公开(公告)号：DE112013003292T5

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE112013003292

申请日：2013-06-25

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/18

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Fotovoltaikeinheit schließt ein Abscheiden (302) einer oder mehrerer Schichten eines Fotovoltaikstapels auf einem Substrat unter Verwendung eines plasmaunterstützten chemischen Abscheidungsprozesses aus der Gasphase mit hoher Abscheidungsrate (HDR-PECVD-Prozess) ein. Auf dem Fotovoltaikstapel werden Kontakte gebildet (306), um eine Solarzelle bereitzustellen. An der Solarzelle wird ein Tempern (310) mit einer Temperatur und Dauer durchgeführt, die so ausgelegt sind, dass sie die Gesamtleistung verbessern.

公开(公告)号：DE102013208429A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102013208429

申请日：2013-05-08

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  SADANA DEVENDRA K ,  LI NING ,  SAENGER KATHERINE L ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: Die Erzeugung von Oberflächenstrukturen oder die Reproduktion von Oberflächenstrukturen wird in der vorliegenden Offenbarung ohne die Notwendigkeit erreicht, einen Ätzprozess einzusetzen. Stattdessen wird in der vorliegenden Offenbarung eine besondere, als Abtrennen (spalling) bezeichnete Bruchmethode verwendet, um Oberflächenstrukturen zu erzeugen oder zu reproduzieren. Im Fall einer Oberflächenstrukturerzeugung wird eine Oberflächenstruktur in einer Stressorschicht bereitgestellt, und dann wird das Abtrennen durchgeführt. Im Fall einer Oberflächenstrukturreproduktion wird eine Oberflächenstruktur innerhalb oder auf einer Oberfläche eines Basissubstrats gebildet, und dann wird eine Stressorschicht angebracht. Nach dem Anbringen der Stressorschicht wird das Abtrennen durchgeführt. Die Erzeugung oder Reproduktion von Oberflächenstrukturen unter Verwendung von Abtrennen stellt ein kostengünstiges Mittel zur Erzeugung oder Reproduktion von Oberflächenstrukturen bereit.

公开(公告)号：DE102012209708A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209708

申请日：2012-06-11

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/304

Abstract: Es wird ein Verfahren zur gesteuerten Schichtübertragung bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen einer Zugspannungsschicht auf einem Basissubstrat. Die Zugspannungsschicht weist einen Zugspannungsschichtteil, der oberhalb einer oberen Oberfläche des Substrats angeordnet ist, und einen selbsthaftenden Zugspannungsschichtteil auf, der nahe dem Rand jeder Seitenwand des Basissubstrats angeordnet ist. Dann wird oberhalb des Zugspannungsschichtteils des Basissubstrats ein Abspalthemmer aufgebracht und anschließend der selbsthaftende Zugspannungsschichtteil der Zugspannungsschicht von dem Zugspannungsschichtteil getrennt. Dann wird ein Teil des Basissubstrats, der sich unterhalb des Zugspannungsschichtteils befindet, von dem ursprünglichen Basissubstrat abgespalten. Das Abspalten beinhaltet das Verschieben des Abspalthemmers von der Oberseite des Zugspannungsschichtteils. Nach dem Abspalten wird der Zugspannungsschichtteil von der Oberseite eines abgespaltenen Teils des Basissubstrats entfernt.

公开(公告)号：CA2783626A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：CA2783626

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/06

Abstract: A method for forming a single-junction photovoltaic cell includes forming a dopant layer on a surface of a semiconductor substrate; diffusing the dopant layer into the semiconductor substrate to form a doped layer of the semiconductor substrate; forming a metal layer over the doped layer, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the semiconductor substrate; removing a semiconductor layer from the semiconductor substrate at the fracture; and forming the single-junction photovoltaic cell using the semiconductor layer. A single-junction photovoltaic cell includes a doped layer comprising a dopant diffused into a semiconductor substrate; a patterned conducting layer formed on the doped layer; a semiconductor layer comprising the semiconductor substrate located on the doped layer on a surface of the doped layer opposite the patterned conducting layer; and an ohmic contact layer formed on the semiconductor layer.

公开(公告)号：AT447248T

公开(公告)日：2009-11-15

申请号：AT03726799

申请日：2003-05-13

Applicant: IBM

Inventor： HOUGHAM GARETH G ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  ZINTER JOSEPH

IPC: H01R13/24 ,  H01R43/00 ,  H05K3/40 ,  H05K3/42 ,  H05K7/10

Abstract: Methods for fabricating Land Grid Array (LGA) interposer contacts that are both conducting and elastic. Also provided are LGA interposer contacts as produced by the inventive methods. Provided is LGA type which utilizes a pure unfilled elastomer button core that is covered with an electrically-conductive material that is continuous from the top surface to the bottom surface of the button structure. In order to obviate the disadvantages and drawbacks which are presently encountered in the technology pertaining to the fabrication and structure of land grid arrays using electrically-conductive interposer contacts, there is provided both methods and structure for molding elastomer buttons into premetallized LGA carrier sheets, and wherein the non-conductive elastomer buttons are surface-metallized in order to convert them into conductive electrical contacts.

公开(公告)号：DE102016104446A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：DE102016104446

申请日：2016-03-11

Applicant: IBM

Inventor： DE SOUZA JOEL P ,  FOGEL KEITH E ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L29/43

Abstract: sEine Halbleiter-Einheit beinhaltet ein Substrat und eine p-dotierte Schicht, die ein dotiertes III-V-Material beinhaltet, auf dem Substrat. Ein Material vom n-Typ ist auf oder in der p-dotierten Schicht ausgebildet. Die Schicht vom n-Typ beinhaltet ZnO. Ein Kontakt aus Aluminium ist in direktem Kontakt zu dem ZnO des Materials vom n-Typ ausgebildet, um eine elektronische Einheit zu bilden.

公开(公告)号：CA2871871A1

公开(公告)日：2015-06-19

申请号：CA2871871

申请日：2014-11-19

Applicant: IBM

Inventor： BAYRAM CAN ,  SADANA DEVENDRA ,  BEDELL STEPHEN W ,  OTT JOHN A ,  FOGEL KEITH E

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L33/32

Abstract: A spall releasing plane is formed embedded within a Group III nitride material layer. The spall releasing plane includes a material that has a different strain, a different structure and a different composition compared with the Group III nitride material portions that provide the Group III nitride material layer and embed the spall releasing plane. The spall releasing plane provides a weakened material plane region within the Group III nitride material layer which during a subsequently performed spalling process can be used to release one of the portions of Group III nitride material from the original Group III nitride material layer. In particular, during the spalling process crack initiation and propagation occurs within the spall releasing plane embedded within the original Group III nitride material layer.

公开(公告)号：GB2517325A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：GB201419706

申请日：2013-06-25

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

Abstract: A method for forming a photovoltaic device includes depositing (302) one or more layers of a photovoltaic stack on a substrate by employing a high deposition rate plasma enhanced chemical vapor deposition (HDR PECVD) process, Contacts are formed (306) on the photovoltaic stack to provide a photovoltaic cell. Annealing (310) is perfomied on the photovoltaic cell at a temperature and duration configured to improve overall performance.

公开(公告)号：DE112012001857T5

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：DE112012001857

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KANDIL AHMED ,  KIM JEEHWAN ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/00

Abstract: Eine Photovoltaikeinheit und ein Verfahren zum Herstellen einer Photovoltaikeinheit enthalten ein Bilden einer lichtabsorbierenden Halbleiterstruktur auf einem durchlässigen Substrat, das eine erste dotierte Schicht (406) enthält, und Bilden einer intrinsischen Schicht (410) auf der ersten dotierten Schicht, wobei die intrinsische Schicht ein amorphes Material enthält. Die intrinsische Schicht wird mit einem Plasma behandelt (412), um Keimstellen zu bilden. Eine erste Tunnelübergangsschicht wird auf der intrinsischen Schicht gebildet (414), indem Mikrokristalle aus den Keimstellen wachsen gelassen werden.

公开(公告)号：DE102013209513A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102013209513

申请日：2013-05-22

Applicant: IBM ,  KING ABDULAZIZ CITY SCI & TECH

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  ALHOMOUDI IBRAHIM ,  LI NING

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04

Abstract: Verfahren zum Abtrennen lokaler Gebiete eines Basissubstrats unter Verwendung von wenigstens einem Teilbereich einer Stressorschicht, der sich auf einem Teilbereich einer obersten Oberfläche eines Basissubstrats befindet, jedoch nicht auf der gesamten. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Basissubstrats mit einer gleichmäßigen Dicke und einer planaren obersten Oberfläche, die sich über eine Gesamtheit des Basissubstrats hinweg erstreckt. Wenigstens ein Teilbereich der Stressorschicht, der eine Form aufweist, wird auf wenigstens einem Teilbereich der obersten Oberfläche des Basissubstrats gebildet, jedoch nicht auf der gesamten. Es wird ein Abtrennen durchgeführt, das einen Teilbereich einer Materialschicht von dem Basissubstrat entfernt und einen verbleibenden Teilbereich des Basissubstrats bereitstellt. Der Teilbereich der Materialschicht weist die Form des wenigstens einen Teilbereichs der Stressorschicht auf, während der verbleibende Teilbereich des Basissubstrats wenigstens eine darin befindliche Öffnung aufweist, die mit der Form der wenigstens einen Stressorschicht korreliert.