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    정전척
    34.
    发明公开
    정전척 有权
    静电卡

    公开(公告)号：KR1020050054831A

    公开(公告)日：2005-06-10

    申请号：KR1020040100147

    申请日：2004-12-02

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 니시모토신야 ,  나카야마히로유키 ,  기무라히데토시

    IPC: H01L21/68

    CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/6831

    Abstract: 본 발명은 정전기력을 사용하여 웨이퍼(W)를 흡착하는 정전척(16)에 관한 것으로, 정전척(16)은, 웨이퍼(W)와 접촉하는 복수의 돌기부(16C)를 갖고, 그리고 돌기부(16C)를, 1∼2㎛의 평균 입자직경을 갖는 알루미나 결정 입자를 포함하는 세라믹 유전체(16A)에 의해 형성함과 더불어, 돌기부(16C)의 웨이퍼(W)와의 접촉면을 입자직경에 의존하는 표면 조도의 Ra 02∼0.3㎛로 형성한다. 본 발명에 의하면, 리프터 핀에 의해 웨이퍼(W)가 튀어오르는 문제가 해결되며, 웨이퍼(W) 면내의 온도를 균일하게 제어하는 것이 가능하다.

    기판 처리 장치 및 배기 방법
    38.
    发明授权
    기판 처리 장치 및 배기 방법 有权
    基板加工设备及其排气方法

    公开(公告)号：KR101453123B1

    公开(公告)日：2014-10-27

    申请号：KR1020100024310

    申请日：2010-03-18

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 야마와쿠준 ,  오이카와준지 ,  나카야마히로유키

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/67017

    Abstract: 본 발명은 처리실 용기(챔버)로부터 배출되는 배출 가스에 포함되는 대전한 파티클이 배기유로의 내벽면에 부착되는 것에 의한 배기유로의 막힘을 방지할 수 있는 배기 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 처리 대상의 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(50)와, 챔버(50)의 용기내 가스를 배기하는 배기유로(51)와, 배기유로(51)에 가스 유통 방향을 따라서 순차적으로 마련된 드라이 펌프(52) 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치(53)를 갖는 기판 처리 장치의 챔버(50)의 용기내 가스를 배기하는 배기 방법에 있어서, 배기유로(51)를 흐르는 배기가스에, 드라이 펌프(52)의 상류측의 배기유로(51)에 접속된 이온화가스 공급관(55)으로부터 이온화가스를 공급해서 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하고, 배기가스와 함께 계외로 배출한다.

    기판 처리 장치
    39.
    发明公开
    기판 처리 장치 无效
    基板加工设备

    公开(公告)号：KR1020110131157A

    公开(公告)日：2011-12-06

    申请号：KR1020110109965

    申请日：2011-10-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 나카야마히로유키 ,  혼다마사노부 ,  마스자와겐지 ,  이와타마나부

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541

    Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to increase electron density on the peripheral part of a mounted wafer by concentrically emitting a secondary electron from a second electron emission side towards the peripheral part of the mounted wafer. CONSTITUTION: A process chamber(11) accepts a substrate(W). A shower head(30) is placed in the ceiling portion of the process chamber. A susceptor(12) is arranged within the process chamber. A electrostatic chuck(24) has an electrostatic plate(23) inside and is placed on the susceptor. A exhaust passage(13) serves as a passage which discharges a gas in a process space from the process chamber. An exhaust plate(14) captures the plasma generated in a reaction chamber(15) and prevents the plasma form being leaked to a discharging chamber(16).

    Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，用于通过从第二电子发射侧向安装的晶片的周边部分同时发射二次电子来增加安装晶片的周边部分上的电子密度。 构成：处理室（11）接受基底（W）。 淋浴头（30）放置在处理室的顶部。 基座（12）布置在处理室内。 静电吸盘（24）内部具有静电板（23）并放置在基座上。 排气通道（13）用作从处理室排出处理空间中的气体的通道。 排气板（14）捕获在反应室（15）中产生的等离子体，并防止等离子体形式泄漏到排放室（16）。

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 에칭 방법
    40.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 에칭 방법 有权
    等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法

    公开(公告)号：KR101088969B1

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：KR1020090026118

    申请日：2009-03-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 혼다마사노부 ,  마스자와겐지 ,  나카야마히로유키 ,  이와타마나부 ,  사토마나부 ,  나리시게가즈키

    IPC: H01L21/3065

    Abstract: 본 발명은 피처리 기판상의 전자 밀도 혹은 프로세스 특성의 분포 특성을 용이하고 또한 자유롭게 제어할 수 있는 플라즈마 처리 장치, 특히 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치 및 이것을 사용하는 플라즈마 에칭 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 용량 결합형 플라즈마 처리 장치는 상부 전극을 직경 방향에서 내측 상부 전극(60)과 외측 상부 전극(62)으로 2분할하고, 2개의 가변 직류 전원(80, 82)으로부터 독립된 제 1 및 제 2 직류 전압 V
    C , V
    E 를 양 상부 전극(60, 62)에 동시에 인가하도록 하고 있다. 이들 2개의 직류 전압 V
    C , V
    E 의 조합을 적절히 선택하는 것에 의해, 각종 어플리케이션(application)에 있어서 플라즈마 프로세스나 에칭 특성의 균일성을 향상시킬 수 있다.

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