公开(公告)号：KR1020160079577A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：KR1020140191138

申请日：2014-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상윤 ,  임동현 ,  김한기 ,  오은미 ,  조재용

IPC: G06Q50/10 ,  H04N21/434

CPC classification number: H04N21/434

Abstract: 컨텐츠의특성에관한정보를포함하는메타데이터를획득하고, 컨텐츠가재생될환경에관한정보를획득하고, 컨텐츠가재생될환경에관한정보및 메타데이터에기초하여, 컨텐츠를재생하기위한파라미터를결정하고, 결정된파라미터에기초하여, 컨텐츠를재생하는컨텐츠를재생하는방법이개시된다.

Abstract translation: 公开了一种内容播放方法，包括：获取包括内容属性信息的元数据的步骤; 获取与播放内容的环境相关联的信息的步骤; 基于与环境和元数据相关联的信息确定播放内容的参数的步骤; 以及基于所确定的参数播放内容的步骤。 本发明提供了一种通过使用与周围环境相关联的信息以便以优化的方式播放内容的内容播放方法。

公开(公告)号：KR1020150098180A

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：KR1020140149331

申请日：2014-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이창석 ,  신현진 ,  박성준 ,  임동현 ,  박현 ,  신건욱 ,  이종명 ,  임한진

IPC: H01L21/768 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01L23/53276 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E60/13 ,  H01L21/768 ,  C01B32/182 ,  C01P2004/64 ,  H01G11/36 ,  H01L29/786 ,  H01L2924/00

Abstract: 배선 구조 및 이를 적용한 전자소자가 개시된다. 개시된 배선 구조는, 제1전도성 물질층과, 제1전도성 물질층 상에 형성된 나노 결정질 그래핀을 포함한다.

Abstract translation: 公开了互连结构和应用该互连结构的电子设备。 所公开的互连结构包括形成在第一导电材料层上的第一导电材料层和纳米晶体石墨烯。 本发明降低了互连电阻和线宽。

公开(公告)号：KR1020120113121A

公开(公告)日：2012-10-12

申请号：KR1020110030855

申请日：2011-04-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오규환 ,  김동현 ,  정경민 ,  임동현

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683 ,  H01L21/0274 ,  H01L27/11507

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to form a contact hole or pattern with an interval below an exposure limit value by using a double patterning process. CONSTITUTION: A first semiconductor pattern is formed between a first mold film pattern(141) and a second mold film pattern. A second semiconductor pattern is formed between the second mold film pattern and a third mold film pattern(161). A first trench is formed between the first mold film pattern and the third mold film pattern. A first spacer(171) and a second spacer(173) are formed on both sidewalls of the first trench. A first bottom electrode(191) and a second bottom electrode(193) are formed on the first semiconductor pattern and the second semiconductor pattern.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过使用双重图案化工艺形成具有低于曝光极限值的间隔的接触孔或图案。 构成：在第一模具薄膜图案（141）和第二模具薄膜图案之间形成第一半导体图案。 第二半导体图案形成在第二模具膜图案和第三模制薄膜图案之间。 在第一模具薄膜图案和第三模具薄膜图案之间形成第一沟槽。 第一间隔物（171）和第二间隔物（173）形成在第一沟槽的两个侧壁上。 在第一半导体图案和第二半导体图案上形成第一底部电极（191）和第二底部电极（193）。

公开(公告)号：KR1020120054885A

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：KR1020100116251

申请日：2010-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오규환 ,  정석우 ,  임동현

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1691

Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory device is provided to maximize current drive performance of a lower electrode by providing a nitride spacer and a conductive spacer for covering a sidewall of the lower electrode. CONSTITUTION: A lower electrode includes an upper part(43N) and a lower part(43) on a substrate. A conductive spacer(35) is formed on a lower sidewall of the lower electrode. A nitride spacer(35N) is formed on an upper sidewall of the lower electrode and the upper surface of the conductive spacer. A resistance change part(55) is formed on the upper part of the lower electrode and the nitride spacer. The upper part of the lower electrode includes nitrogen.

Abstract translation: 目的：提供非易失性存储器件，以通过提供用于覆盖下电极的侧壁的氮化物间隔物和导电间隔物来最大化下电极的电流驱动性能。 构成：下电极在基板上包括上部（43N）和下部（43）。 导电间隔物（35）形成在下电极的下侧壁上。 氮化物间隔物（35N）形成在下电极的上侧壁和导电间隔物的上表面上。 电阻变化部（55）形成在下部电极和氮化物间隔物的上部。 下电极的上部包括氮。

公开(公告)号：KR1020110123005A

公开(公告)日：2011-11-14

申请号：KR1020100042415

申请日：2010-05-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안형근 ,  조성래 ,  김익수 ,  임동현 ,  조은희

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/249 ,  H01L45/1226 ,  G11C13/0004

Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device and a manufacturing method thereof are provided to from a plurality of program areas which stores data in one memory filler by extending a memory filler to a first direction. CONSTITUTION: A conductive pillar(630) is formed by extending to a first direction from a substrates. A variable resistor(620) surrounds the conductive filler. A switching material layer(610) surrounds the variable resistor. A first conductive layer(410_1) is formed to a second direction which crosses with the first direction. A first electrode(510_1) touches with the first conductive layer and the switching material layer.

Abstract translation: 目的：通过将存储器填充器延伸到第一方向，从多个程序区域提供非易失性存储器件及其制造方法，所述多个程序区域将数据存储在一个存储器填充器中。 构成：通过从衬底延伸到第一方向形成导电柱（630）。 可变电阻器（620）围绕导电填料。 开关材料层（610）围绕可变电阻器。 第一导电层（410_1）形成为与第一方向交叉的第二方向。 第一电极（510_1）与第一导电层和开关材料层接触。

公开(公告)号：KR1020090026458A

公开(公告)日：2009-03-13

申请号：KR1020070091440

申请日：2007-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임동현 ,  이충만 ,  이도행 ,  김익수 ,  허장은

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108

Abstract: A ferroelectric capacitor and a manufacturing method thereof are provided to improve the electrical characteristic such as the polarization or the data integrity. A ferroelectric capacitor comprises a lower substructure(105) formed on a substrate(100); a bottom electrode(135) having the first and second bottom electrode film patterns(125,130) and electrically connected to the lower substructure; a ferroelectric layer pattern(140) having the surface which is treated by the neutral beam and is formed on the bottom electrode; an upper electrode having the first and second upper electrode layer patterns(145,150) and is formed on the surface-treated ferroelectric layer.

Abstract translation: 提供铁电电容器及其制造方法以改善诸如极化或数据完整性的电特性。 铁电电容器包括形成在衬底（100）上的下部子结构（105）; 具有第一和第二底部电极膜图案（125,130）并电连接到下部结构的底部电极（135）; 具有由中性光束处理并形成在底部电极上的表面的铁电层图案（140）; 具有第一和第二上电极层图案（145,150）并形成在表面处理的铁电层上的上电极。

公开(公告)号：KR100791074B1

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：KR1020060080005

申请日：2006-08-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허장은 ,  최석헌 ,  임동현 ,  유동철 ,  김익수

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/105 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/57

Abstract: A contact structure having a barrier layer containing noble metal, a ferroelectric random access memory device employing the same, and a method for fabricating the same are provided to prevent a lowering effect of polarization characteristics of ferroelectric capacitors by using a noble metal barrier. An interlayer dielectric(116) is formed on an upper surface of a semiconductor substrate(100). A plurality of contact plug(118s',118s",118d) are electrically connected through the interlayer dielectric to the semiconductor substrate. A lower barrier pattern is formed to surround a sidewall and a lower surface of the contact plug. An upper barrier pattern comes in contact with an upper surface of the contact plug. The lower barrier pattern and the upper barrier pattern include noble metal. The contact plug is formed with tungsten.

Abstract translation: 提供具有含有贵金属的阻挡层的接触结构体，使用其的铁电随机存取存储器件及其制造方法，以通过使用贵金属阻挡层来防止强电介质电容器的极化特性的降低效果。 在半导体衬底（100）的上表面上形成层间电介质（116）。 多个接触插塞（118s'，118s“，118d）通过层间电介质电连接到半导体衬底，形成下阻挡图案以围绕接触插塞的侧壁和下表面，上阻挡图案 与接触塞的上表面接触，下阻挡图案和上阻挡图案包括贵金属，接触塞由钨形成。

公开(公告)号：KR1020070115481A

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：KR1020060049989

申请日：2006-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임동현

IPC: G06F15/02

Abstract: A portable information device is provided to enable a user to input a cursor operation signal without covering a display part, and automatically switch direction of the cursor or pointer operation signal by making a signal switch detect a rotation position of the touch pad. A portable information device includes a body(110), the display part(120) displaying an image in the body, and the touch pad part(180) receiving the cursor or pointer operation signal, and placed to a position separated from the display part to prevent viewing the display part. The touch pad part is rotated to the body to select a first position exposed to a rear direction of the display part and a second position exposed to a front direction of the display part. The signal switch switches the direction of the cursor or pointer operation signal according to selection of the first and second positions. A supporter supports the portable information device in a stand state after the touch pad is rotated to the second position. A button part(160,170) inputs click or scrolling information, and is installed to the position separated from the display and touch pad part.

Abstract translation: 提供便携式信息装置，以使用户能够输入光标操作信号而不覆盖显示部分，并且通过使信号开关检测触摸板的旋转位置来自动切换光标或指针操作信号的方向。 便携式信息装置包括主体（110），在主体中显示图像的显示部分（120）和接收光标或指针操作信号的触摸板部分（180），并且放置在与显示部分分离的位置 以防止观看显示部分。 触摸板部分旋转到身体以选择暴露于显示部分的后方的第一位置和暴露于显示部分的前方向的第二位置。 信号开关根据第一和第二位置的选择来切换光标或指针操作信号的方向。 在触摸板旋转到第二位置之后，支撑器支撑处于静止状态的便携式信息装置。 按钮部分（160,170）输入点击或滚动信息，并且被安装到与显示器和触摸板部分分离的位置。

公开(公告)号：KR100729231B1

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020050071152

申请日：2005-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지은 ,  유동철 ,  배병재 ,  임동현 ,  김석필

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 구조물, 강유전체 구조물의 제조 방법, 강유전체 구조물을 포함하는 강유전체 캐패시터, 강유전체 캐패시터의 제조 방법, 강유전체 캐패시터를 구비하는 반도체 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 제1 금속 산화물을 사용하여 제1 하부 전극막을 형성한 후, 제1 하부 전극막 상에 제2 하부 전극막을 형성한다. 제2 하부 전극막은 제1 금속, 제1 금속 산화물 및/또는 제1 합금을 사용하여 형성된다. 제1 하부 전극막 아래에는 제2 금속 또는 제2 금속 질화물로 이루어진 접착층이 형성된다. 제2 하부 전극막 상에 강유전체층을 형성한 다음, 강유전체층 상에 제2 금속 산화물을 사용하여 제1 상부 전극막을 형성한다. 제1 상부 전극막 상에 제2 합금을 사용하여 제2 상부 전극막을 형성한다. 제1 및 제2 상부 전극막을 포함하는 강유전체 구조물의 분극 또는 데이터 보존력의 향상, 피로 저항 증가, 센싱 마진의 증가 등과 같이 강유전적 및 전기적 특성을 크게 개선할 수 있으며, 이러한 강유전체 구조물을 갖는 강유전체 캐패시터의 강유전적 및 전기적 특성을 현저하게 향상시킬 수 있다.

Abstract translation: 一种强电介质结构，产生的强电介质结构的方法，公开了一种制造铁电电容器，铁电电容器，包括强电介质结构中，半导体器件及其制造方法，其包括具有改进的特性的铁电电容器的方法。 在使用第一金属氧化物形成第一下部电极膜之后，在第一下部电极膜上形成第二下部电极膜。 第二下电极膜使用第一金属，第一金属氧化物和/或第一合金形成。 在第一下电极膜之下形成由第二金属或第二金属氮化物制成的粘合剂层。 在第二下电极膜上形成铁电层，然后在铁电层上使用第二金属氧化物形成第一上电极膜。 通过使用第二合金在第一上部电极膜上形成第二上部电极膜。 第一和第二偏振或改善铁电结构，包括上部电极膜的数据保持，所以能够显著改善铁电体完全和电学性质，如耐疲劳性增加时，增加了感测裕度，强电介质电容器具有这样的铁电结构 铁电和电特性可以显着改善。

公开(公告)号：KR1020070052808A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020050110500

申请日：2005-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최석헌 ,  손윤호 ,  임지은 ,  임동현 ,  홍창기 ,  허장은

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/1441

Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 커패시터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 하부 구조물 및 절연 구조물을 형성한다. 상기 절연 구조물을 관통하는 패드와 상기 패드와 연결되는 실린더 형상의 하부 전극을 형성한다. 상기 절연 구조물 및 하부 전극 상에 실리적으로 균일한 두께를 갖는 강유전체층, 상부 전극층 및 식각 마스크를 형성한다. 상기 상부 전극층 및 강유전체층을 식각하여 상기 상부 전극 및 강유전체 패턴을 형성한 후 상부 전극을 절연시키는 절연막 패턴을 형성함으로서 강유전체 커패시터를 완성한다. 상술한 방법은 절연막 패턴을 형성할 때 강유전체 패턴의 식각 손상을 방지할 수 있어 강유전체 패턴의 열화를 방지할 수 있다.