公开(公告)号：KR101176063B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020107007389

申请日：2008-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  이시바시키요타카 ,  노자와토시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H05H1/46

Abstract: (과제) 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에 생성되는 플라즈마 밀도를 특히 원주 방향에 있어서 조정할 수 있도록 한다.
(해결 수단) 동축 도파관(30)으로부터 공급된 마이크로파가 지파판(25)을 통하여 처리 용기(2) 내로 도입되고, 처리 용기(2) 내에 있어서 처리 가스가 플라즈마화되어 기판(W)이 처리되는 플라즈마 처리 장치(1)로서, 동축 도파관(30)과 지파판(25)과의 연결 개소에 유전체 부재(45)가 배치되고, 유전체 부재(45)는, 동축 도파관(30)의 외부 도체(32)의 내부에 있어서, 내부 도체(31)를 중심으로 하는 원주 방향의 일부에 배치되고, 또한, 유전체 부재(45)는, 내부 도체(31)를 중심으로 하는 원주 방향의 임의의 위치에 배치된다.

公开(公告)号：KR101147920B1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：KR1020107023086

申请日：2009-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  다나카요시노부 ,  오사와유스케 ,  노자와토시히사 ,  마츠오카타카아키

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31612

Abstract: 실리콘 화합물 가스, 산화 가스, 및 희가스가 플라즈마 처리 장치(1)의 챔버(2) 내로 공급된다. 마이크로파가 챔버(2) 내로 공급되고, 마이크로파에 의해 발생된 플라즈마를 이용하여 피처리체 기판 상에 실리콘 산화막이 형성된다. 희가스의 분압비는 실리콘 화합물 가스, 산화 가스, 및 희가스의 전체 가스압의 10% 이상이며, 실리콘 화합물 가스와 산화 가스의 유효 흐름비(산화 가스/실리콘 화합물 가스)는 3 이상 11 이하이다.

公开(公告)号：KR1020120028853A

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020110093107

申请日：2011-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  사사키마사루 ,  하시모토준 ,  요시무라쇼타 ,  오즈토시히사 ,  니시즈카테츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: PURPOSE: A plasma etching treatment apparatus and method, and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to control a protective film to be superfluously thickened by controlling the thickness of the protective film which is formed in the off of bias under 10Å. CONSTITUTION: A gas supply part(13) supplies gas for plasma processing within a treatment basin(12). A microwave generator(15) generates plasma excited microwaves. A waveguide(16) and a coaxial waveguide(17) transmit the microwaves generated by the microwave generator within the treatment basin. A dielectric plate(18) spreads the microwave to a diametric direction. A slot antenna plate(20) radiates the microwave. A pressure control means controls the pressure within the treatment basin. A bias power supply means supplies AC bias power to a supporting stand.

Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻处理装置和方法以及半导体装置的制造方法，通过控制在10度以下的偏压下形成的保护膜的厚度来控制保护膜被超级增厚。 构成：气体供应部件（13）在处理池（12）内提供用于等离子体处理的气体。 微波发生器（15）产生等离子体激发的微波。 波导（16）和同轴波导（17）将由微波发生器产生的微波传送到处理池内。 电介质板（18）将微波扩散到直径方向。 狭缝天线板（20）辐射微波。 压力控制装置控制处理盆内的压力。 偏置电源装置向支撑架提供AC偏置电力。

公开(公告)号：KR101084493B1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：KR1020090019837

申请日：2009-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고모토신지 ,  노자와토시히사

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67126 ,  Y10S251/90 ,  Y10S414/135

Abstract: (과제) 봉지 부재(sealing member)의 열화에 의한 시일성(sealability)의 저하 및 파티클의 발생을 방지하여, 가동률을 유지할 수 있는 게이트 밸브 및 반도체 제조 장치를 제공한다.
(해결 수단) 반도체 제조 장치의 프로세스 처리가 행해지는 처리 유닛(10)과 프로세스 처리가 행해지는 웨이퍼를 반송하는 반송실(8)과의 사이에 형성되는 게이트 밸브(20)로서, 처리 유닛(10)측의 게이트 밸브(20a)와, 처리 유닛(10)측의 게이트 밸브(20a)에 구비한 O링(34a)과, 반송실(8)측의 게이트 밸브(20b)와, 반송실(8)측의 게이트 밸브(20b)에 구비한 O링(34b)과, 처리 유닛(10)측의 게이트 밸브(20a)와 반송실(8)측의 게이트 밸브(20b)와의 사이에 단열재(30)를 구비한다.
게이트 밸브, 봉지 부재, O 링

公开(公告)号：KR101046239B1

公开(公告)日：2011-07-04

申请号：KR1020097002796

申请日：2007-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모야마카즈키 ,  노자와토시히사

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  C23C14/34 ,  H01L51/50

CPC classification number: C23C14/568 ,  C23C14/228 ,  C23C16/54 ,  H01L51/56

Abstract: 유기 EL 소자 등의 제조 공정에서 형성된 각 층에서의 상호 오염을 피할 수 있고, 또한, 풋프린트도 작고 생산성이 높은 성막 시스템을 제공한다. 기판(G)에 성막하는 성막 장치(13)로서, 처리 용기(30)의 내부에서, 제 1 층을 성막시키는 제 1 성막 기구(35)와, 제 2 층을 성막시키는 제 2 성막 기구(36)를 구비하고, 제 1 성막 기구(35)는, 처리 용기(30)의 내부에 배치된, 성막 재료의 증기를 기판에 공급하는 노즐(34)과, 처리 용기의 외부에 배치된, 성막 재료의 증기를 발생시키는 증기 발생부(45)와, 증기 발생부(45)에서 발생시킨 성막 재료의 증기를 노즐(34)에 보내는 배관(46)을 구비한다.

Abstract translation: 能够避免在有机EL元件等的制造工序中形成的各层中的相互污染，并且占地面积小，生产率高的成膜系统。 用于在基板G上形成膜的成膜装置13包括用于形成第一层的第一成膜机构35和用于在处理容器30内形成第二层的第二成膜机构36 第一成膜机构35包括设置在处理容器30内的喷嘴34，用于向基板供给成膜材料的蒸气， 以及用于将在蒸汽发生部分45中产生的成膜材料的蒸汽输送到喷嘴34的管46.蒸汽发生部分45产生成膜材料的蒸汽。

公开(公告)号：KR1020100101014A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020107018236

申请日：2009-02-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  이시바시키요타카 ,  노자와토시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 플라즈마 발생실은 천판(天板)(3)에 의해 밀봉되어 있다. 천판(3)은 플라즈마 발생실측을 향하는 면에 오목부(3A)를 설치하고 반대측의 면에 중심부의 오목부(3B)를 구비한다. 천판(3) 상에는 안테나가 결합되어 있다. 안테나에는 도파관이 접속되어 있다. 도파관으로부터 마이크로파를 공급하면, 공급된 마이크로파는 안테나 간을 직경 방향으로 전파하여 안테나의 슬롯으로부터 방사된다. 마이크로파는 천판(3)을 전파하여 편파면(偏波面)을 가지며, 전체적으로 원편파(圓偏波)를 형성한다. 이 때, 천판(3)에 구비된 오목부(3A)의 측면에서 마이크로파의 공명 흡수가 일어나, 오목부(3A)의 내부에서는 단일 모드로 전파한다. 다수 있는 오목부(3A) 각각의 내부에서 강한 플라즈마가 형성되어 천판(3)에 안정된 플라즈마 모드가 생긴다.

公开(公告)号：KR100979716B1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：KR1020087020527

申请日：2007-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  이시카와히라쿠

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/26

CPC classification number: C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146

Abstract: 본 발명은, 처리 용기 내에 기판을 배치하는 공정과, 상기 처리 용기 내에 탄소와 수소와 산소를 포함하는 처리 가스를 공급하는 공정과, 상기 처리 용기 내의 기판을 가열함으로써 상기 처리 가스를 분해하고, 해당 기판 상에 비결정 탄소막을 퇴적하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 비결정 탄소막의 성막 방법이다.

公开(公告)号：KR1020100009654A

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：KR1020097026788

申请日：2008-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 우에다히로카즈 ,  노자와토시히사 ,  마츠오카타카아키 ,  테라모토아키노부 ,  오오미타다히로

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116

Abstract: A semiconductor device manufacturing method includes a step of forming a semiconductor element on a semiconductor substrate, and a step of forming a film on the semiconductor element by a CVD process. In the CVD process, microwaves are used as a plasma source, and microwave plasma, which has a plasma electron temperature of 1.5eV or below and a plasma electron density of 1×10cmor higher in the vicinity of the surface of the semiconductor substrate, is used.

Abstract translation: 半导体器件制造方法包括在半导体衬底上形成半导体元件的步骤，以及通过CVD工艺在半导体元件上形成膜的步骤。 在CVD工艺中，使用微波作为等离子体源，在半导体基板的表面附近具有等离子体电子温度为1.5eV以下且等离子体电子密度为1×10cm以上的微波等离子体为 用过的。

公开(公告)号：KR1020090053905A

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：KR1020097004902

申请日：2008-08-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  니시즈카테츠야 ,  이시바시키요타카 ,  노자와토시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511

CPC classification number: H01L21/461 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H05H1/46 ,  Y10T428/24273

Abstract: 진공흡인 가능한 처리 용기의 천정부에 형성되어, 나란히 형성되는 평면 안테나 부재의 슬롯으로부터 방사(radiation)되는 마이크로파를 처리 용기 내로 투과 가능한 천판(top plate)으로서, 천판의 처리 용기 내를 향하는 면측에 방사상으로 형성된 복수의 돌기부를 구비하는 천판을 개시한다.
천판, 돌기부, 방사상

公开(公告)号：KR1020090028541A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：KR1020087030945

申请日：2007-06-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  야기야스시

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C16/00 ,  C23C14/12 ,  C23C14/3464 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/5237

Abstract: A light emitting element manufacturing apparatus is provided for manufacturing a light emitting element by forming an organic layer including a light emitting layer on a substrate to be processed. The light emitting element manufacturing apparatus is provided with a plurality of processing chambers to which the substrates to be processed are sequentially transferred to be processed, and a plurality of substrate transfer chambers connected to the processing chambers, respectively. Substrate holding containers constituted to hold inside the substrates are sequentially connected to the substrate transfer chambers to sequentially transfer the substrates into the processing chambers, and the substrate processings are sequentially performed.

Abstract translation: 提供一种发光元件制造装置，用于通过在待处理的基板上形成包括发光层的有机层来制造发光元件。 发光元件制造装置设置有多个处理室，待处理的基板顺序地转印到处理室，以及分别连接到处理室的多个基板传送室。 构成保持在基板内的基板保持容器依次连接到基板传送室，以将基板依次传送到处理室中，并且顺序地进行基板处理。