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公开(公告)号:KR101277036B1
公开(公告)日:2013-06-25
申请号:KR1020060113812
申请日:2006-11-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/45517 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , H01J37/32082 , H01J37/32495 , H01J37/32522
Abstract: 기판상에서의 기상 증착을 위한 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 시스템은 기상 증착 시스템의 제1 어셈블리를 제1 온도로 유지하고, 기상 증착 시스템의 제2 어셈블리를 상기 제1 온도보다 낮은 감소된 온도로 유지하고, 기판을 제2 어셈블리의 전달 공간으로부터 진공 격리된 제1 어셈블리의 공정 공간 내에 배치하며, 기판상에 재료를 증착한다. 따라서 기상 증착 시스템은 재료 증착을 실행하도록 구성된 공정 공간을 갖는 제1 어셈블리와, 제1 어셈블리에 결합되고 기상 증착 시스템의 내외로 기판을 운반하게 하는 전달 공간을 갖는 제2 어셈블리와, 제2 어셈블리에 접속되어 기판을 지지하도록 구성된 기판 스테이지와, 공정 공간을 전달 공간으로부터 분리하도록 구성된 실링 어셈블리를 포함한다. 제1 어셈블리는 제1 온도로 유지되도록 구성되고, 제2 어셈블리는 제1 온도보다 낮은 감소된 온도로 유지되도록 구성된다.
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公开(公告)号:KR101240076B1
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:KR1020107028339
申请日:2009-08-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , B01D53/14 , B01D53/72 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4412 , B01D53/002 , B01D53/62 , B01D53/75 , B01D2257/706 , B01D2258/0216 , B01D2259/416 , C23C16/16 , Y02C20/30
Abstract: 본 발명은, 특정한 냉매에 대하여 분해되지 않고 안정된 특성을 갖는 유기 금속 화합물의 원료를 기화시켜 얻어진 원료 가스를 이용하여 피처리체의 표면에 금속의 박막을 형성하도록 한 처리 용기로부터 배출되는 배기 가스중으로부터, 상기 원료를 회수하는 원료 회수 방법에 있어서, 상기 배기 가스를 상기 냉매와 접촉시켜 냉각함으로써, 미반응의 원료 가스를 응고시키고, 상기 원료를 재석출시키는 응고 공정과, 상기 응고 공정에서 재석출된 상기 원료를, 상기 냉매로부터 분리하여 회수하는 회수 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 원료 회수 방법이다.
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公开(公告)号:KR101224668B1
公开(公告)日:2013-01-21
申请号:KR1020107018300
申请日:2009-01-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/285 , C23C16/16
CPC classification number: C23C16/45559 , C23C16/16 , H01L21/28562
Abstract: 성막 방법은, 금속 카르보닐을 함유하는 처리 가스와 일산화탄소를 함유하는 캐리어 가스를 포함하는 처리 가스 흐름을, 피처리 기판의 표면을 피하여, 피처리 기판의 외주보다 직경 방향 상외측의 영역으로 흘리고, 상기 처리 가스 흐름으로부터 상기 금속 카르보닐을 상기 피처리 기판의 표면으로 확산시켜, 상기 피처리 기판의 표면에 금속막을 성막하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号:KR101210210B1
公开(公告)日:2012-12-07
申请号:KR1020107027538
申请日:2009-08-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/448 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/16 , C23C16/45514 , C23C16/45521 , C23C16/45597 , C23C16/4585 , H01L21/67017 , H01L21/68785
Abstract: 본발명은, 가역성을갖는열분해반응을발생시키는원료가스를이용하여처리용기내에서피처리체에대하여박막을형성하기위해, 상기처리용기내에설치되어상기피처리체를배치하는배치대구조에있어서, 그상면인배치면에상기피처리체를배치하기위한배치대와, 상기배치대내에설치된, 상기원료가스의열분해를억제하는분해억제가스를상기배치대의배치면에배치되는상기피처리체의주변부를향해공급하기위한분해억제가스공급수단을포함한것을특징으로하는배치대구조이다.
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公开(公告)号:KR101194888B1
公开(公告)日:2012-10-25
申请号:KR1020077008440
申请日:2005-11-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/677
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/16
Abstract: 고상 전구체(350)의 노출면 영역을 증가시킴으로써 증착률을 증가시키기 위한 것으로, 컨덕턴스가 높은 증기 이송 장치(40, 140)에 커플링되는, 컨덕턴스가 높은 복수 개의 트레이를 구비하는 고상 전구체 증발 장치(50, 150, 300, 300')가 설명된다. 복수 개의 트레이를 구비하는 고상 전구체 증발 장치(50, 150, 300, 300')는 하나 이상의 상부 트레이(340)와 함께 베이스 트레이(330)를 포함한다. 각각의 트레이(330, 340)는, 예컨대 고상 분말 형태 또는 고상 태블릿 형태의 막 전구체(350)을 지지하고 보유하도록 구성된다. 추가적으로, 각각의 트레이(330, 340)는 막 전구체(350)가 가열되는 동안 막 전구체(350) 상부에 컨덕턴스가 높은 캐리어 가스 유동을 제공하도록 구성된다. 예컨대, 캐리어 가스는 적층 가능한 트레이(340) 내부에서 막 전구체(350) 상부의 내측 방향으로, 그리고 유동 채널(318)을 통해 수직 상방으로 흘러, 고상 전구체 증발 장치(50, 150, 300, 300')의 유출구(322)를 통과하여 흐른다.
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公开(公告)号:KR1020120025597A
公开(公告)日:2012-03-15
申请号:KR1020127000841
申请日:2010-07-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28 , H01L21/205
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C16/02 , C23C16/0236 , C23C16/04 , C23C16/042 , C23C16/16 , C23C16/18 , C23C16/405 , H01L21/28556 , H01L21/76849 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 동을 사용하고 있는 배선과 절연막이 표면에 노출되어 있는 기판에 대해 망간 함유막을 성막하는 성막 방법을 개시한다. 이 성막 방법은 동을 사용하고 있는 배선상에, 망간 화합물을 이용한 CVD법을 이용하여 망간 함유막을 형성하는 공정을 구비한다.
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公开(公告)号:KR1020120006950A
公开(公告)日:2012-01-19
申请号:KR1020110069572
申请日:2011-07-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/67736
Abstract: PURPOSE: A vacuum processing apparatus is provided to control time which is required for transferring and loading a substrate by controlling the footprint of a whole device. CONSTITUTION: A preparatory vacuum chamber(2a) for carrying-in carries a substrate from an atmospheric pressure mode. The preparatory vacuum chamber(2b) for carrying-out takes out the substrate, which is processed at a process station, to the atmospheric pressure mode. A transfer module(12) takes out the substrate, in which processing is completed, to the preparatory vacuum chamber. A controller(20) controls the driving of a vacuum processing device. A loader(23) includes a heater for heating the substrate and an electrostatic chuck for electrostatically absorbing the substrate.
Abstract translation: 目的:提供一种真空处理设备,通过控制整个设备的占地面积来控制传送和加载基板所需的时间。 构成:用于携带的预备真空室(2a)从大气压模式运载基板。 用于进行的预备真空室(2b)将在处理站处理的基板取出到大气压模式。 转移模块(12)将完成了处理的基板取出到预备真空室。 控制器(20)控制真空处理装置的驱动。 装载机(23)包括用于加热基板的加热器和用于静电吸收基板的静电卡盘。
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公开(公告)号:KR1020110038130A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:KR1020117002995
申请日:2009-08-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: F27D17/004 , B01D53/005 , B01D53/04 , B01D53/75 , B01D53/864 , B01D53/8668 , B01D53/869 , B01D2251/102 , B01D2255/20 , B01D2255/2045 , B01D2255/2047 , B01D2255/2073 , B01D2257/502 , B01D2257/706 , B01D2258/0216 , C23C16/16 , C23C16/18 , C23C16/4412 , F27B17/0025 , H01L21/28556 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 금속 회수장치(66)는 유기 금속 화합물의 원료로 이루어지는 원료가스를 이용해서 피처리체의 표면에 박막을 형성하는 처리용기(10)로부터 배출되는 배기가스 중에서, 금속성분을 회수하여 배기가스를 제해한다. 금속 회수장치는 상기 배기가스를 가열해서 배기가스 중에 포함되는 미반응의 원료가스를 열분해시켜 원료가스 중에 포함되어 있는 금속성분을 부착시키는 포집부재를 갖는 포집유닛(80)과, 포집유닛을 통과한 배기가스 중에 포함되는 유기한 가스 성분을 산화시켜 제거하는 촉매(100)를 갖는 제해유닛(82)을 구비한다.
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公开(公告)号:KR1020100072180A
公开(公告)日:2010-06-30
申请号:KR1020107005343
申请日:2008-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/4401 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H01L21/68742
Abstract: Provided is a substrate placing mechanism whereupon a substrate to be processed is to be placed. The substrate placing mechanism is provided with a heater plate (21), which has a surface whereupon the substrate to be processed is to be placed, an embedded heating body for heating a substrate (W) to be processed to a film forming temperature at which the film can be deposited, and a first lift inserting hole having a large diameter section and a small diameter section; a temperature adjusting jacket, which is formed to cover at least a surface other than the surface, is at a non film forming temperature below a film forming temperature, with a second lift pin inserting hole having a large diameter section and a small diameter section; a first lift pin (24b-1) having a cover section, which can be inserted into the large diameter section, and a shaft section which can be inserted into both the large diameter section and the small diameter section; a second lift pin (24b-2) having a cover section , which can be inserted into the large diameter section, and a shaft section, which can be inserted into both the large diameter section and the small diameter section .
Abstract translation: 提供了要放置待处理的基板的基板放置机构。 基板放置机构设置有加热板(21),其具有要被放置的待加工基板的表面,用于将要加工的基板(W)加热到成膜温度的嵌入式加热体, 可以沉积膜,以及具有大直径部分和小直径部分的第一提升插入孔; 形成为至少覆盖表面以外的表面的温度调节护套处于低于成膜温度的非成膜温度,具有大直径部分和小直径部分的第二提升销插入孔; 具有可插入到大直径部分中的盖部的第一升降销(24b-1)和可插入大直径部分和小直径部分的轴部; 具有可插入大直径部分中的盖部分的第二提升销(24b-2)和可插入大直径部分和小直径部分中的轴部分。
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公开(公告)号:KR1020100063694A
公开(公告)日:2010-06-11
申请号:KR1020107000890
申请日:2008-09-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/448 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/4481 , Y10T137/8158 , Y10T137/8376
Abstract: Provided is a raw gas supply system (6) for supplying a raw gas to a gas using system (2) set in a pressure-reduced atmosphere. The system comprises a material tank (40) for reserving a liquid material or a solid material, a material passage (46) connected at its one end to the material tank and at its other end to the gas using system, a carrier gas supply mechanism (54) for supplying a carrier gas to the inside of the material tank, ON/OFF valves (48 and 50) disposed midway of the material passage, a heater (64) for heating the material passage and the ON/OFF valves, and a temperature control unit (92) for controlling the heater. The material passage and the ON/OFF valves are formed of a metal material having an excellent heat conductivity.
Abstract translation: 设置有用于将原料气体供给到设置在减压气氛中的气体使用系统(2)的原料气体供给系统(6)。 该系统包括用于储存液体材料或固体材料的材料罐(40),其一端连接到材料罐并且在另一端连接到气体使用系统的材料通道(46),载气供应机构 (54),用于向所述材料罐的内部供给载气,设置在所述材料通道的中途的开/关阀(48和50),用于加热所述材料通道和所述通/断阀的加热器(64),以及 用于控制加热器的温度控制单元(92)。 材料通道和ON / OFF阀由具有优异导热性的金属材料形成。
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