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公开(公告)号：KR100860683B1
公开(公告)日：2008-09-26
申请号：KR1020040074054
申请日：2004-09-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: 본 발명의 과제는 불순물의 관통을 방지하는 것이 가능한 절연층을 형성할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
표면에 SiO
2 막, 혹은 SiON막으로 이루어지는 베이스막이 형성되어 있는 복수매의 피처리체(W)에 성막을 실시하는 방법에 있어서, 복수매의 피처리체를 소정의 간격을 두고 다단으로 수용한 처리 용기 내에 디클로로실란, 헥사클로로디실란, 테트라클로로실란으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 원료 가스와 암모니아 가스를 교대로 복수회 반복해서 공급하여 낮은 프로세스 온도에서 베이스막 상에 얇은 실리콘 질화막을 적층하도록 성막한다. 이에 의해, 적층 실리콘 질화막의 막질이 개선되어 불순물의 관통을 대폭으로 억제한다.
베이스막, 적층 실리콘 질화막, CVD 절연층, 반도체 웨이퍼-
公开(公告)号：KR1020060097672A
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020060022476
申请日：2006-03-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/509
Abstract: 본 발명의 반도체 처리용 성막 장치는 처리 가스를 처리 영역 내에 공급하는 처리 가스 공급 시스템을 포함한다. 처리 가스 공급 시스템은 제1 및 제3 처리 가스를 혼합하여 혼합 가스를 형성하는 가스 혼합 탱크와, 가스 혼합 탱크로부터 처리 영역에 혼합 가스를 공급하는 혼합 가스 공급 라인과, 가스 혼합 탱크를 경유하지 않고 처리 영역에 제2 처리 가스를 공급하는 제2 처리 가스 공급 라인을 갖는 제2 처리 가스 공급계와, 혼합 가스 공급 라인 및 제2 처리 가스 공급 라인에 각각 배치된 제1 및 제2 개폐 밸브를 포함한다. 제어부는 혼합 가스와 제2 처리 가스를 처리 영역에 대해 교대로 펄스형으로 공급하도록 제1 및 제2 개방 밸브의 개폐를 제어한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 회전축, 테이블Abstract translation: 本发明的用于半导体加工的成膜设备包括用于将处理气体供应到处理区域中的处理气体供应系统。 工艺气体供应系统包括：气体混合罐，用于混合第一和第三处理气体以形成混合气体;混合气体供应管线，用于将混合气体从混合气罐供应到处理区域; 第二处理气体供应系统，具有用于向处理区域供应第二处理气体的第二处理气体供应管路，以及分别设置在混合气体供应管路和第二处理气体供应管路中的第一开关阀和第二开关阀 的。 控制单元控制第一打开阀和第二打开阀的打开和关闭，以便以脉冲方式交替地将混合气体和第二处理气体供给到处理区域。
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公开(公告)号：KR1020060053275A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050096766
申请日：2005-10-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/304
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 열처리 장치 내에 부착된 반응 생성물을 효율적으로 제거할 수 있는 박막 형성 장치의 세정 방법 및 박막 형성 장치를 제공한다. 열처리 장치(1)의 제어부(100)는 반응관(2) 내를 400 ℃ 내지 700 ℃로 가열하는 동시에, 처리 가스 도입관(17)으로부터 불소와 불화수소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 부착물을 제거한다.
열처리 장치, 반응관, 배기구, 진공 펌프, 덮개-
公开(公告)号：KR1020060044813A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：KR1020050025304
申请日：2005-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/3185
Abstract: A method of using a film formation apparatus for a semiconductor process includes removing by a cleaning gas a by-product film deposited on an inner surface of a reaction chamber of the film formation apparatus, and then chemically planarizing the inner surface of the reaction chamber by a planarizing gas. The inner surface contains as a main component quartz or silicon carbide. The removing is performed while supplying the cleaning gas into the reaction chamber, and setting the reaction chamber at a first temperature and first pressure to activate the cleaning gas. The planarizing is performed while supplying the planarizing gas into the reaction chamber, and setting the reaction chamber at a second temperature and second pressure to activate the planarizing gas. The planarizing gas contains fluorine and hydrogen fluoride. The second temperature is within a range of from 300 to 800° C.
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公开(公告)号：KR1020050028321A
公开(公告)日：2005-03-22
申请号：KR1020040074054
申请日：2004-09-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: A film forming method is provided to greatly control penetration of impurities and avoid a shift of a flat band voltage or deterioration of mobility by forming a thin silicon nitride layer. A plurality of objects to be processed are received at regular intervals in a receptacle. One of material gas selected from a group of a dichlorosilane, hexachlorodisilane and tetrachlorosilane and ammonia gas are alternatively and repeatedly supplied to stack a thin silicon nitride layer on a base layer at a low process temperature.
Abstract translation: 提供了一种成膜方法以大大地控制杂质的渗透，并通过形成薄的氮化硅层来避免平带电压的偏移或迁移率的劣化。 待处理的多个物体以规则的间隔接收在容器中。 交替地并且重复地提供选自二氯硅烷，六氯二硅烷和四氯硅烷和氨气中的一种材料气体，以在低的工艺温度下在基底层上堆叠薄的氮化硅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101196576B1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：KR1020080099372
申请日：2008-10-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28035 , C23C16/24 , C23C16/56 , H01L21/0257 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02667
Abstract: 본 발명은 인 또는 붕소가 도프된 폴리실리콘막을 형성하는 폴리실리콘막의 형성 방법은, 반응 용기 내에 피처리 기판을 배치하고, 피처리 기판을 감압 분위기 하에서 가열하면서, 실리콘 성막용 가스와, 인 또는 붕소를 막 중에 도프하기 위한 가스와, 폴리실리콘 결정의 주상화를 막고 폴리실리콘 결정의 미세화를 촉진하는 성분을 포함하는 입경 조정용 가스를 상기 반응 용기 내에 도입하고, 상기 피처리 기판 상에 인 또는 붕소가 도프된 실리콘막을 퇴적하는 공정을 구비한다.
인, 붕소, 폴리실리콘막, 피처리 기판, 반응 용기-
公开(公告)号：KR101131709B1
公开(公告)日：2012-04-03
申请号：KR1020080071966
申请日：2008-07-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/26 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45542 , H01L21/02115 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3141 , H01L21/3146 , H01L21/31612
Abstract: 반도체 처리용 성막 방법은 성막 장치의 처리 용기 내에 복수매의 피처리체를 수직 방향으로 간격을 두고 수용한다. 다음에, 처리 용기 내를 제1 감압 상태로 설정하는 동시에 처리 용기 내에 탄화수소 가스를 포함하는 제1 성막 가스를 공급하여 CVD에 의해 피처리체 상에 카본막을 성막한다. 다음에, 처리 용기 내를 상기 제1 감압 상태로부터 감압 상태로 유지한 상태에서 상기 처리 용기 내를 제2 감압 상태로 설정하는 동시에 처리 용기 내에 유기계 실리콘 소스 가스를 포함하는 제2 성막 가스를 공급하여 CVD에 의해 카본막 상에 Si계 무기막을 성막한다.
자성 유체 밀봉부, 플라즈마 생성 기구, 플라즈마 구획벽, 고주파 전원, 퍼지 가스 공급 배관-
公开(公告)号：KR100983452B1
公开(公告)日：2010-09-20
申请号：KR1020080135449
申请日：2008-12-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/56 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/3185
Abstract: 실리콘 질화막의 형성 방법은, 우선 반응 용기의 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 질화막을 퇴적한다. 여기서, 제1 시간에 걸쳐 처리 영역 내에 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 공급하는 동시에, 처리 영역을 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다. 다음에, 처리 영역 내에서 실리콘 질화막의 표면을 질화한다. 여기서, 제1 시간보다 짧은 제2 시간에 걸쳐, 처리 영역 내에 제1 처리 가스를 공급하지 않고 질화 가스를 포함하는 표면 처리 가스를 공급하는 동시에, 처리 영역을 제2 온도 및 제2 압력으로 설정한다.
처리 용기, 웨이퍼 보트, 매니폴드, 가스 노즐, 승강 기구Abstract translation: 在形成氮化硅膜的方法中，首先通过CVD在反应容器的处理区域中将氮化硅膜沉积在待处理的衬底上。 在此，第一次向处理区域供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体，并将处理区域设定为第一温度和第一压力。 接下来，氮化硅膜的表面在处理区域中被氮化。 这里，在比第一次短的第二时间内，供给含有硝化气体的表面处理气体而不向处理区供给第一处理气体，并且处理区设定为第二温度和第二压力 。
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公开(公告)号：KR1020090098724A
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：KR1020090021395
申请日：2009-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/345 , C23C16/4404 , Y10S438/905
Abstract: A film-forming apparatus for a semiconductor process and a use method thereof are provided to prevent scattering of a metal component inside a process vessel. A film-forming apparatus(100) is arranged inside a process vessel(1) capable of maintaining vacuum. The process vessel has a high temperature part corresponding to a maintaining member and a low temperature part of a bottom side of the high temperature part. A heating device(40) is installed in an outer circumference of the process vessel. A surface of the maintaining member is cleaned by using a cleaning gas(25b). A covering process of a silicon nitride film is performed by supplying a silicon source gas and a nitride gas by turns. Thickness of the silicon nitride film is 18~300nm.
Abstract translation: 提供一种用于半导体工艺的成膜装置及其使用方法，以防止金属部件在处理容器内散射。 膜形成装置（100）布置在能够保持真空的处理容器（1）的内部。 处理容器具有对应于保持构件的高温部分和高温部分的底侧的低温部分。 加热装置（40）安装在处理容器的外周。 通过使用清洁气体（25b）清洁维护构件的表面。 通过依次供给硅源气体和氮化物气体来进行氮化硅膜的覆盖处理。 氮化硅膜的厚度为18〜300nm。
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公开(公告)号：KR100901053B1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：KR1020050025304
申请日：2005-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/3185
Abstract: 본 발명의 과제는 장치 내부에 부착된 부착물을 제거하는 동시에, 장치 내부를 평탄화시킬 수 있는 박막 형성 장치의 세정 방법 및 박막 형성 장치를 제공하는 데 있다.
열처리 장치(1)의 제어부(100)는 장치 내부에 부착물이 부착되면, 반응관(2) 내를 소정의 온도로 가열하는 동시에 처리 가스 도입관(17)으로부터 클리닝 가스를 공급하여 부착물을 제거한다. 계속해서, 반응관(2) 내를 450 ℃로 유지하는 동시에 처리 가스 도입관(17)으로부터 불소와 불화수소를 포함하는 평탄화 가스를 공급한다.
열처리 장치, 제어부, 가스 도입관, 반응관, 웨이퍼 보트, 배기관
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