-
公开(公告)号：KR1020000037779A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980052528
申请日：1998-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a diaphragm for an exposure equipment is provided to maintain the resolution and improve the light transmitting degree. CONSTITUTION: A first resist pattern is formed in a selected area on a substrate. A first optical shielding material is formed on the substrate, which includes the first resist pattern. After the first resist pattern is removed, a second resist is formed on the structure. Then, the central portion of the second resist is removed. After a second optical shielding material is formed on the structure, the second resist is removed.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造用于曝光设备的隔膜的方法以保持分辨率并提高透光度。 构成：在衬底上的选定区域中形成第一抗蚀剂图案。 第一光屏蔽材料形成在包括第一抗蚀剂图案的基板上。 在去除第一抗蚀剂图案之后，在结构上形成第二抗蚀剂。 然后，除去第二抗蚀剂的中心部分。 在结构上形成第二光屏蔽材料之后，去除第二抗蚀剂。
-
公开(公告)号：KR1019970076059A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：KR1019960015619
申请日：1996-05-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 고해상도 마스크 제조방법에 관한 것으로서 종래의 부가적 방법과 삭감적 방법에 의한 마스크 제조방법이 패턴 형성시 여러 가지 단점으로 인해 미세선폭의 정의가 어려웠던 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 이 방법들을 통합하여 부가적 방법에 의해 제2흡수체층의 패턴을 먼저 부가적 방법으로 형성한 후, 이 제2흡수체층을 건식식각 마스크로 사용하여 제1흡수체층의 패턴을 건식식각하는 고해상도 마스크 제조방법을 제공한다.
이와같은 본 발명은 전자빔 셀 투사형 마스크 또는 이온빔 마스크를 제조하는데 이용할 수가 있다.-
公开(公告)号：KR1019960011561A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019940025181
申请日：1994-09-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F7/20
Abstract: 본 발명은 리소그래피(lithography)에 의한 레지스트 패턴을 형성방법에 관한 것으로서, 특히 이층 레지스트(bilayer resist) 구조를 이용하여 미세 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 기판 위에 하층 레지스트를 형성하는 공정과, 상기 하층 레지스트를 갖는 반도체 기판을 전면 노광하는 공정과, 상기 전면 노광된 하층 레지스트 상부에 상층 레지스트를 형성하는 공정과, 소정 패턴을 갖는 마스크를 사용하여 상기 상층 레지스트를 노광하는 공정과, 상기 전면 노광된 하층 레지스트와 상기 마스크 패턴에 상응하여 부분적으로 노광된 상층 레지스트를 현상하여 높은 종횡비를 갖는 미세 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.-
公开(公告)号：KR1019950007349B1
公开(公告)日：1995-07-10
申请号：KR1019920006000
申请日：1992-04-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: The method includes the steps of sequentially forming a Si3N4 layer (2) and a SiO2 layer (3) on a Si substrate (1), forming and patterning a polymethyl methacrylate layer (4) on the layer (3) to form an aperture, isotropically etching the exposed layer (3) to deposit a thin Si film (5) thereon to lift-off the layer (4) to remove the layer (3) to heat-treat the substrate, forming a SiO2 layer (6) thereon to apply and pattern a polymethyl methacrylate thereon to etch the layer (6), depositing and lifting-off an Al film to form a gate and a gate pad and forming an aperature, thereby forming a simple over hang structure to improve the process yield.
Abstract translation: 该方法包括在Si衬底（1）上顺序地形成Si 3 N 4层（2）和SiO 2层（3）的步骤，在层（3）上形成和图案化聚甲基丙烯酸甲酯层（4）以形成孔， 各向同性蚀刻暴露层（3）以在其上沉积薄Si膜（5）以剥离层（4）以去除层（3）以热处理基板，在其上形成SiO 2层（6） 施加和图案化聚甲基丙烯酸甲酯以蚀刻层（6），沉积和剥离Al膜以形成栅极和栅极焊盘并形成温度，由此形成简单的过悬挂结构以提高工艺产率。
-
公开(公告)号：KR1019930008846B1
公开(公告)日：1993-09-16
申请号：KR1019900016318
申请日：1990-10-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: forming a phase shifting mask, a chrome light shield film, and a photo sensitive film on a mask base board; forming a light shield film pattern by the use of the photo sensitive film; applying again a photo sensitive film to form a light shield film pattern to complete a photo mask.
Abstract translation: 在掩模基板上形成相移掩模，铬屏蔽膜和感光膜; 通过使用感光膜形成遮光膜图案; 再次施加光敏膜以形成遮光膜图案以完成光罩。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：KR100296980B1
公开(公告)日：2001-09-22
申请号：KR1019990011966
申请日：1999-04-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F7/207
Abstract: 본발명은리소그래피장비에서사진전사하고자하는원본인마스크의상을광학계를사용하여기판위에도포된감광제층에맺히게함에있어서상이맺히는위치를광학계의광축과동일한방향으로어느정도의범위에걸쳐서형성되게함으로써광학계의초점심도를확장하고그 범위를조절할수 있는복굴절물질을이용한광학계의초점심도확장범위조절방법및 장치에관한것으로복굴절물질로평행평판과같은광학부품을제작하여광학계내에설치하면입사한빛의편광방향에따라서그 굴절률에차이가나타나게되어빛이지나가게되는경로가달라지게되고, 그결과광학계의광축방향을따라상을맺는위치가달라지게되어일정한범위에서연속적으로상을맺게됨으로써이 범위에서원하는해상도의상을얻을수 있게된다. 따라서복굴절물질로만들어진광학부품의방향조절과두께변화를통하여원하는해상도를유지하면서초점의위치를조절하므로서초점심도의확장과정확한초점위치를유지하고자하는리소그래피장비등의광학계에장착되어반도체나디스플레이소자등을사진전사적방법에의해제작할때 원하는해상도의상이맺히는범위를광축방향으로확장하고정확한초점위치의구현과유지에사용할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020010048980A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1019990053887
申请日：1999-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/28593 , H01L29/42316
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a gamma gate of a high electron mobility transistor(HEMT) is provided to remarkably reduce device noise, by sufficiently increasing the head of the gamma gate in area. CONSTITUTION: The first resist is applied on a GaAs substrate. After an exposure and development process, the first resist is hardened to form the first resist pattern. The second resist is applied on the GaAs substrate and the first resist pattern. After an exposure and development process, the second resist is hardened to form the second resist pattern. A portion of the GaAs substrate not covered by the first and second resist patterns is defined as a region(103) where the footprint of the gamma gate is formed. A portion of the GaAs substrate not covered by the second resist pattern but covered by the first resist pattern is defined as a region(102) where the head of the gamma gate is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种制造高电子迁移率晶体管（HEMT）的伽马栅的方法，通过充分增加伽马门的头部区域，显着降低器件噪声。 构成：将第一抗蚀剂施加在GaAs衬底上。 在曝光和显影处理之后，第一抗蚀剂被硬化以形成第一抗蚀剂图案。 将第二抗蚀剂施加在GaAs衬底和第一抗蚀剂图案上。 在曝光和显影处理之后，第二抗蚀剂被硬化以形成第二抗蚀剂图案。 未被第一和第二抗蚀剂图案覆盖的GaAs衬底的一部分被定义为形成伽马栅的覆盖区的区域（103）。 GaAs衬底的未被第二抗蚀剂图案覆盖但被第一抗蚀剂图案覆盖的部分被定义为形成伽马栅的头部的区域（102）。
-
公开(公告)号：KR100276688B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980052528
申请日：1998-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 및 디스플레이 소자를 제작하는 노광장비의 오프-액시스형 변형조명에 사용되는 조리개에 있어서, 상기 조리개의 중앙부위는 광 투과도가 0이 되도록 하고, 중앙부위를 제외한 상기 조리개의 가장자리에 형성되는 4개의 극 부분은 광 투과도가 100 % 되게 하고, 그 이외의 조리개 부위는 광 투과도가 3 ~ 40 % 되도록 형성되며, 조리개의 중앙 부위로 투과되는 광을 차단하되 그 이외의 부위를 선택적으로 차단, 조절하여 광 투과도를 증가시킬 수 있는 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다-
公开(公告)号：KR1020000066542A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019990013748
申请日：1999-04-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G03F7/70233 , G03F7/70241 , G03F7/70308 , G03F7/70316 , G03F9/7065
Abstract: PURPOSE: An optical system for an exposure equipment using a birefringent material is provided to embody a fine line width, by using a light source having a short wavelength and a broad bandwidth, and by inserting optical parts composed of the double refraction material to extend a depth of a focus. CONSTITUTION: An optical system for an exposure equipment comprises a first group of lenses(10), a second group of lenses(20), a polarized beam splitter(41), a first wave plate, a spherical mirror, a second wave plate and a third group of lenses(30). The first group of lenses are positioned in a rear part of a light source and a material surface. The second group of lenses change an optical axis by almost 90 degrees, positioned in a rear part of a reflector. The polarized beam splitter is composed of two prisms, positioned in a rear part of the second group of lenses. The first wave plate is positioned in an upper part of the polarized beam splitter. The spherical mirror is positioned in an upper part of the wave plate. The second wave plate is positioned in a lower part of the polarized beam splitter. The third group of lenses corresponds to an upper surface to which light is irradiated, positioned in a lower part of the parallel plate.
Abstract translation: 目的：提供一种使用双折射材料的曝光设备的光学系统，通过使用具有短波长和宽带宽的光源，并且通过插入由双折射材料组成的光学部件来实现细线宽度的扩展 重点深度。 构成：用于曝光设备的光学系统包括第一组透镜（10），第二组透镜（20），偏振分束器（41），第一波片，球面镜，第二波片和 第三组透镜（30）。 第一组透镜位于光源的后部和材料表面。 第二组透镜将光轴改变近90度，位于反射器的后部。 偏振分束器由两个棱镜组成，位于第二组透镜的后部。 第一波片位于偏振分束器的上部。 球面镜位于波片的上部。 第二波片位于偏振分束器的下部。 第三组透镜对应于照射光的上表面，位于平行板的下部。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.019 seconds)
