 在n型半导体层的下侧形成发光的有源层（104）。 在有源层的下部形成p型半导体层（103）。 反射在有源层中产生的光的组合金属层（102）形成在p型半导体层的下部。 在组合金属层的下部形成有基板或薄膜（101）。
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公开(公告)号：KR101249933B1
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：KR1020110076919
申请日：2011-08-02
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 감광성 금속-유기물 전구체의 열처리에 의해 패턴의 선폭 및 깊이 변경이 용이한 임프린트용 마이크로 스탬프(Micro Patterned Stamp for Imprint Lithography)를 이용한 마이크로-나노 하이브리드 스탬프 및 그 제조방법에 관한 것으로, ㎛ 또는 ㎚ 크기 단위로 패턴이 형성된 기판을 제공하는 단계, 패턴이 형성된 기판에 감광성 금속-유기물 전구체를 도포하는 단계, 몰드로 기판에 도포된 감광성 금속-유기물 전구체를 가압하여, 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성하는 단계, 감광성 금속-유기물 전구체층에서 건식 또는 습식 식각으로 몰드를 제거하는 단계, 감광성 금속-유기물 전구체층을 건식 또는 습식 식각하여, 기판 영역과 패턴 영역을 평탄화하는 단계, 패턴 영역에 매립된 금속-유기물 전구체층을 열처리하여, 패턴 영역에 ㎚ 크기 단위의 금속산화박막 패턴이 형성된 임프린트용 마이크로 스탬프(Micro Patterned Stamp for Imprint Lithography)를 취득하는 단계, 폴리머로 이루어진 스탬프용 기판을 제공하는 단계, 스탬프용 기판 상부에 자외선 경화 수지(UV Curable Resin)를 증착 또는 코팅하는 단계, 임프린트용 마이크로 스탬프(Micro Patterned Stamp for Imprint Lithography)를 이용해 자외선 경화 수지(UV Curable Resin) 상부에 다단 스탬프(Multi-Level Stamp)를 형성하여 마이크로-나노 하이브리드 스탬프를 취득하는 단계를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101205826B1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：KR1020100056268
申请日：2010-06-15
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 하나의 스탬프를 이용해 패턴 모양이나 크기가 변화된 다른 스탬프를 제조 하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 스탬프 제조 방법의 일 구성에서는 금속 원소에 빛과 열 중 적어도 어느 하나에 의하여 분해 가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체를 포함하는 무기물 레진을 스탬프용 기판에 코팅한 후, 패턴을 가진 제1 스탬프를 준비한다. 상기 제1 스탬프로 상기 무기물 레진을 가압한 후에 상기 가압된 무기물 레진에 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하여 경화된 금속 산화 박막 패턴을 형성한다. 상기 제1 스탬프를 상기 금속 산화 박막 패턴으로부터 제거한 다음, 상기 제1 스탬프의 패턴과 다른 금속 산화 박막 패턴을 가지는 제2 스탬프를 제조하기 위하여, 상기 금속 산화 박막 패턴의 모양, 선폭 및 높이 중 적어도 어느 하나를 변화시키도록 상기 금속 산화 박막 패턴을 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사한다.
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公开(公告)号：KR1020130012291A
公开(公告)日：2013-02-04
申请号：KR1020110073391
申请日：2011-07-25
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , B82B3/0038 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A 3-dimensional aligned nanostructure prepared by both imprint lithography and lift-off processes is provided to have a uniform size, various shape and constant arrangement by controlling the ratio of dry etching. CONSTITUTION: A manufacturing method a 3-dimensional aligned nanostructure comprises: a step of forming a polymer layer(102) on a substrate(101); a step of forming a photosensitive metal-organic material precursor layer on the upper part of the polymer layer; a step of preparing an imprint stamp; a step of pressurizing the photosensitive metal-organic precursor layer by the imprint stamp; and a step of forming a metal oxide thin-film pattern(105)by hardening the metal-organic precursor layer; a step of removing the imprint stamp from the metal oxide thin film pattern; a step of forming an undercut(106) by etching the polymer layer; a step of forming a metal oxide film(107); and a step of lift-offing the metal oxide thin film pattern and etching the polymer layer with an under cut.
Abstract translation: 目的：通过压印和剥离工艺制备的三维对准的纳米结构通过控制干蚀刻的比例来提供均匀的尺寸，各种形状和恒定的布置。 构成：三维排列纳米结构体的制造方法包括：在基板（101）上形成聚合物层（102）的步骤; 在聚合物层的上部形成感光性金属 - 有机材料前体层的工序; 制作印记邮票的步骤; 通过压印印模对感光金属 - 有机前体层加压的步骤; 以及通过硬化所述金属 - 有机前体层形成金属氧化物薄膜图案（105）的步骤; 从所述金属氧化物薄膜图案去除所述压印印模的步骤; 通过蚀刻聚合物层形成底切（106）的步骤; 形成金属氧化物膜（107）的步骤; 以及剥离金属氧化物薄膜图案并用下切割蚀刻聚合物层的步骤。
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公开(公告)号：KR101862076B1
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：KR1020160084879
申请日：2016-07-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/12 , G01N25/32 , H01L29/778 , H01L29/66
Abstract: 마이크로히터를구비하는센서를제조하는방법이개시된다. 마이크로히터를구비한고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법은, 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계와; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계와; 제3 기판, 및상기제3 기판상에공동구조나마이크로구멍구조를형성하고, 제 3 기판의접합을준비하는단계와; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계와; 상기제1 기판을분리한후, 제1기판이분리된에피층에마이크로히터를형성하는단계와; 상기마이크로히터구조를형성한후, 상기제3 기판의공동구조나구멍에마이크로히터가위치할수 있도록상기제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계와; 상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101836934B1
公开(公告)日：2018-03-12
申请号：KR1020160036138
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/0224
Abstract: 제1 기판상에 GaN 계열의버퍼층, p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층, p형또는 n형 GaN층, 및제1 전극을구비하는에피성장기판을준비하는단계; 제2 기판상에형성된제2 전극을구비하는접합기판을준비하는단계; 상기제1 전극과상기제2 전극이연결되도록본딩하는단계; 상기제1 기판을제거한후 상기버퍼층을제거하는단계; 및개방된상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층상에상부전극을형성하는단계를포함하는, 질화갈륨계광검출소자의제조방법및 그에의해제조된질화갈륨계광검출소자가제공된다. 본발명에따르면, 단순한공정도입및 고가의기판재활용이가능하여저가의공정으로고효율의광검출기를제조할수 있으며, 유연한소자에활용가능하고고방열특성이필요한극한환경에서도안정적으로광검출소자의제조가가능하다.
Abstract translation: 制备外延生长衬底，其包括一缓冲层，P-I-N或N-I-P的AlGaN层，p型或n型GaN层，在第一基板上的GaN系mitje的第一电极的结构的步骤; 制备具有形成在第二衬底上的第二电极的键合衬底; 将第一电极和第二电极彼此结合; 在去除第一衬底之后去除缓冲层; 并在开口p-i-n或n-i-p AlGaN层上形成上电极。 根据本发明，可以通过简单的步骤引入和昂贵的基板回收，并且能够产生与由低成本的过程中高效率的光检测器，它可以在柔性装置中使用，并且高散热性，需要一个稳定的生产光学检测chulsoja极端环境的 这是可能的。
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