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41.发明公开진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자 有权通过真空沉积形成纳米结构图案的方法，使用该方法制造传感器元件的方法以及由此制造的传感器元件
公开(公告)号：KR1020180012385A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160095038
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: C23C14/04 , C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/033 , H01L29/78 , G01N27/414
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/06 , C23C14/54 , C23C14/542 , C23C14/58 , G01N27/4141 , H01L21/0337 , H01L29/0665 , H01L29/78
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 用于形成使用真空沉积工艺形成纳米结构图案的本发明中，形成掩模图案层的第一步骤，以暴露一部分衬底上，在曝光区域和掩模图案层，基体材料的上部 设定真空沉积条件满足用于纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，使得由真空沉积工艺以在暴露的区域和掩模图案层生长纳米结构，所述基体材料的上部的第二步骤 第三步和通过利用真空蒸镀法去除掩模图案层，纳米包括在所述基板的暴露区域上形成纳米结构的第四步骤，以形成于基板顶部上的纳米结构图案 结构图案形成方法，使用其的传感器元件制造方法以及通过该方法制造的传感器元件。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。
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公开(公告)号：KR1020170113796A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：KR1020160036138
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/101 , H01L31/022425 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L31/1892 , Y02E10/50
Abstract: 제1 기판상에 GaN 계열의버퍼층, p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층, p형또는 n형 GaN층, 및제1 전극을구비하는에피성장기판을준비하는단계; 제2 기판상에형성된제2 전극을구비하는접합기판을준비하는단계; 상기제1 전극과상기제2 전극이연결되도록본딩하는단계; 상기제1 기판을제거한후 상기버퍼층을제거하는단계; 및개방된상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층상에상부전극을형성하는단계를포함하는, 질화갈륨계광검출소자의제조방법및 그에의해제조된질화갈륨계광검출소자가제공된다. 본발명에따르면, 단순한공정도입및 고가의기판재활용이가능하여저가의공정으로고효율의광검출기를제조할수 있으며, 유연한소자에활용가능하고고방열특성이필요한극한환경에서도안정적으로광검출소자의제조가가능하다.
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公开(公告)号：KR101762921B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020150148153
申请日：2015-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은집광형태양광발전방법및 시스템에관한것으로서, 상기방법은태양추적방식에따라태양의황도를계산하여태양전지판을조정하는단계, 상기태양전지판을구성하는하나이상의단위모듈에서태양광을집광하는단계,단위모듈에장착된온도센서를이용하여, 온도분포를측정하는단계및 측정한온도분포결과에따라하나이상의단위모듈을보정하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明稠合形式阳光涉及一种发电的方法和系统，所述方法包括：计算一个太阳能黄道调整根据太阳能跟踪方法的太阳能电池板，集中构成太阳能面板上的一个或更多个单元模块的太阳光 使用安装在单元模块上的温度传感器测量温度分布，并且根据测量的温度分布结果校正一个或多个单元模块。
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公开(公告)号：KR1020170073007A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020150181162
申请日：2015-12-17
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H02S50/00 , H01L31/05 , H01L31/042 , G05D23/19
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은온도검출부를포함하는태양전지모듈및 시스템에관한것으로서, 복수의태양전지셀 어레이, 상기태양전지셀 어레이에각각연결되어, 각각연결된태양전지셀 어레이를바이패스시킬수 있는복수의셀 바이패스소자, 및상기셀 바이패스소자에각각연결된복수의온도검출부를포함하되, 상기온도검출부는하나이상의태양전지셀에대한온도를감지하고, 감지된온도가미리설정된범위를벗어나는경우, 상기셀 바이패스소자를구동시키는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 온도감지를통해바이패스소자를구동시킴으로써, 태양전지모듈의효율을높이고, 안정적으로태양전지시스템을운용할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池模块和包括温度检测器，多个太阳能电池阵列，其中所述太阳能电池被连接到单元阵列的系统中，每个所述多个小区中的连接的太阳能电池阵列旁路sikilsu绕过 元件，并包括：多个温度检测器，每个耦合至所述电池旁路设备中，当温度检测器检测到一个或更多个太阳能电池的温度，并且检测到的温度在预设范围外，则电池旁通 从而驱动设备。 根据本发明，通过经由温度检测驱动所述旁路元件，以提高太阳能电池模块的效率，就可以可靠地操作该太阳能电池系统。
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公开(公告)号：KR101673971B1
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020150001431
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는도즈보다낮고임계경화되는도즈보다높은도즈로광경화를수행하는메타-광경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-광경화임프린팅공정과완전경화포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법을기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의도즈에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101663644B1
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020140150214
申请日：2014-10-31
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 흡수층및 증폭층이각각분리되어형성된(separate absorption and multiplication) 애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑및 조성변화층의조합으로이루어지되, 상기도핑및 조성변화층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지면서, 상기화합물반도체의조성을기판에대해 10% 오차범위내에서의격자부정합또는정합이유지되도록변형하여형성되는것을특징으로하는변형된도핑및 조성흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 도핑이되어있으면서조성변화가이루어진도핑및 조성변화층은소수캐리어의에너지밴드를가변함으로써전계를인가하여캐리어이동을돕게되어, 캐리어가증폭층으로도달하는속도를가속할수 있도록하여, 효율특성및 응답속도를더욱개선시키는이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020160110742A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150033954
申请日：2015-03-11
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82B1/00 , H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: B82B3/0019 , B82B1/001 , B82B3/0014 , H01L21/02601 , H01L21/0274
Abstract: 본발명은금속산화물나노입자구조체에관한것으로서, 기판상에금속레지스트를코팅하여, 금속레지스트층을형성하는제1단계와, 상기금속레지스트층을패턴화하여, 상기기판의일부영역을노출시키고, 일정주기(c), 폭(a) 및높이(b)를갖는금속레지스트패턴을형성하는제2단계및 상기금속레지스트패턴에에너지를가하여, 상기금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따른상기금속레지스트패턴의주기(c), 폭(a) 및높이에대응하여일정주기(e),(f), 크기(d)를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는패턴화된금속산화물나노입자구조체의제조방법및 이에의해제조된패턴화된금속산화물나노입자구조체를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은, 기판상에금속레지스트를코팅하여패턴을형성하고, 에너지를가하여금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따라소정의주기및 크기를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하여, 간단한방법으로나노입자의위치와크기및 배열주기의제어가용이하여미세패턴의제작이용이한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及金属氧化物纳米颗粒结构，本发明的技术要点在于制造图案化的金属氧化物纳米颗粒结构的方法和由其制造的图案化的金属氧化物纳米颗粒结构，其中该方法包括：第一 在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成金属抗蚀剂层的步骤; 用于图案化金属抗蚀剂层的第二步骤，暴露基底的区域并形成在该区域上具有特定间隔（c），宽度（a）和高度（b）的金属抗蚀剂图案; 以及第三步骤，用于激励金属抗蚀剂图案以形成具有间隔（e），（f）和尺寸（d）的金属氧化物纳米颗粒结构，所述区间（c），宽度（a）和高度 金属抗蚀剂图案由于有机物的降解和金属抗蚀剂中所含的金属分子的聚集而引起。 因此，通过在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成图案并激发图案，以形成由于有机物的降解和包含在金属抗蚀剂中的金属分子的聚集而具有一定间隔和尺寸的图案化金属氧化物纳米颗粒结构， 本发明提供了制造微图案的有利方法，其中可以容易地控制纳米颗粒的位置，尺寸和排列间隔。
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公开(公告)号：KR1020160050574A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140149039
申请日：2014-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원 , (재)한국나노기술원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/184 , H01L31/1844
Abstract: 포토다이오드는기판; 상기기판위에위치하는제 1 캐리어(carrier) 증폭층; 상기제 1 캐리어증폭층위에위치하는광자흡수층; 및상기광자흡수층위에위치하는제 2 캐리어증폭층;을포함할수 있다. 한편, 포토다이오드제조방법은기판위에제 1 캐리어증폭층을형성하는단계; 상기제 1 캐리어증폭층위에광자흡수층을형성하는단계; 및상기광자흡수층위에제 2 캐리어증폭층을형성하는단계;를포함할수 있다. 본발명의실시예들은두 종류의캐리어를모두이용하여신호를증폭함으로써전압이득및 단일광자검출의신뢰도를증대시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种放大电子和空穴并具有高电压增益的光电二极管及其制造方法。 光电二极管包括：基板; 设置在所述基板上的第一载流子放大层; 设置在所述第一载流子放大层上的光子吸收层; 以及设置在光子吸收层上的第二载流子放大层。 制造光电二极管的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一载流子放大层; 在所述第一载流子放大层上形成光子吸收层; 以及在所述光子吸收层上形成第二载流子放大层。 根据本发明的实施例，可以通过使用两种载体两者放大信号来提高电压增益和光子检测的可靠性。
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公开(公告)号：KR101566854B1
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020130166739
申请日：2013-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 본발명의일 측면에의하면, 경사진형태의비아홀을포함하는 PCB; 상기비아홀의바닥면에부착된광소자;및상기광소자와상기 PCB를연결하는와이어본딩; 을포함하는것을특징으로하는경사면의반사광을활용하는집광형광소자모듈을제공한다. 이상에서살펴본본 발명에의하면, PCB에구비된경사진형태의비아홀바닥에광소자를구비하고경사면에금속을도금함으로써, 광소자에빛이모아져서발전효율이높아지는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101556090B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020140174004
申请日：2014-12-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/20 , H01L21/31 , H01L21/306
CPC classification number: H01L27/1203
Abstract: 본발명은실리콘기판상에고품위의반도체소자를형성하는방법에관한것으로서, 실리콘기판상에반도체에피층을성장하는방법에있어서, 실리콘(001) 기판상에패터닝공정을통해실리콘(001)면이노출되도록절연물에의한 ART(Aspect Ratio Trapping)패턴을형성하는제1단계와, 상기 ART패턴하부에습식식각을통해실리콘(111)면이노출되도록 AART(Arrow Aspect Ratio Trapping) 패턴을형성하는제2단계와, 상기절연물하측에실리콘(111)면의노출이진행됨에따른절연물과실리콘계면상에언더컷을형성하는제3단계및 상기 ART패턴영역과 AART패턴영역상측으로반도체층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지되, 상기 ART패턴영역과 AART패턴영역그리고반도체층전면에마스킹절연막을형성하고, 상기 ART패턴과 AART패턴영역외의상기실리콘기판상에상기제1단계내지제4단계를반복수행하여다종의반도체층을형성하는것을특징으로하는실리콘(001) 기판상에다종의반도체에피층성장방법을기술적요지로한다. 이에의해, 실리콘기판상에실리콘(111)면이노출된화살표형태의트랩핑패턴을형성하여, 실리콘과반도체층간의계면에서발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는(defect free) 반도체소자를제공할수 있으며, 결함이없는(defect free) 에피층을더욱낮은두께에서얻을수 있어소자의제조가용이하고, 이를반복수행함으로써동일한실리콘기판상에서결함이없는다종의반도체에피층을얻을수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及在硅衬底上形成高质量半导体器件的方法，更具体地说，涉及在硅衬底上生长半导体外延层的方法。 根据本发明的实施例的在硅衬底上生长半导体外延层的方法包括通过绝缘材料形成纵横比捕获（ART）图案的第一步骤，形成箭头纵横比捕获的第二步骤（ AART）图案，在硅和绝缘材料的界面上形成底切的第三步骤，以及在AART图案区域和ART图案区域的上侧生长半导体层的第四步骤。
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