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公开(公告)号：KR1020140127678A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046342
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钨前体。钨前体是含硫的前体，改善热稳定性和挥发性，并且在薄膜制造期间不需要添加额外的硫，从而能够形成高质量的钨 硫化物薄膜。 （式中，R_1为C1-C4的直链或支链烷基，R_2和R_3分别为C1-C10的直链或支链烷基，R_4和R_5分别为C1- C10或C1-C10的直链或支链氟烷基，n为1-3的整数。
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公开(公告)号：KR100930997B1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：KR1020080006535
申请日：2008-01-22
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법은 소스 전극과 드레인 전극 사이에 탄소나노튜브 채널이 형성되어 있으며, 상기 탄소나노튜브 채널 일측에 게이트 전극이 형성되어 있는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제조하는 방법으로서, a) 기판상에 상기 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계; b) 상기 탄소나노튜브 채널의 양단에 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 전기적으로 각각 연결하는 단계; 및 c) 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 스트레스 전압을 인가하여, 상기 탄소나노튜브 채널 내 금속성을 제거하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법에 의하면, 트랜지스터 소자 내에서 채널로 이용되며, 금속성과 반도체성이 혼재되어 있는 탄소나노튜브에서 금속성 부분을 선택적으로 제거할 수 있다.
탄소나노튜브Abstract translation: 本发明涉及一种制造碳纳米管晶体管的方法，其中在源电极和漏电极之间形成碳纳米管沟道并且在碳纳米管沟道的一侧形成栅电极，所述方法包括以下步骤： ：（a）在基板上形成碳纳米管沟道; （b）将源电极和漏电极分别电连接到碳纳米管沟道的两端; 和（c）在所述源电极和所述漏电极之间施加应力电压以去除所述碳纳米管沟道的金属性。 根据本发明的制造碳纳米管晶体管的方法，可以从用作晶体管的沟道的碳纳米管中选择性地去除金属部分，并且具有彼此混合的金属特性和半导体特性。
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公开(公告)号：KR100869152B1
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：KR1020070041154
申请日：2007-04-27
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명의 탄소 나노튜브 반도체 소자 제조 방법은 기판상에 탄소 나노튜브가 형성될 위치에 탄소 나노튜브 성장을 촉진시키는 촉매를 도입하는 단계; 상기 촉매 처리된 상기 기판의 상기 위치에 상기 탄소 나노튜브를 형성하는 단계; 및 상기 탄소 나노튜브에 표면 개질제를 처리하여 상기 탄소 나노튜브에서 금속성을 제거하는 단계;를 포함 한다.
본 발명의 탄소 나노튜브 반도체 소자의 제조 방법을 이용하면, 성장되어 형성된 탄소 나노튜브에서 금속성을 제거하여 반도체성만을 가지게 함으로써 탄소 나노튜브를 반도체 소자의 채널로 적합하게 이용할 수 있다.
탄소 나노 튜브-
公开(公告)号：KR100783331B1
公开(公告)日：2007-12-10
申请号：KR1020060037537
申请日：2006-04-26
Applicant: 한국화학연구원
IPC: G06F17/50
Abstract: 본 발명은 멀티스케일 시뮬레이션 결합을 위한 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 양자모델링과 원자모델링의 서로 다른 스케일을 다루는 시뮬레이션 방법을 결합하는 멀티스케일에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 QM 및 MM 프로그램의 선택 단계와; 계산하고자 하는 시스템의 원자의 위치 및 QM을 적용하고자 하는 크러스터 1의 원자 위치를 입력시키는 단계와; QM이 적용되는 크러스터 1의 원자 위치가 주어질 때, QM 영역과 MM 영역을 이어주는 링크 원자 위치를 생성하여 계산에 필요한 크러스터 2의 원자위치를 생성하는 단계와; 생성된 시스템의 원자구조와 상기 크러스터 2에 대한 QM과 MM 프로그램의 입력 파일을 생성하는 단계와; 생성된 QM과 MM 프로그램의 입력 파일을 독자적으로 구동시켜 원자 위치에 따른 에너지 값과 힘 값을 계산하는 단계와; 계산된 에너지 값에서 Subtractive scheme에 의한 전체 에너지를 계산하고 전체 에너지를 최소화하는 원자구조를 찾는 원자구조 최적화 단계; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멀티스케일 시뮬레이션 결합을 위한 시스템 및 방법을 제공한다.
멀티스케일, QM, MM, 크러스터, 시뮬레이션, 결합 시스템 및 방법, 원자모델링, 양자모델링-
45.发明公开
公开(公告)号：KR1020070000667A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050056195
申请日：2005-06-28
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: G01N33/5308 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G01N27/4145 , G01N27/4146 , G01N33/551 , G01N33/54373
Abstract: Carbon nanotube transistor biosensors using aptamers as molecular recognition elements and a method for sensing a target material in blood by using the same biosensors are provided to inexpensively detect the target protein by measuring electrical change of the carbon nanotube when the aptamers on the carbon nanotube is exposed to the target protein, and enhance detection sensitivity and selectivity by using carbon nanotube and DNA aptamers. The carbon nanotube transistor biosensor comprises (i) a carbon nanotube transistor containing source, drain and gate, where the channel region is composed of carbon nanotube, (ii) DNA aptamers bound to the surface of the carbon nanotube, and (iii) a fixing material for fixing the aptamers to the carbon nanotube, wherein the channel is composed of single wall or multiple wall nanotubes, and metal oxide nanowire and semiconductor nanowire showing transistor properties; the nanowire has diameter of 50 nm or less and uses the aptamers as recognition materials; the single wall nanotube has diameter of 2 nm and the multiple wall nanotube has diameter of 50 nm or less; and the aptamer-fixing material is pyrene or other molecules having affinity to the carbon nanotube. The method for sensing a target material in blood comprises the steps of: manufacturing the carbon nanotube transistor containing the carbon nanotube with aptamers; measuring the electrical conductivity change of the carbon nanotube when the aptamers are exposed to the target material; and detecting the target material based on the data on the electrical conductivity change, wherein the target material is protein, peptide, amino acid, nucleotide, drug, vitamin or organic/inorganic compound.
Abstract translation: 提供了使用适配体作为分子识别元件的碳纳米管晶体管生物传感器和通过使用相同的生物传感器来感测血液中的靶物质的方法，通过在碳纳米管上的适体暴露时测量碳纳米管的电变化来廉价地检测靶蛋白 并通过使用碳纳米管和DNA适配体增强检测灵敏度和选择性。 碳纳米管晶体管生物传感器包括（i）含有源极，漏极和栅极的碳纳米管晶体管，其中沟道区域由碳纳米管组成，（ii）与碳纳米管表面结合的DNA适体，和（iii）固定 用于将适体固定到碳纳米管的材料，其中所述通道由单壁或多壁纳米管构成，并且金属氧化物纳米线和显示晶体管性质的半导体纳米线; 纳米线的直径为50nm以下，使用适配体作为识别材料; 单壁纳米管的直径为2nm，多壁纳米管的直径为50nm以下， 适体固定材料是对碳纳米管具有亲和性的芘或其他分子。 用于感测血液中的目标材料的方法包括以下步骤：用适体制造含有碳纳米管的碳纳米管晶体管; 当适配体暴露于目标材料时测量碳纳米管的电导率变化; 并且基于电导率变化的数据检测目标材料，其中目标材料是蛋白质，肽，氨基酸，核苷酸，药物，维生素或有机/无机化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100598082B1
公开(公告)日：2006-07-07
申请号：KR1020040053173
申请日：2004-07-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/326 , C09D11/38
Abstract: 본 발명은 부분 소수화된 잉크젯용 수계 고농도 금속 나노 졸의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 금속염 수용액에 고분자 전해질을 첨가하여 고분자-금속염 착체를 형성시킨 후 이를 환원제로 처리하여 금속 나노 졸을 제조함에 있어서, 상기 고분자 전해질로서는 아크릴계 반복단위, 폴리에틸렌글리콜류가 결합된 아크릴레이트계 반복단위 및 아크릴아마이드 반복단위를 포함하여 구성되어, 친수부와 소수부가 함께 도입된 주쇄(main chain)와, 상기 주쇄의 일부분에 친수성이 강한 고분자 측쇄(side chain)가 결합되어 있는 그래프트(graft) 공중합체를 선택 사용함으로써, 생성된 금속 나노 졸의 입자크기가 100 ㎚ 이하로 작고 균일하면서도 잉크젯 기법으로 소수성 기판에 직접 인쇄가 가능하도록 부분 소수화된 잉크젯용 수계 고농도 금속 나노 졸의 제조방법에 관한 것이다.
고분자 전해질, 금속 나노 졸, 소수성 기판-
公开(公告)号：KR1020060004162A
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：KR1020040053173
申请日：2004-07-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/326 , C09D11/38
CPC classification number: C09D11/326 , C08L33/26 , C09D11/38
Abstract: 본 발명은 부분 소수화된 잉크젯용 수계 고농도 금속 나노 졸의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 금속염 수용액에 고분자 전해질을 첨가하여 고분자-금속염 착체를 형성시킨 후 이를 환원제로 처리하여 금속 나노 졸을 제조함에 있어서, 상기 고분자 전해질로서는 아크릴계 반복단위, 폴리에틸렌글리콜류가 결합된 아크릴레이트계 반복단위 및 아크릴아마이드 반복단위를 포함하여 구성되어, 친수부와 소수부가 함께 도입된 주쇄(main chain)와, 상기 주쇄의 일부분에 친수성이 강한 고분자 측쇄(side chain)가 결합되어 있는 그래프트(graft) 공중합체를 선택 사용함으로써, 생성된 금속 나노 졸의 입자크기가 100 ㎚ 이하로 작고 균일하면서도 잉크젯 기법으로 소수성 기판에 직접 인쇄가 가능하도록 부분 소수화된 잉크젯용 수계 고농도 금속 나노 졸의 제조방법에 관한 것이다.
고분자 전해질, 금속 나노 졸, 소수성 기판-
公开(公告)号：KR1020040085982A
公开(公告)日：2004-10-08
申请号：KR1020030020858
申请日：2003-04-02
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B01J23/74 , B01J23/755 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/166 , C01B2202/36 , D01F9/12 , Y02P20/544 , B82B3/00 , C01B32/05
Abstract: PURPOSE: Provided is a method for producing carbon nanotubes at low temperature and low costs in a large quantity through liquid-state reaction by treating liquid hydrocarbon materials as carbon sources under supercritical condition. CONSTITUTION: Carbon nanotubes are produced by the following steps of: (i) putting a mixture of 80-99.999wt.% of hydrocarbon materials, one or more of mixtures selected from saturated hydrocarbon, unsaturated carbon, aromatic hydrocarbon and derivatives thereof, and 0.001-20wt.% of nucleus materials in a high pressure vessel, wherein the nucleus materials are nano-sized metal particles or metal oxides enabling formation of seeds, and the metals are one or more of mixtures selected from transition metals comprising Co, Ni and Fe, precious metals(Pt, Pd), alkali metals and alkali earth metals; (ii) applying pressure of 1-400atm. and 200-800deg.C of temperature to liquid hydrocarbon materials for 1-600min to be in equilibrium between liquid state and vapor state; (iii) cooling reactants(supercritical fluid) at a rate of 0.01-50deg.C/min which is the same as a heating rate; (iv) separating carbon nanotubes from reactants. The resultant carbon nanotubes are applied to field emitters, nano-composites and nano devices.
Abstract translation: 目的：提供一种通过在超临界条件下处理液态烃材料作为碳源，通过液态反应在低温低成本生产碳纳米管的方法。 构成：碳纳米管通过以下步骤制备：（i）将80-99.999重量％的烃材料，一种或多种选自饱和烃，不饱和碳，芳族烃及其衍生物的混合物和0.001 -20重量％的核材料在高压容器中，其中核材料是能够形成种子的纳米尺寸金属颗粒或金属氧化物，并且金属是一种或多种选自包含Co，Ni和Fe的过渡金属的混合物 ，贵金属（Pt，Pd），碱金属和碱土金属; （ii）施加1-400atm的压力。 和200-800℃的温度对液态烃材料1-600min处于液态和蒸汽状态之间的平衡状态; （iii）以与加热速度相同的0.01-50℃/分钟的速度冷却反应物（超临界流体）; （iv）从反应物中分离碳纳米管。 所得碳纳米管应用于场发射体，纳米复合材料和纳米器件。
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公开(公告)号：KR1020170043472A
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：KR1020160133143
申请日：2016-10-13
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B01J21/00 , B01J23/00 , H01B1/04 , H01B5/14 , C01B32/186
Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用聚合物介导的石墨烯沉积方法制造其上具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板的方法; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定这增加了含有金属的层的表面能（上）石墨烯薄膜的含有金属的层的金属表面状况，并且确定用于含金属层改变到金属表面上确定的状态的条件。
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公开(公告)号：KR101503031B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130046343
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 납 전구체에 관한 것으로, 상기 납 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 황화납 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
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