액체공급장치
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019930014836A

    公开(公告)日:1993-07-23

    申请号:KR1019920023980

    申请日:1992-12-11

    Abstract: 현상액 공급장치는 현상액 공급노즐과, 웨이퍼를 지지하기 위한 회전척과 공급노즐이 대기하기 위한 홀더를 구비한다. 공급노즐은, 반송부재에 의하여 척상방의 공급위치와 홀더상의 대기위치와의 사이를 반송한다. 공급노즐은 현사액의 수납공간과 연결되어 통하는 여러 개의 구멍이 형성된 노즐팁을 가진다. 홀더내는 상기 구멍열을 따라서 영장되는 통을 가진다. 통은 노즐팁으로부터 떨어지는 현상액 방울과 접하여 이것을 제거하도록 배치된다. 통의 저부에는 현상액을 배제하기 위한 여러개의 구멍이 배열 형성된다.

    기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
    33.
    发明授权
    기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 有权
    基板处理系统基板处理方法和计算机存储介质

    公开(公告)号:KR101629627B1

    公开(公告)日:2016-06-13

    申请号:KR1020157035296

    申请日:2014-05-30

    CPC classification number: H01L21/67219 H01L21/67173 H01L21/67178

    Abstract: 기판처리시스템(1)은, 처리스테이션(3)과반입출스테이션(2)을갖는다. 상기처리스테이션(3)은, 기판의이면을연삭하는연삭장치(30, 31)와, 상기연삭장치(30, 31)로연삭함으로써기판의이면에형성된손상층을제거하는손상층제거장치(32)와, 상기손상층제거장치(32)로상기손상층을제거한후, 지지기판의이면을세정하는세정장치(33)와, 각장치에대하여기판을반송하기위한기판반송영역(50)을갖는다. 각장치는, 각각연직방향또는수평방향으로복수배치가능하다. 각장치는, 각각내부에기판을수용하는케이스(30a, 31a, 32a, 33a, 200a, 201a, 202a)를구비하고, 각각독립적으로상기케이스내에서기판에미리정해진처리를행한다.

    기판 처리에 있어서의 배기 장치
    35.
    发明授权
    기판 처리에 있어서의 배기 장치 有权
    衬底加工中的排气装置

    公开(公告)号:KR101084457B1

    公开(公告)日:2011-11-21

    申请号:KR1020060096982

    申请日:2006-10-02

    CPC classification number: H01L21/67225

    Abstract: 본 발명의 과제는 배기 유체 중 이물질의 수집을 확실하게 하는 동시에, 수집량의 증대를 도모할 수 있고, 또한 장치의 소형화를 도모할 수 있게 한 배기 장치를 제공하는 것이다.
    피처리 기판인 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 밀폐 용기(54) 내에 공급되어 처리에 제공되는 유체를 배기하는 배기 장치에 있어서, 배기관(68)을 거쳐서 밀폐 용기에 접속되는 동시 하단부가 폐색되는 외부 배기통(71) 내에, 상기 외부 배기통 내를 흐르는 배기 유체를 하방으로 안내하는 하류 안내로(201)와, 상기 하류 안내로를 흐른 배기 유체를 상방에 안내하는 동시에 배기 유체 중의 이물질 등을 중력 침강시키는 상류 안내로(202)와, 상기 상류 안내로를 흐르는 배기 유체를 하방 외부로 안내하는 배출로(203)를 구비하고, 배출로에 배기 수단인 이젝터(100)를 끼워 설치한다.
    외부 배기통, 반도체 웨이퍼, 하류 안내로, 배출로, 상류 안내로, 이젝터

    기판 처리 시스템 및 그 제어 방법
    36.
    发明授权
    기판 처리 시스템 및 그 제어 방법 有权
    基板处理系统及其控制方法

    公开(公告)号:KR101061607B1

    公开(公告)日:2011-09-01

    申请号:KR1020060046127

    申请日:2006-05-23

    CPC classification number: H01L21/67178 H01L21/67184 H01L21/6719

    Abstract: 본 발명의 과제는 기판에 처리액을 이용한 처리를 각각 행하는 복수의 모듈이 다단으로 포개져 설치되고, 상기 복수의 모듈에 대해 처리액을 분배 공급하는 기판 처리 시스템에 있어서, 각 모듈에 있어서의 처리액의 토출 정밀도를 동일하게 하여 막 두께 프로파일을 다른 모듈로 동일하게 하고, 또한 노즐로부터의 토출시에 처리액 내에 발포 기체를 포함하지 않는 디스펜스 기구를 구비하는 기판 처리 시스템 및 그 제어 방법을 제공하는 것이다.
    기판에 처리액을 이용한 처리를 각각 행하는 복수의 모듈이 다단으로 적층되어 설치되고, 상기 복수의 모듈에 대해 처리액을 분배 공급하는 디스펜스 기구를 구비하는 기판 처리 시스템(50)이며, 상기 디스펜스 기구는 처리액이 수용된 처리액 공급원(30)과, 상기 처리액 공급원(30)을 가압함으로써 처리액을 압송하는 가압 수단과, 상기 복수의 모듈의 옆에 각각 배치되고 상기 가압 수단에 의해 상기 처리액 공급원(30)으로부터 압송된 처리액을 내부에 저류하는 펌프(34)와, 상기 처리액 공급원(30)과 상기 적층되는 복수의 모듈의 높이 방향으로 배치되는 상기 펌프(34) 사이를 접속하고 처리액을 통액하는 양정부 배관과, 상기 각각의 펌프(34)에 대응하는 각 모듈에 있어서 처리액을 토출하는 노즐(Nz)을 구비하고, 상기 각각의 펌프(34)는 펌프(34)의 송출구로부터 각 펌프(34)에 대응하는 노즐(Nz)의 토출구까지의 배관 거리가 모두 동등해지도록 배치되어 있다.
    노즐, 펌프, 처리액 공급원, 기판 처리 시스템, 디스펜스 기구

    Abstract translation: 本发明的一个目的是为使用所述处理溶液以各自在设置为多级重叠在基板,用于提供相对于分配处理液到所述多个模块,每个模块的处理执行处理,在基板处理系统中的多个模块的 而且,在从喷嘴喷出液体时,在处理液中不包含发泡气体的分注机构及其控制方法。 会的。

    기판 처리에 있어서의 배기 장치
    37.
    发明公开
    기판 처리에 있어서의 배기 장치 有权
    衬底加工中的排气装置

    公开(公告)号:KR1020070038007A

    公开(公告)日:2007-04-09

    申请号:KR1020060096982

    申请日:2006-10-02

    CPC classification number: H01L21/67225 G03F7/168 H01L21/67098

    Abstract: 본 발명의 과제는 배기 유체 중 이물질의 수집을 확실하게 하는 동시에, 수집량의 증대를 도모할 수 있고, 또한 장치의 소형화를 도모할 수 있게 한 배기 장치를 제공하는 것이다.
    피처리 기판인 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 밀폐 용기(54) 내에 공급되어 처리에 제공되는 유체를 배기하는 배기 장치에 있어서, 배기관(68)을 거쳐서 밀폐 용기에 접속되는 동시 하단부가 폐색되는 외부 배기통(71) 내에, 상기 외부 배기통 내를 흐르는 배기 유체를 하방으로 안내하는 하류 안내로(201)와, 상기 하류 안내로를 흐른 배기 유체를 상방에 안내하는 동시에 배기 유체 중의 이물질 등을 중력 침강시키는 상류 안내로(202)와, 상기 상류 안내로를 흐르는 배기 유체를 하방 외부로 안내하는 배출로(203)를 구비하고, 배출로에 배기 수단인 이젝터(100)를 끼워 설치한다.
    외부 배기통, 반도체 웨이퍼, 하류 안내로, 배출로, 상류 안내로, 이젝터

    기판 처리 시스템 및 그 제어 방법
    38.
    发明公开
    기판 처리 시스템 및 그 제어 방법 有权
    基板处理系统和控制方法

    公开(公告)号:KR1020060135496A

    公开(公告)日:2006-12-29

    申请号:KR1020060046127

    申请日:2006-05-23

    Abstract: A substrate processing system and a method for controlling the same are provided to equalize a thickness profile of a film at all modules by maintaining discharge precision of a processing liquid at each module. A substrate processing system includes a dispenser tool having a processing liquid supply source(30). A pressurizing member pressurizes the processing liquid supply source to forcibly feed a processing liquid. Pumps(34) are disposed adjacent plural modules. A pipeline connects the processing liquid supply source with the pumps. Each of the modules has a nozzle for spraying the processing liquid. Each of the pumps is disposed in such a way that a piping distance from an outlet of the pump to an outlet port of the nozzle is equal.

    Abstract translation: 提供了一种基板处理系统及其控制方法,用于通过维持每个模块处理液的排出精度来均衡所有模块上的薄膜厚度分布。 基板处理系统包括具有处理液供给源(30)的分配器工具。 加压构件使加工液供给源加压,强制进料处理液。 泵(34)设置在多个模块附近。 管道将处理液体供应源与泵连接。 每个模块具有用于喷射处理液体的喷嘴。 每个泵设置成使得从泵的出口到喷嘴的出口的管道距离相等。

    처리액공급기구및처리액공급방법

    公开(公告)号:KR100539187B1

    公开(公告)日:2006-03-20

    申请号:KR1019970073699

    申请日:1997-12-24

    Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
    처리액 공급기구
    2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
    다수개의 처리장치로 처리액을 공급할 수 있으며, 탈기부재가 처리액에 침지되어 있음으로써, 높은 효율로 현상액을 탈기할 수 있는 신규하고 개선된 처리액 공급기구를 제공함.
    3. 발명의 해결방법의 요지
    처리액을 담은 탱크와, 탱크로부터 장치로 처리액을 공급하기 위한 공급경로와, 처리장치내에 마련된 처리액 토출부재로 처리액을 공급하기 위하여 공급경로에 접속된 분기경로 및 분기경로에 마련된 밸브로 각각 구성된다. 밸브들은 상호간에 하나의 처리장치의 처리액 토출부재가 기판에 처리액을 토출하는 동안 다른 장치의 처리액 토출부재가 기판에 처리액을 토출하도록 상기 분기경로를 개폐하기 위하여 제어된다.
    4. 발명의 중요한 용도
    반도체제조장치등의 레지스트도포막 현상처리장치등에 사용됨.

    기판처리장치
    40.
    发明授权
    기판처리장치 有权
    用于处理基板的装置

    公开(公告)号:KR100510964B1

    公开(公告)日:2005-08-31

    申请号:KR1019990045243

    申请日:1999-10-19

    Abstract: 기판처리장치는, 복수의 기판을 수납한 카세트가 출입하는 카세트스테이션과, 이 카세트스테이션에 설치되어, 카세트로부터 기판을 꺼내고, 카세트에 기판을 넣는 서브반송아암기구와, 카세트 스테이션에서 받아들인 복수의 기판을 동시에 병행처리하는 처리스테이션을 구비하며, 상기 처리스테이션은, 카세트스테이션에 인접하여 설치되어, 기판을 처리하는 복수의 제 1 처리유니트를 가진 전단(前段)의 스테이션블록과, 이 전단의 스테이션블록에 설치되어, 서브반송아암기구와의 사이에서 기판을 받아넘기고, 제 1 처리유니트에 기판을 출입시키는 제 1 주반송아암기구와, 전단의 스테이션블록에 인접하여 설치되어, 기판을 처리하는 복수의 제 2 처리유니트를 갖는 후단(後段)의 스테이션블록과, 이 후단의 스테이션블록에 설치되어, 제 1 주반송아� ��기구와의 사이에서 기판을 받아넘기고, 제 2 처리유니트에 기판을 출입시키는 제 2 주반송아암기구를 구비하며, 복수의 제 1 처리유니트와 제 1 주반송아암기구의 상대적인 위치관계와, 복수의 제 2 처리유니트와 제 2 주반송아암기구의 상대적인 위치관계는 실질적으로 동일하고, 또한 제 1 주반송아암기구는 후단의 스테이션블록에 속하는 제 2 처리유니트의 적어도 하나에도 기판을 직접 출입시킬 수 있다.

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