公开(公告)号：KR100788061B1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：KR1020067014884

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

Abstract: 플라즈마 CVD를 이용하여 피처리 기판(W) 상에 소정 박막을 형성하는 성막 방법은 제 1 및 제 2 단계를 교대로 1회 이상씩 실시한다. 제 1 단계에서는 기판(W)을 수납하는 처리 챔버(51) 내에 박막의 성분을 포함하는 화합물 가스와 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 1 플라즈마를 생성한다. 제 2 단계에서는 제 1 단계에 이어서, 처리 챔버(51) 내에 상기 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 2 플라즈마를 생성한다.

公开(公告)号：KR100776057B1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：KR1020060105843

申请日：2006-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미히사시 ,  사이토데츠야 ,  가케가와다카시 ,  마세다카히사 ,  고이즈미마코토 ,  다다구니히로 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  쳉팡

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 본 발명의 과제는 CVD 장치 등에 이용되고, 니켈 부재를 조립하여 구성되는 가스 샤워헤드(가스 공급 장치)에 있어서, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 부착을 방지하는 것이다. 다수의 가스 공급 구멍이 형성된 니켈 부재로 이루어지는 샤워 플레이트와, 이 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 통류 공간이 형성되는 동시에 처리 용기의 천정부의 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되는 니켈 부재로 이루어지는 베이스 부재를, 서로 주연부에서 나사로 접합하는 데 있어서, 서로의 접합면 사이에 니켈 부재와는 다른 재질, 예를 들어 하스텔로이나 카본 등의 중간 부재를 개재시킨다.

公开(公告)号：KR1020070108952A

公开(公告)日：2007-11-13

申请号：KR1020077023634

申请日：2004-05-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  나루시마겐사쿠

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/08 ,  C23C16/56

Abstract: A titanium silicide film (4) is formed on an Si wafer (1). First, an Si wafer (1) is processed by plasma using high frequency wave. Next, a Ti-containing material gas is supplied onto the plasma-processed Si-containing portion to generate plasma and form a Ti film, and a titanium silicide film (4) is formed by the reaction between the formed Ti film and Si in the Si-containing portion. The Si wafer (1) is plasma-processed while a DC bias voltage (Vdc) of at least 200 V in absolute value is being applied to the Si wafer (1).

Abstract translation: 在Si晶片（1）上形成硅化钛膜（4）。 首先，使用高频波等离子体处理Si晶片（1）。 接下来，将含Ti材料气体供给到等离子体处理的含Si部分上以产生等离子体并形成Ti膜，并且通过在形成的Ti膜和Si之间的反应形成硅化钛膜（4） 含Si部分。 将Si晶片（1）进行等离子体处理，同时将绝对值为至少200V的直流偏置电压（Vdc）施加到Si晶片（1）。

公开(公告)号：KR1020070104254A

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：KR1020070038216

申请日：2007-04-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이타카유키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  오카베신야

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/5093 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856

Abstract: A method of depositing a Ti film and a computer readable storage medium are provided to reduce charge-up damage caused by an electron shading effect by decreasing an amount of ion reaching to a bottom of a hole. A wafer provided with a hole having a diameter of 0.13 micrometers or less and/or an aspect ratio of 10 or more is placed in a chamber(1) having a pair of parallel plate electrodes(8). While a processing gas containing TiCl4 gas, H2 gas and Ar gas is introduced into the chamber, a high-frequency power is supplied to any one of the parallel plate electrodes, and a plasma is formed between the parallel plate electrodes. A Ti film is deposited on the wafer by accelerating reaction of the processing gas using the plasma. The Ti film is deposited by reducing the amount of ions reaching a bottom of the hole when the plasma is formed by controlling a flow rate of Ar gas by up to 1600 mL/min or controlling partial pressure of Ar gas by up to 816.54Pa.

Abstract translation: 提供沉积Ti膜和计算机可读存储介质的方法，以通过减少到达底部的离子的量来减少由电子阴影效应引起的充电损伤。 在具有一对平行平板电极（8）的室（1）中放置具有直径为0.13微米以下和/或10以上的长径比的孔的晶片。 当将含有TiCl 4气体，H 2气体和Ar气体的处理气体引入室内时，向平行板电极中的任一个供给高频电力，在平行板电极之间形成等离子体。 通过使用等离子体加速处理气体的反应，在晶片上沉积Ti膜。 通过将Ar气的流量控制高达1600mL / min，或者将Ar气体的分压控制在816.54Pa以下，通过减少到形成等离子体时的离子底部的离子量来沉积Ti膜。

公开(公告)号：KR100735938B1

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020067007190

申请日：2005-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76856 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

Abstract: 기저의 니켈 실리사이드 막 표면을 청정화한 후, Ti 화합물 가스를 이용하여 CVD에 의해 막 두께 2nm 이상 10nm 미만의 Ti막을 성막하고, 이 Ti막을 질화하며, 또한 질화 후의 Ti막 상에 Ti 화합물 가스 및 N과 H를 포함하는 가스를 이용하여 CVD에 의해 TiN막을 성막한다.

公开(公告)号：KR1020070046749A

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：KR1020060105843

申请日：2006-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미히사시 ,  사이토데츠야 ,  가케가와다카시 ,  마세다카히사 ,  고이즈미마코토 ,  다다구니히로 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  쳉팡

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 본 발명의 과제는 CVD 장치 등에 이용되고, 니켈 부재를 조립하여 구성되는 가스 샤워헤드(가스 공급 장치)에 있어서, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 부착을 방지하는 것이다. 다수의 가스 공급 구멍이 형성된 니켈 부재로 이루어지는 샤워 플레이트와, 이 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 통류 공간이 형성되는 동시에 처리 용기의 천정부의 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되는 니켈 부재로 이루어지는 베이스 부재를, 서로 주연부에서 나사로 접합하는 데 있어서, 서로의 접합면 사이에 니켈 부재와는 다른 재질, 예를 들어 하스텔로이나 카본 등의 중간 부재를 개재시킨다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是被用于CVD装置，气体喷头（气体供给单元）通过组装镍构件和防止由于高温镍部件之间的粘合配置。 多个由镍部件的喷淋板的形成有气体供给孔，则在所形成的工艺气体的通流面积，包括镍构件被气密地安装于处理容器底部构件的所述开口的顶部的周缘部的同时喷淋板之间设置 一个，根据在彼此的周缘部的螺纹接头中，每个镍构件和中间构件的表面之间的接合被插入，例如不同的材料，如Hastelloy或碳。

公开(公告)号：KR1020040108778A

公开(公告)日：2004-12-24

申请号：KR1020047017827

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/08 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

Abstract: 플라즈마 CVD를 이용하여 피처리 기판(W) 상에 소정 박막을 형성하는 성막 방법은 제 1 및 제 2 단계를 교대로 1회 이상씩 실시한다. 제 1 단계에서는 기판(W)을 수납하는 처리 챔버(51) 내에 박막의 성분을 포함하는 화합물 가스와 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 1 플라즈마를 생성한다. 제 2 단계에서는 제 1 단계에 이어서, 처리 챔버(51) 내에 상기 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 2 플라즈마를 생성한다.

公开(公告)号：KR101926228B1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：KR1020160125825

申请日：2016-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야기히로노리 ,  나루시마겐사쿠 ,  마츠야마아츠나리

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C23C16/448 ,  C23C16/52

Abstract: 본 발명의 과제는 고체 원료를 기화한 가스를 포함하는 원료 가스를 성막 처리부에 공급할 때, 기화된 원료 공급량을 안정시키는 기술을 제공하는 것이다. 해결 수단으로서, 원료 용기(14)에 캐리어 가스를 공급하기 위한 캐리어 가스 공급로(12)에 MFC(1)를 마련하고, 원료 가스 공급로(32)에 MFM(3)을 마련하고 있다. 또한, 원료 가스 공급로(32)에 희석 가스를 공급하기 위한 희석 가스 공급로(22)에 MFC(2)를 마련하고 있다. 그리고, MFM(3)의 측정값으로부터의 MFC(1) 측정값과 MFC(2)의 측정값의 합계값을 뺀 오프셋 값을 구하고, MFM(3)의 측정값으로부터 MFC(1)의 측정값 및 MFC(2)의 측정값의 합계값을 뺀 값에서, 오프셋 값을 빼서 원료 유량의 실측값을 구하고 있다. 그리고, 원료 유량의 실측값과 원료의 목표값의 차분에 따라, MFC(1)의 설정값을 조정하고 캐리어 가스의 유량을 조정하여, 원료 가스에 포함되는 원료의 양을 조정한다.

公开(公告)号：KR101785783B1

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：KR1020150093138

申请日：2015-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도다사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109

Abstract: 벽부(62)에의해에칭영역이구획된 SiO층(61)을하층에도달하기전의도중단계까지에칭하는것에즈음하여, 러프니스및 마이크로로딩을개선한다. 처리용기(1)에탑재된웨이퍼(W)에대해, HF 가스와 NH가스를미리혼합한혼합가스를간헐적으로공급한다. 혼합가스를간헐적으로공급함으로써, 혼합가스와 SiO의반응생성물에의해형성되는보호막이혼합가스의공급정지기간에진공배기에의해승화(휘발)한다. 그때문에, 패턴의소밀에관계없이, 에칭속도가동일하여, 마이크로로딩이개선된다. 또한, HF 가스와 NH가스를미리혼합하여웨이퍼(W)에공급함으로써, 웨이퍼(W)의표면에부착되는 HF 농도의편차가억제되어, 러프니스가개선되는동시에, 마이크로로딩의가일층의개선을도모할수 있다.

Abstract translation: 上的到达的SiO层61，由所述壁部62的下部层上定义的蚀刻区域，从而提高了粗糙度和微负载之前期间的相位被称为的场合。 预先混合了HF气体和NH 3气体的混合气体被间歇地供给到载置在处理容器1上的晶片W. 由通过对由混合气体的反应产物和SiO形成的混合气体的供给停止期间的真空排气间歇地供给的混合气体中，（易失性）升华保护膜。 因此，不管图案的密度如何，蚀刻速度是相同的，并且微负载被改善。 此外，HF气体和通过将所述混合物供给到晶片（W）的预先NH气体，被抑制，其中附着在晶片（W）的表面HF浓度的变化，同时，所述粗糙度得以改善，微负载的gailcheung的改善 我可以做到。

公开(公告)号：KR1020160094310A

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：KR1020160010166

申请日：2016-01-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  호타다카노부 ,  마루야마도모히사 ,  아이바야스시

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 원료가스로서 WCl가스를이용한 ALD 법에의해, 높은생산성으로매립성이양호한텅스텐막을성막할수 있는텅스텐막의성막방법을제공한다. 피처리기판이수용되며, 감압분위기하에보지된챔버내에, 텅스텐원료가스로서의염화텅스텐가스, 및염화텅스텐가스를환원하는환원가스를, 챔버내의퍼지를사이에두고교대로공급하는 ALD 법에의해피처리기판의표면에텅스텐막을성막할때, 염화텅스텐가스를공급할때에, ALD 반응이주체가될 정도로환원가스를첨가한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够通过使用WCl 6气体作为源气体的原子层沉积（ALD）定律沉积生产率高的钨膜的钨膜沉积方法。 在减压环境下，在含有工艺靶向衬底的腔室中，通过提供还原气体的ALD将钨膜沉积在过程靶向衬底的表面上，将钨气体作为钨源气体还原， 氯化钨气体。 并且当提供氯化钨气体时，加入还原气体直到ALD反应成为受试者。