公开(公告)号：DE102004031128A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：DE102004031128

申请日：2004-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STEINLESBERGER GERNOT ,  ENGELHARDT MANFRED ,  KREUPL FRANZ ,  HOENLEIN WOLFGANG

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L51/10 ,  H01L51/30

公开(公告)号：DE10027932C2

公开(公告)日：2003-10-02

申请号：DE10027932

申请日：2000-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  WEINRICH VOLKER

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283

Abstract: A method for etching an insulating layer of an electronic or microelectronic component uses a catalyst that is present during the etching. The method is in particular used for etching oxides. The catalyst may be added in a gaseous form and/or as an intermediate layer in the component. A component having structures etched in a dielectric material, in which traces of an etching catalyst are detectable in and/or around a contact hole and/or the structures is also provided.

公开(公告)号：DE10129847A1

公开(公告)日：2003-01-23

申请号：DE10129847

申请日：2001-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERNER CHRISTOPH ,  ENGELHARDT MANFRED

IPC: H04L25/26 ,  H04L25/08 ,  H05K3/30

Abstract: A digital circuit arrangement has at least one transmitting unit (101) with a first semiconductor chip (103) and a first conversion unit (105) for converting the electrical data signals into optical data signals. At least one receiving unit (102) is provided and has a second semiconductor chip (106) and a second conversion unit (107) for converting the optical data signals into electrical data signals and for outputting the electrical data signals to the second semiconductor chip. At least one transmission unit (108) is used for transmitting the optical data signals from the first conversion unit to the second conversion unit. An Independent claim is given for a method of transmission of data signals into a digital circuit arrangement.

公开(公告)号：DE10059685A1

公开(公告)日：2002-07-04

申请号：DE10059685

申请日：2000-12-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JUNG STEFAN ,  ENGELHARDT MANFRED

IPC: G09F9/37 ,  G11C13/02 ,  G11C13/04

Abstract: The device has a substrate with a light reflective surface, at least first and second electrodes (501,502) connected to the substrate and mutually electrically isolated, at least one bundle of flexible elements applied to the first and/or second electrode that can bend in a defined direction when an electric field is applied. so that at least part of the reflective surface can be covered by the flexible elements Independent claims are also included for the following: a light detection device and data display.

公开(公告)号：DE10039411A1

公开(公告)日：2002-02-28

申请号：DE10039411

申请日：2000-08-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HINTERMAIER FRANK ,  WEINRICH VOLKER ,  HARTNER WALTER ,  SCHINDLER GUENTHER ,  ENGELHARDT MANFRED

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: The invention relates to methods for structuring ferroelectric layers on semiconductor substrates. The inventive methods retain or regenerate the adherence and breakdown voltage resistance of the ferroelectric layer, which is especially significant for producing storage capacitors in large-scale integrated FeRAM and DRAM memory components.

公开(公告)号：DE10006964C2

公开(公告)日：2002-01-31

申请号：DE10006964

申请日：2000-02-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOENLEIN WOLFGANG ,  ENGELHARDT MANFRED ,  KREUPL FRANZ

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H05K3/40 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00

Abstract: The invention provides in a preferred embodiment an electronic component comprising a first conductive layer, a non-conductive layer and a second conductive layer. A hole is etched through the non-conductive layer. A nanotube, which is provided in said hole, links the first conductive layer to the second conductive layer in a conductive manner.

公开(公告)号：DE102018122109A1

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102018122109

申请日：2018-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KUENLE MATTHIAS ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  ENGELHARDT MANFRED ,  ILLEMANN CHRISTIAN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  STORBECK OLAF

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455

Abstract: Ein CDV-Reaktor (100), einschließlich einer Abscheidungskammer (110), die einen ersten Suszeptor (121a) und einen zweiten Suszeptor (121b) aufnimmt, wobei der erste Suszeptor (121a) eine Kavität zur Aufnahme eines ersten Substrats (101a) aufweist, das erste Substrat (101a) eine Vorderfläche (102a) und eine Rückfläche (103a) aufweist, der zweite Suszeptor (121b) eine Kavität zur Aufnahme eines zweiten Substrats (101b) aufweist, das zweite Substrat (101b) eine Vorderfläche (102b) und eine Rückfläche (103b) aufweist und der erste Suszeptor (121a) und der zweite Suszeptor (121b) angeordnet sind, so dass die Vorderfläche (102a) des ersten Substrats (101a) gegenüberliegend von der Vorderfläche (102b) des zweiten Substrats (101b) ist, wodurch ein Abschnitt eines Gasstromkanals ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102013105736B4

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE102013105736

申请日：2013-06-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  MAYER KARL ,  STRANZL GUDRUN ,  ZGAGA MARTIN

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L23/48

Abstract: Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:• Bereitstellen eines Wafers mit einer Mehrzahl von Chipbereichen und einer Mehrzahl von Kerbbereichen;• Bilden eines Metallisierungsbereichs in der Mehrzahl von Chipbereichen;• Aufbringen einer Gaszusammensetzung auf den Wafer, wobei die Gaszusammensetzung die Mehrzahl von Kerbbereichen wegätzt, und• wobei die Gaszusammensetzung mit dem Metallisierungsbereich unter Bildung einer Passivierungsschicht reagiert.

公开(公告)号：DE102016122921A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE102016122921

申请日：2016-11-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTL JOHANNES ,  ENGELHARDT MANFRED ,  HELLMUND OLIVER ,  MODER IRIS ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/32 ,  H01L21/324 ,  H01L21/762

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements beinhaltet das Ausbilden einer Öffnung in einem ersten epitaxialen lateralen Überwachsungsgebiet, um eine Oberfläche des Halbleitersubstrats innerhalb der Öffnung zu exponieren. Das Verfahren beinhaltet weiterhin das Ausbilden eines Isolationsgebiets an der exponierten Oberfläche des Halbleitersubstrats innerhalb der Öffnung und das Füllen der Öffnung mit einem zweiten Halbleitermaterial, um unter Verwendung eines lateralen epitaxialen Aufwachsprozesses ein zweites epitaxiales laterales Überwachsungsgebiet auszubilden.

公开(公告)号：DE102016113013A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE102016113013

申请日：2016-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: Ein Plasmasystem umfasst eine Plasmakammer, die eine Kammerwand mit einer ersten Fokuslinie und einer zweiten Fokuslinie, die innerhalb der Plasmawand angeordnet sind, umfasst. Eine erste Antenne ist innerhalb der Plasmakammer an der ersten Fokuslinie angeordnet. Die Kammerwand ist ausgebildet zum Fokussieren einer Strahlung von der ersten Antenne auf die zweite Fokuslinie.