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公开(公告)号：KR101582349B1
公开(公告)日：2016-01-05
申请号：KR1020140139834
申请日：2014-10-16
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/054 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은확장된광흡수영역을포함하는태양전지및 그제조방법에관한것으로서, 제1 기판을기초로생성된제1 셀, 제2 기판을기초로생성되고, 상기제1 셀보다수평면적이확장되어확장영역을갖는제2 셀, 및상기제1 셀과상기제2 셀을접착하는하나이상의본딩금속을포함하되, 상기제2 셀은상기확장영역을통해직접태양광을흡수하는것을특징으로한다. 본발명에따르면확장된광흡수영역을통해광입자를흡수함으로써, 본딩금속의면적및 하부셀결함에의해발생하는전류량손실을개선할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括扩展光吸收区域的太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括基于第一基板产生的第一单元，基于第二基板生成的具有比第一单元延伸的水平面以具有延伸区域的第二单元，以及至少一个键合金属 第一个细胞和第二个细胞。 第二个细胞通过延伸区直接吸收阳光。 根据本发明，通过扩展的光吸收区域吸收光子。 由此，可以提高接合金属的面积和由下部电池缺陷产生的电流的损失。
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公开(公告)号：KR101556089B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020140174003
申请日：2014-12-05
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L27/1203
Abstract: 본발명은 SOI 기판상에고품위의반도체에피층을형성하는방법에관한것으로서, SOI(상부실리콘층/절연물/하부실리콘층) 기판상에반도체에피층을성장하는방법에있어서, SOI(001) 기판상에에피성장이필요한부위의패터닝공정을통한상부실리콘층을제거하는제1단계와, 상기상부실리콘층을제거하고그 상층에보호막을증착하는제2단계와, 에피성장이필요한부위의패터닝공정을통해하부실리콘층의일부영역이노출되는 ART(Aspect Ratio Trapping)패턴을형성하는제3단계와, 상기 ART패턴하부에습식식각을통해하부실리콘층의 (111)면이노출되도록 AART(Arrow Aspect Ratio Trapping) 패턴을형성하는제4단계와, 상기절연물하측에상기하부실리콘층의 (111)면의노출이진행됨에따른절연물과하부실리콘층과의계면상에언더컷을형성하는제5단계및 상기 ART패턴영역과 AART패턴영역상측으로반도체층을성장시키는제6단계를포함하여이루어진것을특징으로하는 SOI(001) 기판상에반도체에피층성장방법을기술적요지로한다. 이에의해, SOI 기판상에실리콘(111)면이노출된화살표형태의트랩핑패턴을형성하여, 실리콘과반도체층간의계면에서발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는(defect free) 반도체소자를제공할수 있으며, 결함이없는(defect free) 에피층을더욱낮은두께에서얻을수 있어소자의제조가용이한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种在SOI衬底上形成高品质的半导体外延层的方法，更具体地说，涉及在SOI（顶层硅层/绝缘材料/底部硅层）衬底上生长半导体外延层的方法 。 根据本发明实施例的用于在SOI衬底上生长半导体外延层的方法包括去除顶部硅层的第一步骤，沉积保护层的第二步骤，形成纵横比捕获的第三步骤（ ART）图案，形成箭头纵横比捕获（AART）图案的第四步骤，在底部硅层和绝缘材料的界面上形成底切的第五步骤，以及在半导体层上生长半导体层的第六步骤 AART图案区域的上侧和ART图案区域。
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公开(公告)号：KR101519995B1
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020130127788
申请日：2013-10-25
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 변조 적외선 컬러 영상 획득 시스템으로서, 둘 이상의 변조 적외선 파장을 피사체에 조사하는 적외선 조사 장치; 적외선 조사 장치에 의해 조사되고 피사체에 의해 반사된 둘 이상의 변조 적외선 파장을 감지하고, 둘 이상의 변조 적외선 파장을 변환 및 조합하여 컬러 영상을 획득하는 컬러 영상 획득 장치; 및 컬러 영상 획득 장치와 미리 결정된 시간에 보정 및 동기화되고, 적외선 조사 장치의 적외선 조사 시간을 파장별로 조정하는 동기화 장치를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101441634B1
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020120057159
申请日：2012-05-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/06 , H01L33/02
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 임의의 기판 위에 버퍼를 사용하는 경우, 격자 결함이 많이 형성되는 영역에 터널 다이오드를 형성하여 격자 결함으로 인한 소자 성능 저하를 최소화할 수 있는 광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 광소자는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막과, 상기 격자 불일치 전위 영역이 저항으로만 동작하도록 상기 격자 불일치 전위를 포함하는 박막의 상부에 형성되는 터널 다이오드와, 상기 터널 다이오드 상부에 형성되는 소자층과, 상기 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과, 상기 소자층 상에 형성된 상부 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101419533B1
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020120157977
申请日：2012-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L21/26513 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/324 , H01L29/45
Abstract: 본 발명은 반도체 소자에서 접합 영역에서의 결함을 치유하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 p-Ge층을 성장시키고, 상기 p-Ge층 상층에 이온 임플란테이션을 통해 n+ Ge 영역을 형성하거나, p-Ge층 상층에 인시츄 도핑후 에칭하여 n+ Ge 영역을 형성하거나 또는 상기 p-Ge층 상층에 산화막을 증착시켜 패터닝 후 에칭하고 인시츄 도핑하여 n+ Ge층을 형성한 후, 캡핑용 산화막을 형성한 후 600℃~700℃에서 1시간 내지 3시간동안 열처리를 수행하여 전극을 증착시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 열처리 공정을 통해 n+/p 졍션(junction)에서의 Ge 결함을 치유하고, 열처리를 통해 깊어진 졍션을 상대적으로 줄일 수 있어 누설 전류를 최소화하여 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 반도체 소자의 고집적화 및 미세화 실현에 더욱 유용한 이점이 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101286254B1
公开(公告)日：2013-07-15
申请号：KR1020110075575
申请日：2011-07-29
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/683 , H01L21/288
Abstract: 본 발명은 반도체 전기 도금용 장치에 보조적인 웨이퍼 홀더 장치를 거치하여 웨이퍼(기판)를 고정해주는 장치에 관한 것으로, 웨이퍼(기판)를 고정하고, 웨이퍼(기판) 크기에 따라 상이한 길이를 가지며, 웨이퍼(기판) 크기에 따라 교체 장착 하는 금속 전극, 웨이퍼(기판)와 결합하는 웨이퍼(기판) 거치 홈 및 웨이퍼(기판) 거치 홈과 이어져 금속 전극 폭에 대응되게 생성된 전극 거치 홈을 포함하는 홀더 기판, 전극 거치 홈에 위치하고, 금속 전극과 홀더 기판을 결합하는 전극 결합 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 웨이퍼(기판)를 고정하는 전극은 전극 팁을 더 포함하고 있는데, 전극 팁은 전극 끝 부분에 위치하며, 집게 또는 클립 형태로 이루어져 있고, 하방으로 절곡되어 웨이퍼(기판)를 압박하여 고정해준다.
또한, 금속 전극은 전극 결합 부재의 지름과 대응되는 폭을 가지고 수평 또는 수직의 길이 방향으로 장공을 포함하거나, 전극 팁이 구성되어 있는 전극 측면에 전극 팁을 수용하는 팁 수용 홈을 포함함으로써 전극의 길이를 조절하여 웨이퍼(기판)를 고정하면서 웨이퍼(기판)와 접촉한다.-
公开(公告)号：KR1020130057647A
公开(公告)日：2013-06-03
申请号：KR1020110123500
申请日：2011-11-24
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/043
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/043
Abstract: PURPOSE: A multi-junction solar cell having an electric current matching structure is provided to increase the generation of current by using cells and apertures. CONSTITUTION: A second solar cell(103) is formed on a substrate. A first solar cell(105) is formed on the second solar cell. An aperture part(201) sends sunlight to the second solar cell. The aperture part is formed in a part of the first solar cell. The aperture part penetrates from the first solar cell to the second solar cell. [Reference numerals] (AA) Sunlight
Abstract translation: 目的：提供具有电流匹配结构的多结太阳能电池，以通过使用电池和孔来增加电流的产生。 构成：在基板上形成第二太阳能电池（103）。 在第二太阳能电池上形成第一太阳能电池（105）。 孔部（201）将太阳光发送到第二太阳能电池。 开口部形成在第一太阳能电池的一部分中。 开口部分从第一太阳能电池穿透到第二太阳能电池。 （附图标记）（AA）阳光
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公开(公告)号：KR101193810B1
公开(公告)日：2012-10-23
申请号：KR1020110096960
申请日：2011-09-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/047 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/047 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A multi-junction solar cell and a manufacturing method thereof are provided to prevent the reduction of a lifetime of a carrier by bonding a substrate after grid matched materials are grown on heterogeneous substrates. CONSTITUTION: A first solar cell layer(12) is deposited or grown on a first base substrate. A second base substrate(20) is made of materials which are different from the first base substrate. A second solar cell layer(22) is deposited or grown on the second base substrate. A bonding layer(30) bonds an ohmic layer formed on the first solar cell layer or the first base layer to an ohmic layer formed on the second solar cell layer or the second base layer.
Abstract translation: 目的：提供一种多结太阳能电池及其制造方法，以防止在异质基板上生长栅格匹配材料之后通过接合基板来降低载体的寿命。 构成：第一太阳能电池层（12）沉积或生长在第一基底上。 第二基底（20）由与第一基底不同的材料制成。 在第二基底衬底上沉积或生长第二太阳能电池层（22）。 接合层（30）将形成在第一太阳能电池层或第一基极层上的欧姆层与形成在第二太阳能电池层或第二基极层上的欧姆层接合。
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公开(公告)号：KR101105250B1
公开(公告)日：2012-01-17
申请号：KR1020100001525
申请日：2010-01-08
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/06
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 상대적으로 결함이 적은 n형 기판을 이용하면서, 직렬 저항을 낮출 수 있는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 n형 기판과, n형 기판 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 pn 접합을 형성하는 pn 터널 다이오드와, pn 터널 다이오드 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀과, n형 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과, 광전 변환셀 상에 형성되는 상부 전극을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020110081387A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001528
申请日：2010-01-08
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/04 , H01L21/306
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/04 , H01L21/306
Abstract: PURPOSE: A solar cell having window layer with oxidation resistance is provided to implement a window with desired thickness by allowing a second window and a cap to have different etch selectivity to prevent the second window from being etched. CONSTITUTION: In a solar cell having window layer with oxidation resistance, a photovoltatic conversion cell(720) is formed on a substrate and converts an optical signal into an electrical signal. A first window layer(731) is formed on the photovoltatic conversion cell and is comprised of a compound semiconductor containing aluminum. A second window layer(732) is formed on the first window and is made of a fire resistance material. The cap layer is formed on the second window layer. The top electrode is formed on the bottom electrode and the cap layer. The second window layer has a different etch selectivity from the cap layer.
Abstract translation: 目的：提供具有耐氧化性的窗口层的太阳能电池，以通过允许第二窗口和盖具有不同的蚀刻选择性以防止第二窗口被蚀刻来实现具有期望厚度的窗口。 构成：在具有耐氧化窗口的太阳能电池中，在基板上形成光电转换元件（720），并将光信号转换为电信号。 第一窗口层（731）形成在光电转换单元上，并由包含铝的化合物半导体构成。 在第一窗口上形成第二窗口层（732）并由耐火材料制成。 盖层形成在第二窗口层上。 顶部电极形成在底部电极和盖层上。 第二窗口层具有与盖层不同的蚀刻选择性。
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