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公开(公告)号：KR1020130031771A
公开(公告)日：2013-03-29
申请号：KR1020120062664
申请日：2012-06-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/402 , H01L21/28114 , H01L29/42376 , H01L29/66431 , H01L29/778
Abstract: PURPOSE: A field effect transistor and a method for fabrication the same are provided to improve productivity and stability by not using a lithography process. CONSTITUTION: An active layer(31), a cap layer(32), an ohmic metal layer(33) and an insulating layer(34) are formed on a substrate(30). An insulating layer is etched by using a photoresist pattern as an etching mask. A metal is deposited on a gate recess region(37c) and the insulating layer to form a gate-electric field electrode layer(39).
Abstract translation: 目的：提供场效应晶体管及其制造方法，以通过不使用光刻工艺来提高生产率和稳定性。 构成：在基板（30）上形成有源层（31），盖层（32），欧姆金属层（33）和绝缘层（34）。 通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻绝缘层。 金属沉积在栅极凹部区域（37c）和绝缘层上以形成栅极 - 电场电极层（39）。
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公开(公告)号：KR100880044B1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：KR1020070084718
申请日：2007-08-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 유비쿼터스 센스 네트워크(Ubiquitous Sensor Network, USN) 응용을 위한 다기능 MEMS 센서의 일괄 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 다기능 MEMS 센서의 제조방법은 기판 상부에 정전력형 물리량 감지센서의 제1전극을 형성하는 단계; 상기 제1전극을 포함하는 결과물 전면에 제1희생층을 형성하는 단계; 상기 제1전극 상부 영역의 상기 제1희생층에 불순물도핑층을 형성하는 단계; 상기 불순물도핑층을 포함하는 결과물의 전면에 제2희생층을 형성하는 단계; 상기 제2희생층 상부에 정전력형 물리량 감지센서의 제2전극을 포함하는 부양구조물을 형성하는 단계; 상기 제2희생층 및 제1희생층을 선택적으로 식각하여 상기 불순물도핑층의 측벽이 노출되도록 식각홀을 형성하는 단계 및 상기 불순물도핑층과 상기 불순물도핑층과 접하는 제1희생층 및 제2희생층을 선택적으로 습식식각하여, 상기 제1전극과 제2전극 사이에 공기간극을 형성하는 단계를 포함하고 있으며, 이를 통하여 유비쿼터스 센서 네트워크를 보다 효과적으로 구현할 수 있는 효과가 있다.
미세기전집적시스템, MEMS, 센서, 희생층-
公开(公告)号：KR100856391B1
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：KR1020060123293
申请日：2006-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00801 , B81C2201/0133 , B81C2201/0136
Abstract: 본 발명은 희생층을 이용한 미세기전집적시스템(MicroElectroMechanical System)에 소자의 부양 구조물 제조방법에 있어서 상기 희생층 식각공정시 식각용액에 의해 부양 구조물이 손상되는 것을 방지하여 안정적으로 부양 구조물을 형성할 수 있는 미세기전집적시스템 소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판 상에 불순물이 도핑된 박막 패턴을 포함하는 희생층을 형성하는 단계와, 상기 희생층 상에 지지막을 형성하는 단계와, 상기 지지막 상에 후속 공정을 통해 부양될 구조물을 형성하는 단계와, 상기 박막 패턴의 양측부가 노출되는 식각 구멍을 형성하는 단계와, 상기 식각 구멍을 매개로 상기 희생층을 제거하여 상기 지지막과 상기 기판 사이에 공기 간극을 형성하는 단계를 포함하는 미소기전집적시스템 소자의 부양 구조물 제조방법을 제공한다.
미소기전집적시스템, MEMS, 공동, 공기 간극, 희생층, 불순물 박막-
公开(公告)号：KR1020080052249A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070060954
申请日：2007-06-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A metal-oxide-semiconductor chemical sensor and a fabrication method thereof are provided to make a sensing membrane of a sensor substrate with metal oxide nano-particles to lower the drive temperature. A metal-oxide-semiconductor chemical sensor comprises a sensor substrate(10), a measuring chamber(30) and a light source(20), wherein the sensor substrate includes an insulating substrate, a sensing electrode insulating substrate and a sensing membrane of metal oxide nano-particles deposited on the sensing electrode, so that the metal-oxide-semiconductor chemical sensor is adapted to sense a sample at low temperature below 100°C.
Abstract translation: 提供了一种金属氧化物半导体化学传感器及其制造方法，以使传感器基板的感测膜具有金属氧化物纳米颗粒以降低驱动温度。 金属氧化物半导体化学传感器包括传感器基板（10），测量室（30）和光源（20），其中传感器基板包括绝缘基板，感测电极绝缘基板和金属感测膜 氧化物纳米颗粒沉积在感测电极上，使得金属氧化物半导体化学传感器适于在低于100℃的低温下感测样品。
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公开(公告)号：KR1020080050990A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020070084718
申请日：2007-08-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A method of manufacturing a MEMS(Micro Electro Mechanical System) sensor is provided to mount sensors having different functions on one chip in batch by using MEMS technology. A first electrode(102) of a physical quantity detecting sensor is formed on a substrate(100), and then a first sacrificial layer(106) is formed on the entire surface of the substrate comprising the first electrode. An impurity doped layer is formed on the first sacrificial layer over the first electrode, and a second sacrificial layer(108) is formed on the entire surface of the substrate comprising the impurity doped layer. A floating structure having a second electrode(110) is formed on the second sacrificial layer, and then the second and first sacrificial layers are selectively etched to form an etching hole. The first and second sacrificial layers are selectively etched to form an air gap(121) between the first and second electrodes.
Abstract translation: 提供了一种制造MEMS（微机电系统）传感器的方法，通过使用MEMS技术批量安装具有不同功能的传感器。 物理量检测传感器的第一电极（102）形成在基板（100）上，然后在包括第一电极的基板的整个表面上形成第一牺牲层（106）。 在第一电极上的第一牺牲层上形成杂质掺杂层，并且在包含杂质掺杂层的衬底的整个表面上形成第二牺牲层（108）。 在第二牺牲层上形成具有第二电极（110）的浮动结构，然后选择性地蚀刻第二和第一牺牲层以形成蚀刻孔。 选择性地蚀刻第一和第二牺牲层以在第一和第二电极之间形成气隙（121）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100701152B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020050120164
申请日：2005-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A monolithic MEMS(Micro-Electro Mechanical System) sensor without a step and a method of fabricating the same are provided to use a quality high temperature deposited layer for an MEMS since formation of a membrane is performed before a metal wiring process of a reading circuit. In a monolithic MEMS sensor without a step, an MEMS is formed on a left side of a substrate(10) as a first region. A reading circuit(50) is formed on a right side of the substrate as a second region. The MEMS includes a protection layer(20), a membrane(40), an insulation layer(41), and a sensor electrode(60) on the substrate. The protection layer is formed of a silicon oxide layer or a silicon nitride layer. The membrane is formed on a top of the protection layer as a silicon nitride layer or a silicon oxide layer. The insulation layer is formed of a silicon oxide layer. The sensor electrode is formed of a conductive material on the insulation layer. And, a sacrificial layer burying a trench is removed by an etching path(70).
Abstract translation: 提供了没有台阶的单片MEMS（微电子机械系统）传感器及其制造方法，以使用用于MEMS的优质高温沉积层，因为在读取电路的金属布线处理之前执行膜的形成 。 在没有台阶的单片MEMS传感器中，MEMS作为第一区域形成在基板（10）的左侧。 读取电路（50）形成在基板的右侧作为第二区域。 MEMS在衬底上包括保护层（20），膜（40），绝缘层（41）和传感器电极（60）。 保护层由氧化硅层或氮化硅层形成。 膜作为氮化硅层或氧化硅层形成在保护层的顶部上。 绝缘层由氧化硅层形成。 传感器电极由绝缘层上的导电材料形成。 并且，通过蚀刻路径（70）去除埋入沟槽的牺牲层。
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公开(公告)号：KR1020030053424A
公开(公告)日：2003-06-28
申请号：KR1020020080869
申请日：2002-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: F28D15/02
Abstract: PURPOSE: A micro heat pipe having a section of polygonal structure using protrusion and drawing processes is provided to obtain the micro heat pipe suitable for electronic equipment of small and thin structure. CONSTITUTION: A micro heat pipe is manufactured through a drawing process. The micro heat pipe comprises a pipe having a section of polygonal structure. Each face constituting the polygonal structure is formed as a plane or a curved surface. A liquid actuating fluid flows by the capillary force generated from each edge(101) of the inside of the pipe. One of each face(100) constituting the polygonal structure is plane. The section of the pipe is a triangle or a square. The micro heat pipe is manufactured through a simple drawing process and an extrusion process, and excellent capillary force is secured by changing the structure of the pipe. Accordingly, excellent cooling effect is obtained.
Abstract translation: 目的：提供一种使用突出和拉伸工艺具有多边形结构部分的微型热管，以获得适用于小型和薄型结构的电子设备的微型热管。 构成：通过拉丝工艺制造微型热管。 微型热管包括具有多边形结构部分的管。 构成多边形结构的每个面形成为平面或曲面。 液体致动流体通过从管道内部的每个边缘（101）产生的毛细管力流动。 构成多边形结构的每个面（100）中的一个是平面。 管道的一部分是三角形或正方形。 该微型热管通过简单的拉伸加工和挤压加工制造，通过改变管的结构来确保优异的毛细管力。 因此，获得了优异的冷却效果。
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公开(公告)号：KR101878934B1
公开(公告)日：2018-08-20
申请号：KR1020160008222
申请日：2016-01-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/66
Abstract: 전자소자를제공한다. 전자소자는, 기판상에순차적으로적층된제1 반도체층및 제2 반도체층과, 제2 반도체층상에배치된소스전극, 게이트전극및 드레인전극을포함한다. 전자소자는소스전극과전기적으로연결되며드레인전극방향으로연장하며드레인전극으로갈수록기판으로부터멀어지는필드플레이트를더 포함한다.
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