公开(公告)号：KR1020130047580A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：KR1020120112926

申请日：2012-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  가키모토아키노부 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

Abstract: PURPOSE: A method for forming a seed layer and a method for forming a silicon-containing thin film are provided to improve the uniformity of a thin film. CONSTITUTION: A seed layer is formed on a base(step 1). Silicon including aminosilane based gas is adsorbed onto the base by using aminosilane based gas(step 11). Silicone including desilane or higher silane gas is deposited on the base where the silicone is absorbed(step 12). A thin film including the silicon is formed on the seed layer(step 2). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Form a seed layer on a base; (CC) Adsorb at least silicon^*1 included in aminosilane based gas on the base; (DD) Deposit at least silicon^*2 included in higher-order silane-based gas than disilane on the base, on which the silicon^*1 is adsorbed; (EE) Step 11; (FF) Step 12; (GG) Step 1; (HH) Form a silicon-containing thin film on the seed layer; (II) Step 2; (JJ) End

Abstract translation: 目的：提供一种形成种子层的方法和形成含硅薄膜的方法，以提高薄膜的均匀性。 构成：在基底上形成种子层（步骤1）。 包括氨基硅烷基气体的硅通过使用氨基硅烷基气体吸附到基底上（步骤11）。 包含硅烷或更高硅烷气体的硅氧烷沉积在硅氧烷被吸收的基底上（步骤12）。 在种子层上形成包含硅的薄膜（步骤2）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）在基底上形成种子层; （CC）至少吸附在基体上的基于氨基硅烷的气体中的硅^ * 1; （DD）沉积硅基基气体中硅烷基气体中的至少硅^ * 2比硅烷上吸附有硅^ * 1的乙硅烷; （EE）步骤11; （FF）步骤12; （GG）步骤1; （HH）在种子层上形成含硅薄膜; （二）第二步; （JJ）结束

公开(公告)号：KR101108613B1

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：KR1020110051227

申请日：2011-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  나카지마시게루 ,  오가와쥰 ,  무라카미히로키

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/027 ,  C23C16/02 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45536 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

Abstract: 패턴 유기막에 실리콘 산화막을 성막하여 미세 패턴을 형성할 때에 레지스트 패턴을 슬리밍 처리하는 공정을 삭감할 수 있어, 프로세스 비용을 저감할 수 있는 마스크 패턴의 형성 방법 및 미세 패턴의 형성 방법을 제공한다. 반도체 기판 상에 박막을 형성하는 공정(S11)과, 박막 상에 레지스트막을 형성하는 공정(S12)과, 포토리소그래피 기술을 이용하여 레지스트막을 소정의 피치를 갖는 레지스트 패턴으로 가공하는 패턴 가공 공정(S13)과, 레지스트 패턴의 형상을 가공하는 형상 가공 공정(S14)과, 소스 가스와 산소 래디컬 또는 상기 산소 함유 가스를 공급하고, 형상 가공 공정에 의해 형상이 가공된 레지스트 패턴 및 박막 상에 산화막을 성막하는 성막 공정(S15)을 구비한다. 형상 가공 공정(S14)과 성막 공정(S15)을 산화막을 성막하는 성막 장치 내에서 연속하여 행한다.

公开(公告)号：KR101079625B1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：KR1020090092465

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  나카지마시게루 ,  오가와쥰 ,  무라카미히로키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/027 ,  C23C16/02 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45536 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

Abstract: 패턴유기막에실리콘산화막을성막하여미세패턴을형성할때에레지스트패턴을슬리밍처리하는공정을삭감할수 있어, 프로세스비용을저감할수 있는마스크패턴의형성방법및 미세패턴의형성방법을제공한다. 반도체기판상에박막을형성하는공정(S11)과, 박막상에레지스트막을형성하는공정(S12)과, 포토리소그래피기술을이용하여레지스트막을소정의피치를갖는레지스트패턴으로가공하는패턴가공공정(S13)과, 레지스트패턴의형상을가공하는형상가공공정(S14)과, 소스가스와산소래디컬또는상기산소함유가스를공급하고, 형상가공공정에의해형상이가공된레지스트패턴및 박막상에산화막을성막하는성막공정(S15)을구비한다. 형상가공공정(S14)과성막공정(S15)을산화막을성막하는성막장치내에서연속하여행한다.

公开(公告)号：KR1020110117226A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：KR1020117021227

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/0273

Abstract: 개시되는 패터닝 방법은, 기판 상에 제 1 막을 형성하는 공정과, 제 1 막 상에 제 1 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 1 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 1 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 유기 실리콘을 포함하는 제 1 가스와, 활성화된 산소종을 포함하는 제 2 가스를 해당 기판으로 교대로 공급하여, 제 1 레지스트 패턴 및 제 1 막 상에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 실리콘 산화막 상에 제 2 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 2 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 2 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 제 1 레지스트 패턴 및 제 2 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제 1 막을 가공하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110082495A

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：KR1020110051227

申请日：2011-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  나카지마시게루 ,  오가와쥰 ,  무라카미히로키

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/027 ,  C23C16/02 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45536 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/2053

Abstract: PURPOSE: A fine pattern forming method and film forming device are provided to form a silicon oxidation film on a resist pattern and an organic film, thereby eliminating a process of slimming a resist pattern when a mask pattern or a micro pattern is formed. CONSTITUTION: A thin film(102) and an organic film(103) are successively formed on a semiconductor substrate(101). A photoresist film(104) is formed on the organic film. The photoresist film is exposed and developed to form a resist pattern. The resist pattern is slimmed to form a resist pattern which is made of a photoresist film. A silicon oxidation film(105) is formed on the slimmed resist pattern and the organic film.

Abstract translation: 目的：提供精细图案形成方法和成膜装置以在抗蚀剂图案和有机膜上形成硅氧化膜，从而消除当形成掩模图案或微图案时使抗蚀剂图案变薄的过程。 构成：在半导体衬底（101）上依次形成薄膜（102）和有机膜（103）。 在有机膜上形成光致抗蚀剂膜（104）。 光致抗蚀剂膜被曝光和显影以形成抗蚀剂图案。 抗蚀剂图案变薄以形成由光致抗蚀剂膜制成的抗蚀剂图案。 在薄的抗蚀剂图案和有机膜上形成硅氧化膜（105）。

公开(公告)号：KR1020110059540A

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：KR1020100116853

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  스즈키케이스케 ,  장재혁 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: PURPOSE: A method and device for forming a film and a storage medium are provided to form an SiN layer by an ALD at 150 to 550 degrees centigrade. CONSTITUTION: A target is received in a process container(1). The temperature of the target is 150 to 550 degrees centigrade. A silicon nitrification layer is formed on the target by repeating a first supply process and a second supply process. MCS gas is supplied to the process container of 66.65 to 666.5 Pa as a Si source. Nitrogen containing gas is supplied to the process container as nitrification gas.

Abstract translation: 目的：提供用于形成膜和存储介质的方法和装置，以通过ALD在150至550摄氏度下形成SiN层。 构成：在过程容器（1）中接收目标。 目标温度为150至550摄氏度。 通过重复第一供给处理和第二供给处理，在目标物上形成硅硝化层。 作为Si源，将MCS气体供给66.65〜666.5Pa的处理容器。 将含氮气体作为硝化气体供给到处理容器。

公开(公告)号：KR101011490B1

公开(公告)日：2011-01-31

申请号：KR1020097004487

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3086 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31608

Abstract: 여기에 개시되는 패터닝 방법은, 기판 상에 제 1 막을 형성하는 공정과, 제 1 막 상에 레지스트막을 포함하는 다층막을 형성하는 공정과, 레지스트막을 포토리소그래피에 의해 패터닝하여, 소정의 패턴을 갖는 패턴화 레지스트막을 형성하는 공정과, 유기 실리콘을 포함하는 제 1 가스와 활성화된 산소종을 포함하는 제 2 가스를 해당 기판에 교대로 공급하여, 패턴화 레지스트막 및 제 1 막의 위에, 제 1 막과 다른 산화 실리콘막을 형성하는 공정과, 패턴화 레지스트막의 측벽에 측벽 스페이서가 형성되도록 산화 실리콘막을 에칭하는 공정과, 패턴화 레지스트막을 제거하는 공정과, 측벽 스페이서를 마스크로서 이용하여, 제 1 막을 가공하는 공정을 구비한다.

Abstract translation: 本文所公开的图案化方法，通过首先形成包含步骤的多层膜，在第一膜上的抗蚀剂膜以形成膜，通过光刻法在基板上图案化的抗蚀膜，图案具有预定图案 将包含有机硅的第一气体和包含活化氧的第二气体交替地供应到基板，以在图案化的抗蚀剂膜和第一膜上形成抗蚀剂膜， 以便形成上图案化硅的形成使用蚀刻氧化硅膜的工艺中的另一氧化膜的抗蚀剂膜侧壁的步骤的侧墙，以及去除所述图案化的抗蚀剂膜的工序，和侧墙作为掩模来处理该第一膜 以及步骤。

公开(公告)号：KR101434342B1

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：KR1020110058469

申请日：2011-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히로키 ,  하세베카즈히데 ,  야마모토카즈야 ,  다카하시토시히코 ,  스즈키다이스케

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/45523

Abstract: (과제) 피(被)처리체의 표면에 고밀도로, 또한 높은 응력의 실리콘 산화막을 형성하는 것이 가능한 성막 방법을 제공한다.
(해결 수단) 처리 용기(14) 내에서 피처리체(W)의 표면에 실리콘 산화막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 처리 용기 내에 실란계 가스로 이루어지는 시드 가스를 공급하여 피처리체의 표면에 상기 시드 가스를 흡착시키는 흡착 공정과, 처리 용기 내에 원료 가스인 실리콘 함유 가스와, 불순물을 포함하는 첨가 가스를 공급하여 불순물이 첨가된 실리콘막을 형성하는 막 형성 공정과, 실리콘막을 산화시켜 실리콘 산화막으로 변환하는 산화 공정을 갖도록 한다. 이에 따라, 피처리체의 표면에 고밀도이고, 또한 높은 응력의 실리콘 산화막을 형성한다.

公开(公告)号：KR101291766B1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：KR1020097005558

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 초우파오화 ,  하세베카즈히데 ,  나카지마시게루 ,  아카사카야스시 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795

Abstract: 개시되는 패터닝 방법에서는, 박막 상에, 이 박막과는 다른 막으로 이루어지고, 또한 SiBN으로 이루어진 희생막을 형성하고, 희생막을 포토리소그래피 기술을 이용하여, 소정의 간격을 가지는 패턴으로 가공하고, 가공된 희생막의 측벽 상에, 희생막 및 박막과는 다른 막으로 이루어진 측벽 스페이서를 형성하고, 가공된 희생막을 제거하고, 측벽 스페이서를 마스크로 이용하여 박막을 가공한다.

公开(公告)号：KR101285211B1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：KR1020100003967

申请日：2010-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  기쿠치키요타카 ,  무라카미히로키 ,  나카지마시게루 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 성막 장치의 사용 방법은, 반응실 내에서, 주(主) 클리닝 처리와 포스트 클리닝 처리를 이 순서로 행하는 것을 구비한다. 주 클리닝 처리는, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내에 불소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하여, 실리콘을 포함하는 성막 부(副)생성물을 에칭한다. 포스트 클리닝 처리는, 주 클리닝 처리에 의해 발생하고 그리고 반응실 내에 잔류하는 실리콘 함유 불화물을 제거하기 위해, 반응실 내에 산화 가스를 공급하여, 실리콘 함유 불화물을 산화함으로써 중간 생성물로 변환하는 공정과, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내에 불화 수소 가스를 공급하여, 중간 생성물과 반응시켜서 제거하는 공정을 번갈아 복수회 반복한다.