Abstract:
본 발명은 진공 처리시에 챔버내에 발생하는 파티클 및/또는 아웃가스를 흡착하여, 제거할 수 있는 기판 처리 장치의 진공 배기 방법을 제공한다. 웨이퍼 W를 탑재하는 스테이지(12)를 구비한 챔버(11)를 대기 개방 후에 감압하는 기판 처리 장치의 진공 배기 방법에 있어서, 스테이지(12) 표면을 보호 부재(25)로 덮는 보호 부재 피복 단계와, 챔버(11)를 밀폐하는 밀폐 단계와, 밀봉한 챔버내를 감압하는 진공 배기 단계를 갖는다. 보호 부재(25)는 파티클 P 및 아웃가스를 포집하는 가스 흡착 기능을 구비한 트랩부(38)와 베이스부(26)를 갖는다.
Abstract:
PURPOSE: A temperature control system and temperature control method for a substrate mounting table are provided to prevent partial heat of a heating unit from being absorbed by a second heat medium, thereby quickly preventing a temperature increase of a substrate. CONSTITUTION: A chamber(11) receives a wafer for a semiconductor device. A cylindrical susceptor(12) is arranged in the lower part of the chamber. A heater unit(14) and a heat medium flow path(15) are embedded in the susceptor. A shower head(13) faces the susceptor in the upper part of the chamber. The shower head has a disk shape. The shower head includes a buffer chamber(17) and a plurality of gas holes(18) which connects the buffer chamber with a processing space.
Abstract:
PURPOSE: A surface processing method is provided to eliminate all the fractured layers formed on the surface of the member including the fractured layer of a stepped part by reforming the member surface. CONSTITUTION: A focus ring(25) is configured by a ring-shaped member having a step(25a) on the inner side. The step is formed in response to the outer side of a wafer. An upper side(25d), a lower side(25e), and sides(25g, 25f) of the focus ring are formed by the mechanical polishing. A horizontal part(25b) and a corner(25c) of the step are polished manually.
Abstract:
PURPOSE: A consumable parts reusing method for a plasma processing apparatus is provided to improve the quality of reused consumable parts by cleaning the surface of the consumable parts before a silicon carbide deposition process is implemented. CONSTITUTION: Silicon carbide is deposited to prepared silicon carbide lump through a chemical vapor deposition process. The silicon carbide lump is processed to prepare consumable parts for a plasma processing apparatus in a pre-set shape. A plasma processing process is implemented with respect to a substrate using the consumable parts. The surface of the consumable parts is cleaned. Silicon carbide is re-deposited on the surface of the consumable parts in order to prepare another silicon carbide lump(42).
Abstract:
A method for fabricating a substrate mounting table is provided to avoid contamination caused by spray residue by preventing spray residue from being left in a coolant gas supply path. A removable coating layer is formed on the inner wall of a gas supply path confronting at least a gas discharge hole(511). A ceramic spray layer(10) is formed on the mounting surface of a substrate. The coating layer is eliminated. While compressed gas is discharged from the gas discharge hole in the ceramic spray process, ceramic is sprayed onto the mounting surface.
Abstract:
플라즈마 처리 용기에 배치된 플라즈마 처리 용기 내부재의 기재(101)의 표면에, 전처리로서, 플라즈마 방전을 이용한 양극 산화 처리에 의해서 양극 산화 층(111)이 형성된 후, 이와 같은 전처리가 실시된 기재(101)의 표면에 용사 피막 형성 장치를 이용하여 플라즈마 용사 처리를 실시함으로써 용사 피막(121)이 형성된다. 양극 산화 처리는 알칼리계 유기 용제에 기재를 침지하는 공정과, 이 알칼리계 유기 용제 속에서 플라즈마 방전을 일으키는 공정을 포함한다.
Abstract:
A processing device capable of being maintained easily and reducing a burden on a worker and a method of maintaining the processing device; the processing device, comprising an upper electrode unit (106) forming the ceiling part of a processing chamber (102) of an etching device (100) having a lower assembly (128) on the processing chamber (102) side including upper electrodes (130) and an upper assembly (126) on a power supply side including an electro-body (144); the method of maintaining the processing device, comprising the steps of releasing a lock mechanism (156), solely raising the upper assembly (126) by a lift mechanism (164) for removal, and performing the maintenance of the upper assembly (126) and/or the lower assembly (128), and then locking the lock mechanism (156), raising the upper and lower assemblies (126, 128) integrally with each other by the lift mechanism (164) for removal, and performing the maintenance of the internal parts in the processing chamber (102).
Abstract:
사용 초기의 파티클 발생 및 그 후의 치핑 발생을 억제한 플라즈마 처리 장치용 석영부재의 가공 방법, 플라즈마 처리 장치용 석영부재 및 그 석영부재가 실장된 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 쉴드 링, 포커스 링 등에 이용되는 플라즈마 처리 장치용 석영부재(151)에 발생하고 있는 다이아몬드 연삭 후의 다수의 크랙(155)을 예컨대 입도가 #320 내지 400인 연마 입자에 의한 표면 가공을 실행하여 제거한다. 그 후, 더욱 작은 입자 직경의 연마 입자를 이용하여 표면 가공을 실행하여, 퇴적물을 부착 및 유지 가능한 요철을 유지하면서 파쇄층(163)을 제거한다.
Abstract:
유지 보수를 용이하게 실행하여 작업자의 부담을 경감 가능한 처리 장치 및 그 유지 보수 방법을 제공한다. 에칭 장치(100)의 처리실(102)의 천정부를 구성하는 상부 전극 유닛(106)은 상부 전극(130)을 포함하는 처리실(102)측의 하부 조립체(128)와, 일렉트로-바디(144)를 포함하는 전력 공급측의 상부 조립체(128)로 구성된다. 로크 기구(156)를 해제하고, 승강 기구(164)에 의해 상부 조립체(126)를 단독으로 상승시켜 분리한 후, 상부 조립체(126) 및/또는 하부 조립체(128)의 유지 보수를 한다. 로크 기구(156)를 로크하여, 승강 기구(164)에 의해 상부 및 하부 조립체(126, 128)를 일체적으로 상승시켜 분리한 후, 처리실(102)내의 유지 보수를 실행한다.