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    Halbleitervorrichtung
    31.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102013108946B4

    公开(公告)日：2020-11-19

    申请号：DE102013108946

    申请日：2013-08-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MEISER ANDREAS ,  LANG HANS-PETER ,  MEYER THORSTEN ,  IRSIGLER PETER

    IPC: H01L29/417 ,  H01L21/283 ,  H01L21/74 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

    Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterkörper (505) mit einer ersten Seite (512) und einer zur ersten Seite (512) entgegengesetzten zweiten Seite (517),einen ersten Kontakttrench (510), der sich in den Halbleiterkörper (505) an der ersten Seite (512) erstreckt, wobei der erste Kontakttrench (510) ein erstes leitendes Material (514) enthält, das elektrisch mit dem an den ersten Kontakttrench (510) angrenzenden Halbleiterkörper (505) gekoppelt ist,einen zweiten Kontakttrench (515a, 515b), der sich in den Halbleiterkörper (505) an der zweiten Seite (517) erstreckt, wobei der zweite Kontakttrench (515a, 515b) ein zweites leitendes Material (519a, 519b) enthält, das elektrisch mit dem an den zweiten Kontakttrench (515a, 515b) angrenzenden Halbleiterkörper (505) gekoppelt ist, und wobeider erste und zweite Kontakttrench (510, 515a, 515b) sich jeweils durch ein Dielektrikum (591a, 591d) in den Halbleiterkörper (505) erstrecken, und jeweils ein leitendes Material aufweisen, das mit dem Halbleiterkörper (515) über jeweilige Seitenwände des ersten und zweiten Kontakttrenches (510, 515a, 515b) elektrisch verbunden ist, und das Dielektrikum (591a), durch das sich der erste Kontakttrench (510) erstreckt, auf dem Halbleiterkörper (505) an der ersten Seite (512) ausgebildet ist, und das Dielektrikum (591d), durch das sich der zweite Kontakttrench (515a, 515b) erstreckt, auf dem Halbleiterkörper (505) an der zweiten Seite (517) ausgebildet ist.

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERSTRUKTUR UND HALBLEITERVORRICHTUNG
    35.
    发明专利
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERSTRUKTUR UND HALBLEITERVORRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102015112414A1

    公开(公告)日：2017-02-02

    申请号：DE102015112414

    申请日：2015-07-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WERNER WOLFGANG ,  IRSIGLER PETER ,  MEISER ANDREAS

    IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Struktur in einem Halbleiterkörper (304) umfasst ein Ausbilden einer ersten Maske (320) über einer ersten Oberfläche (307) des Halbleiterkörpers (304). Die erste Maske (320) weist eine Öffnung (322) auf, die einen ersten Abschnitt (3201) der ersten Maske (320) umgibt, wodurch der erste Abschnitt (3201) und ein zweiter Abschnitt (3202) der ersten Maske (320) getrennt sind. Der Halbleiterkörper (304) wird durch die Öffnung (322) an der ersten Oberfläche (307) bearbeitet. Die Öffnung (322) wird vergrößert, indem zumindest ein Teil der ersten Maske (320) in dem ersten Abschnitt (3201) entfernt wird, während die erste Maske (320) in dem zweiten Abschnitt (3202) beibehalten wird. Der Halbleiterkörper (304) wird durch die Öffnung (322) an der ersten Oberfläche (307) weiter bearbeitet.

    Halbleiterbauelement
    39.
    发明专利
    Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102013022673B3

    公开(公告)日：2022-11-10

    申请号：DE102013022673

    申请日：2013-10-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  IRSIGLER PETER

    IPC: H01L21/223 ,  C30B33/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/335 ,  H01L21/383 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772

    Abstract: Halbleiterbauelement, umfassend:- einen Siliziumhalbleiterkörper (40) mit einer Hauptoberfläche (101) und umfassend eine Stickstoffkonzentration, die mindestens in einem ersten Abschnitt (41) des Siliziumhalbleiterkörpers (40) unter etwa 2*1014cm-3liegt, wobei sich der erste Abschnitt (41) von der Hauptoberfläche (101) bis zu einer Tiefe von etwa 50 µm erstreckt, wobei die Stickstoffkonzentration mit einem Abstand von der Hauptoberfläche (101) mindestens in dem ersten Abschnitt (41) zunimmt, und wobei eine Sauerstoffkonzentration in einem zweiten Abschnitt (42) des Siliziumhalbleiterkörpers (40), der sich von der Hauptoberfläche (101) mindestens bis etwa zu einer ersten Tiefe erstreckt, unter etwa 3*1017cm-3liegt; und- eine Feldeffektstruktur, die benachbart zu der Hauptoberfläche (101) angeordnet ist, wobei das Halbleiterbauelement ein isoliertes leitendes Gebiet aufweist, das in einem vertikalen Graben angeordnet ist, der sich von der Hauptoberfläche (101) in den Siliziumhalbleiterkörper (40) bis zu der ersten Tiefe erstreckt.

    Verfahren zur Herstellung mehrerer Mikrofonstrukturen
    40.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung mehrerer Mikrofonstrukturen 未知

    公开(公告)号：DE102015101894B4

    公开(公告)日：2021-02-18

    申请号：DE102015101894

    申请日：2015-02-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  MAURER DANIEL ,  PIRK SOENKE

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H04R1/00

    Abstract: Verfahren zum Herstellen mehrerer Mikrofonstrukturen, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Bereitstellen (S2) eines Substrats (12), das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Rückseite von der Vorderseite abgewandt ist, und einen inneren Bereich (18) und einen äußeren Bereich (20) aufweist, der den inneren Bereich (18) seitlich umgibt, wobei der innere Bereich (18) mehrere Mikrofonbereiche (16) aufweist, wobei jeder Mikrofonbereich (16) für eine Mikrofonstruktur von den mehreren Mikrofonstrukturen bereitgestellt wird,Bilden (S4) mehrerer Schichten für die mehreren Mikrofonstrukturen in den Mikrofonbereichen (16) auf der Vorderseite des Substrats (12),Bilden (S8) einer Aussparung von der Rückseite des Substrats (12), wobei die Aussparung den gesamten inneren Bereich (18) seitlich überlappt,Bilden einer Maske (36) auf einem Boden der Aussparung,Bilden (S10) mehrerer Hohlräume (14) mittels eines nasschemischen Ätzverfahrens in dem Boden der Aussparung mittels der Maske (36), wobei jeder Hohlraum (14) von den mehreren Hohlräumen (14) in einem der Mikrofonbereiche (16) gebildet wird (S10) und jeder Hohlraum (14) der mehreren Hohlräume (14) durch das gesamte Substrat (12) hindurch mittels der Maske (36) gebildet wird, so dass eine Ätzstoppschicht (17) freigelegt wird, welche den jeweiligen Hohlraum (14) bedeckt;Bearbeiten der mehreren Schichten zum Bilden der mehreren Mikrofonstrukturen, wobei jede Mikrofonstruktur mindestens eine Schicht von den mehreren Schichten und einen Hohlraum der mehreren Hohlräume (14) aufweist, undTrennen (S12) der mehreren Mikrofonstrukturen voneinander.

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