公开(公告)号：KR101922757B1

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：KR1020150067219

申请日：2015-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미우라시게히로 ,  가토히토시 ,  사토준 ,  나카츠보도시유키 ,  기쿠치히로유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68764

Abstract: 소정의플라즈마처리영역내에처리가스를공급하여, 플라즈마발생영역에서상기처리가스를플라즈마화해서기판(W) 상에형성된막에플라즈마처리를실시하는플라즈마처리방법이다. 기판상에형성된막의플라즈마처리에의한면내처리량의분포가취득된다. 이어서, 취득한상기면내처리량의분포에기초하여, 상기플라즈마처리의처리량을증가시키고싶은영역에공급하는상기처리가스의유속이상대적으로높아지거나, 또는상기플라즈마처리의처리량을감소시키고싶은영역에공급하는상기처리가스의유속이상대적으로낮아지도록상기처리가스의유속이조정된다. 그리고, 유속이조정된상기처리가스를상기소정의플라즈마처리영역내에공급하여, 상기기판상에형성된막에상기플라즈마처리가실시된다.

公开(公告)号：KR101888224B1

公开(公告)日：2018-08-13

申请号：KR1020140143397

申请日：2014-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  C23C16/509

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 기판을적재하는기판적재영역을공전시키기위한회전테이블과, 상기기판적재영역에대향하고, 플라즈마발생용가스의토출구가상기회전테이블의외주부측으로부터중심부측을향해직선형상으로배열된노즐부와, 상기노즐부보다도상기회전테이블의회전방향하류측에서당해노즐부를따라기판의통과영역에걸치도록신장되는직선부위와, 당해직선부위에대해평면에서보았을때에이격된영역에위치하는부위를구비함과함께, 상하방향으로신장되는축의주위에권회되고, 상기가스가공급되는처리영역에유도플라즈마를발생시키기위한안테나와, 상기안테나와상기처리영역사이에당해처리영역과는기밀하게구획하여설치되고, 상기안테나에의해발생하는전자계중 전계를차단하기위한도전판과, 상기도전판에, 상기안테나의대응하는부위와각각직교하여형성되고, 상기전자계중의자계를통과시키기위한슬릿의군을구비한패러데이실드를구비하고, 적어도상기직선부위의하방측에는상기슬릿의군이형성되고, 상기직선부위의단부로부터굴곡되는굴곡부위의하방측은, 슬릿의군이존재하지않는도전판의부위가위치하는플라즈마처리장치.

公开(公告)号：KR101885411B1

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：KR1020150019333

申请日：2015-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  사토준 ,  무라타마사히로 ,  오시모겐타로 ,  스가노도모코 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 기판에처리가스를공급하는공정과, 상기기판에분리가스를공급하는공정과, 상기기판에제1 플라즈마발생수단과상기회전테이블사이의거리가제1 거리인상태에서제1 플라즈마처리용가스를공급하는공정과, 상기기판에제2 플라즈마발생수단과상기회전테이블사이의거리가상기제1 거리보다작은제2 거리인상태에서제2 플라즈마처리용가스를공급하는공정과, 상기기판에상기분리가스를공급하는공정을갖는기판처리방법.

公开(公告)号：KR101862905B1

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：KR1020150022365

申请日：2015-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미우라시게히로 ,  가토히토시 ,  사토준 ,  고바야시다케시 ,  요네자와마사토

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32532 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334

Abstract: 본발명은소정의출력을갖는제1 고주파전력을전극에공급해서플라즈마를발생시키고, 피처리체(W)에플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치의운전방법이며, 상기플라즈마처리장치의전회의운전종료로부터의시간간격이소정간격을초과했을때에, 상기소정의출력보다도작은출력을갖는제2 고주파전력을상기전극에공급하는전하축적공정을행하고나서상기플라즈마처리를행한다.

公开(公告)号：KR101802022B1

公开(公告)日：2017-11-27

申请号：KR1020140158044

申请日：2014-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  미우라시게히로 ,  고시미즈치시오 ,  야마와쿠준 ,  야마자와요헤이

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32651

Abstract: 고주파전원에접속되는주 안테나와, 당해주 안테나에대해전기적으로절연된 (플로팅상태의) 보조안테나를배치한다. 또한, 주안테나및 보조안테나를평면에서보았을때의각각의투영영역에대해, 서로겹치지않도록한다. 구체적으로는, 주안테나에대해, 보조안테나를회전테이블의회전방향하류측에배치한다. 그리고, 주안테나를통류하는유도전류를통해보조안테나에전자계를발생시킴과함께, 보조안테나를공진시켜, 주안테나의하방측의영역뿐만아니라, 보조안테나의하방측의영역에있어서도유도플라즈마를발생시킨다.

Abstract translation: 连接到高频电源的主天线和与主天线电绝缘的辅助天线（处于浮动状态）。 而且，当从平面看时，主天线和辅助天线在各个投影区域中彼此不重叠。 具体而言，对于主天线，辅助天线设置在旋转台的旋转方向的下游侧。 通过穿过主天线的感应电流在辅助天线中产生电磁场，并且使辅助天线谐振以不仅在主天线的下侧的区域中而且在辅助天线的下侧的区域中产生感应等离子体 从而。

公开(公告)号：KR101794380B1

公开(公告)日：2017-11-06

申请号：KR1020130068486

申请日：2013-06-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠준 ,  고시미즈치시오 ,  다치바나미츠히로 ,  가토히토시 ,  고바야시다케시 ,  미우라시게히로 ,  기무라다카후미

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 본발명은각 처리가스노즐에대해회전테이블의회전방향으로이격시켜플라즈마처리부를설치하는동시에, 회전테이블을통해플라즈마처리부를면하는위치에, 당해회전테이블에접촉하지않도록바이어스전극부를설치하는것이다. 그리고, 이바이어스전극부에대해, 바이어스전압인가부로부터바이어스전압을인가함으로써, 회전테이블상의웨이퍼(W)에대해비접촉으로바이어스전압을인가한다.

公开(公告)号：KR101676083B1

公开(公告)日：2016-11-14

申请号：KR1020130085368

申请日：2013-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 본발명은회전테이블을회전시키면서, 웨이퍼에대해처리가스를공급하여반응층을형성하는스텝과, 당해반응층을플라즈마에의해개질하는스텝을반복하여박막을형성하는것이다. 그리고, 이박막을형성한후, 처리가스의공급을정지하는동시에, 가열램프를사용하여웨이퍼를성막온도보다도높은온도로가열하여박막의개질을행한다.

公开(公告)号：KR101606617B1

公开(公告)日：2016-03-25

申请号：KR1020130124796

申请日：2013-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  다나카게이이치 ,  기쿠치히로유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0262

Abstract: Si―H 결합을절단가능한제1 온도로설정된대략원통형의챔버내에, 서로이격된제1 처리영역과제2 처리영역이둘레방향을따라배치되고, 상기제1 처리영역과상기제2 처리영역을회전통과가능한회전테이블상에적재된기판상에실리콘막을형성하는성막방법이며, 상기기판이상기제1 처리영역을통과할때, 상기제1 온도보다도낮은제2 온도로설정된 SiH가스를공급하고, 상기기판의표면상에 SiH의분자층을형성하는분자층퇴적스텝과, 표면상에상기 SiH의분자층이형성된상기기판에제1 온도로유지된상기제2 처리영역을통과시키고, 상기 SiH의분자층의 Si―H 결합을절단하고, 표면상에실리콘원자층만을남기는수소이탈스텝을포함한다.

公开(公告)号：KR1020160027928A

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：KR1020150121844

申请日：2015-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미우라시게히로 ,  가토히토시 ,  사토준 ,  기쿠치히로유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 기판처리방법이며, 상기회전테이블의회전방향을따라서상기에칭가스가공급되는처리영역과, 상기에칭가스가공급되지않고퍼지가스가공급되는퍼지영역으로구획된처리실내에설치된회전테이블상에기판을적재한다. 에칭가스를상기처리영역에공급한다. 퍼지가스를상기퍼지영역에공급한다. 회전테이블을회전시키고, 상기회전테이블을 1회전시킨때 상기기판이상기처리영역과상기퍼지영역을 1회씩통과하도록한다. 상기기판이상기처리영역을통과한때 상기기판의표면에형성된막을에칭한다. 상기회전테이블의회전속도를변화시킴으로써, 상기막을에칭하는에칭레이트또는에칭후의상기막의표면조도를제어한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理方法。 将基板放置在安装在处理室中的转台上。 处理室包括供给蚀刻气体的处理区域和供给吹扫气体而不是蚀刻气体的吹扫区域。 处理区域和吹扫区域沿着转台的旋转方向布置并且彼此分开。 蚀刻气体被供给到处理区域。 净化气体被供应到净化区域。 转盘旋转以使基板分别一次通过处理区域和吹扫区域一次。 当基板通过处理区域时，在基板的表面上形成的膜被蚀刻。 通过改变转盘的旋转速度来控制蚀刻后的蚀刻蚀刻速率或蚀刻后的膜的表面粗糙度。

公开(公告)号：KR101596093B1

公开(公告)日：2016-02-19

申请号：KR1020130078708

申请日：2013-07-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0206 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32862

Abstract: 서로다른처리가스를기판에순서대로공급하는사이클을복수회반복하여반응생성물의층을적층하여박막을얻는성막장치이며, 진공용기와, 상기진공용기내에배치되어, 기판을적재하여공전시키는회전테이블과, 제1 처리가스를기판에공급하는제1 처리가스공급부와, 상기제1 처리가스공급부로부터상기회전테이블의회전방향으로이격되어설치되어, 제2 처리가스를기판에공급하는제2 처리가스공급부와, 성막처리시의상기회전테이블의회전방향에있어서, 상기제1 처리가스공급부와제2 처리가스공급부사이에설치되어, 상기제1 처리가스및 상기제2 처리가스를분리하기위한분리가스가공급되는분리영역과, 상기제1 처리가스를주로배기하기위한제1 진공배기구와, 상기제1 진공배기구로부터상기회전테이블의회전방향으로이격되어형성되어, 상기제2 처리가스를주로배기하기위한제2 진공배기구와, 상기회전테이블을클리닝하기위한클리닝가스를공급하는클리닝가스공급부를포함하는성막장치를운전하는방법에있어서, 상기제1 진공배기구로부터의배기를멈추고, 상기제2 진공배기구로부터진공배기를행하면서, 상기클리닝가스공급부로부터진공용기내로클리닝가스를공급하는클리닝공정을포함하는성막장치의운전방법.