公开(公告)号：KR101331972B1

公开(公告)日：2013-11-25

申请号：KR1020120048239

申请日：2012-05-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  박주현 ,  송정인

IPC: C07F1/08 ,  C23C16/18

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 구리 전구체에 관한 것으로, 상기 구리 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화구리 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]

(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)

公开(公告)号：KR1020130123920A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：KR1020120047442

申请日：2012-05-04

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  이영국 ,  박주현 ,  강성구

IPC: C07F5/00 ,  B05D1/18 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F5/003 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45525

Abstract: The present invention relates to an indium precursor represented by chemical formula 1. The indium precursor includes sulfur, has improved thermal stability and volatilization properties, and forms a sulfur indium thin film. In chemical formula 1, each of R1 and R2 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group, each of R3 and R4 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group or a C1-C10 alkyl fluoride group; X is Cl, Br, or I; and n is 1-3.

Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的铟前体。铟前体包括硫，具有改善的热稳定性和挥发性，并形成硫铟薄膜。 在化学式1中，R 1和R 2各自独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基，R 3和R 4各自独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基或C 1 -C 10烷基氟基; X是Cl，Br或I; n为1-3。

公开(公告)号：KR101306811B1

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：KR1020120049229

申请日：2012-05-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  안기석 ,  이선숙 ,  여소정

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45553

Abstract: PURPOSE: A novel tungsten aminoamide halogen compound is provided to have thermal stability and high volatility, thereby simply manufacturing a thin film containing high quality tungsten. CONSTITUTION: A tungsten compound is denoted by chemical formula 1. A method for preparing the tungsten compound of chemical formula 1 comprises the step of making a compound of chemical formula 2 react with a compound of chemical formula 3. A thin film containing tungsten is grown by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) using the tungsten compound.

Abstract translation: 目的：提供新的钨氨基酰胺卤素化合物以具有热稳定性和高挥发性，从而简单地制造含有高质量钨的薄膜。 构成：化学式1表示钨化合物。化学式1的钨化合物的制备方法包括使化学式2的化合物与化学式3的化合物反应的步骤。生长含钨的薄膜 通过使用钨化合物的化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）。

公开(公告)号：KR101306810B1

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：KR1020120049225

申请日：2012-05-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  전동주 ,  안기석 ,  이선숙 ,  여소정

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45553

Abstract: PURPOSE: A novel tungsten aminoalkoxide compound is provided to have thermal stability and high volatility, thereby easily producing a thin film containing high quality tungsten. CONSTITUTION: A tungsten compound is denoted by chemical formula 1. A method for preparing the tungsten compound of chemical formula 1 comprises the step of reacting a compound of chemical formula 2 with a compound of chemical formula 3. A thin film containing tungsten is grown by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) using the tungsten compound.

Abstract translation: 目的：提供新的钨氨基烷氧基化合物以具有热稳定性和高挥发性，从而容易地生产含有高质量钨的薄膜。 构成：化学式1表示钨化合物。化学式1的钨化合物的制备方法包括使化学式2的化合物与化学式3的化合物反应的步骤。含有钨的薄膜通过 化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）。

公开(公告)号：KR1020130090151A

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：KR1020120011260

申请日：2012-02-03

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  정석종 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  심장보

IPC: C30B29/38 ,  C01B21/00 ,  C30B7/00

CPC classification number: Y02P20/544 ,  C30B29/38 ,  C01B21/00 ,  C30B7/10

Abstract: PURPOSE: A method for growing a III group nitride single crystal in supercritical ammonia by adding an inert gas is provided to improve purity and quality by preventing impurities from being inputted to the III group nitride single crystal. CONSTITUTION: A III group nitride seed crystal is inputted to a pressure container (10). A mineralizing agent is inputted to the pressure container. The pressure container is sealed (12). An inert gas and a solvent with nitrogen are inputted to the pressure container (14). A III group nitride single crystal is grown by heating the pressure container (18). [Reference numerals] (10) III group containing material, a III group nitride seed crystal, and mineralizing agent are inputted to a pressure container; (12) Pressure container is sealed; (14) Inert gas and a solvent with nitrogen are inputted; (16) Pressure container is heated; (18) III group nitride crystal is grown

Abstract translation: 目的：提供通过添加惰性气体在超临界氨中生长III族氮化物单晶的方法，以通过防止杂质输入到III族氮化物单晶中来提高纯度和质量。 构成：将III族氮化物晶种输入到压力容器（10）。 将矿化剂输入到压力容器。 将压力容器密封（12）。 将惰性气体和具有氮气的溶剂输入到压力容器（14）。 通过加压压力容器（18）生长III族氮化物单晶。 （10）含III族的材料，III族氮化物晶种和矿化剂输入到压力容器中; （12）压力容器密封; （14）输入惰性气体和具有氮气的溶剂; （16）加压压力容器; （18）III族氮化物晶体生长

公开(公告)号：KR101283993B1

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：KR1020120135577

申请日：2012-11-27

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  정석종 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  강성구

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/14

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 태양전지 전극 형성에 이용 가능한 비접촉 인쇄 공정용 전도성 잉크 조성물을 이용한 태양전지 전면 전극 형성 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 전면 전극을 포함하는 태양전지에 관한 것으로, 특히 전면 전극을 형성하는 단계에 있어서 사용되는 전도성 잉크는 금속 나노 입자, 나노 사이즈의 유리 프릿 (glass frit) 및 유기 비히클을 포함한다. 본 발명은 기판에 물리적 손상을 주지 않는 비접촉 인쇄공정에 적용 가능하며, 추가적인 마스크 패터닝 공정 없이 양질의 태양전지 전면 전극을 형성 할 수 있다.

公开(公告)号：KR101174670B1

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020110045313

申请日：2011-05-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  안기석 ,  박보근 ,  이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  신용숙 ,  정석종

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a patterned graphene applied to a graphene based device is provided to manufacture a single-multilayered graphene with a desirable pattern by using a patterned metal catalyst layer. CONSTITUTION: A substrate is prepared. A mask is fixed to the substrate. A patterned metal catalyst layer is formed on the substrate. A graphene layer is grown on the metal catalyst layer. The grown graphene layer is transferred to the insulation layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造施加到基于石墨烯的器件的图案化石墨烯的方法，以通过使用图案化的金属催化剂层制造具有所需图案的单层多层石墨烯。 构成：制备底物。 掩模固定在基板上。 在基板上形成图案化的金属催化剂层。 在金属催化剂层上生长石墨烯层。 生长的石墨烯层被转移到绝缘层。

公开(公告)号：KR101124226B1

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：KR1020110013259

申请日：2011-02-15

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  최하나 ,  정택모 ,  정석종 ,  류병환 ,  김창균

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0216

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CIS thin film is provided to mass-produce a CuInSe2 photoactive layer with a solution process. CONSTITUTION: A CuInSe2 nano particle is made by using copper amino alkoxide, indium amino alkoxide and selenium powder. A coating layer is formed by coating a molybdenum film of a glass substrate with coating solutions including CuInSe2 nano particles. A CuInSe2 thin film is formed by thermally processing the glass substrate with the coating layer between 300 and 600 degrees centigrade.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造CIS薄膜的方法，以大量生产具有溶液工艺的CuInSe 2光敏层。 构成：使用铜氨基醇盐，铟氨基醇盐和硒粉制成CuInSe2纳米颗粒。 通过用包括CuInSe 2纳米颗粒的涂布溶液涂覆玻璃基板的钼膜来形成涂层。 CuInSe 2薄膜是通过在300〜600摄氏度的涂层之间热处理玻璃基板而形成的。

公开(公告)号：KR101116404B1

公开(公告)日：2012-03-09

申请号：KR1020090082061

申请日：2009-09-01

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이두형 ,  김창균 ,  정택모 ,  이선숙 ,  안기석 ,  정선호 ,  최영민 ,  류병환

IPC: B82B3/00 ,  B22F9/24 ,  C01G3/00

Abstract: 본발명은박막형화합물태양전지의광 흡수층물질인 CI(G)S(CuInGaSe; 0

公开(公告)号：KR101039442B1

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：KR1020080106983

申请日：2008-10-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이선숙 ,  원종찬 ,  박민정

IPC: C07F3/00 ,  B82B3/00

Abstract: 본 발명은 신규의 스트론튬 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 하기 화학식 1로 표시되는 스트론튬 아미노 알콕사이드 화합물에 관한 것으로 스트론튬을 포함하는 화합물을 형성하기 위한 전구체로서 열적으로 안정하고 휘발성이 증가된 신규한 스트론튬 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Sr[OA-NR
1 R
2 ]
2
상기 식에서 A는 할로겐으로 치환되거나 치환되지 않은 선형 또는 분지형의 (C2-C10)알킬렌기이고; R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 할로겐, 산소, 질소로 치환되거나 치환되지 않은 선형 또는 분지형의 (C1-C7)알킬기이다.
스트론튬 아미노알콕사이드, 전구체, 스트론튬 산화물, 박막, MOCVD