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公开(公告)号：KR1020080050885A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020060121756
申请日：2006-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03M1/44
Abstract: A multi-bit pipeline analog-to-digital converter changing an operation mode is provided to minimize a power consumption of the ADC by changing the operation mode of the ADC according to a required resolution and an operation frequency. A multi-bit pipeline analog-to-digital converter includes an SHA(10), n+1 B-bit flash ADCs(Analog Digital Converters)(20), n B-bit MDACs(30), and a mode control circuit(50). The SHA(Sampling and Holding Apparatus) samples and holds an input analog voltage. The B-bit flash ADCs receive analog signals, convert the received signals to a digital signal, and output the result. The B-bit MDACs(Multiplying Digital to Analog Converters) convert a difference between the digital signal from the B-bit flash ADC and a previous output signal to an analog signal, and output the result. The mode control circuit generates an n-bit control signal for controlling the flash ADC and the MDAC according to a resolution and an operation frequency.
Abstract translation: 提供改变操作模式的多位流水线模数转换器，以通过根据所需分辨率和操作频率改变ADC的操作模式来最小化ADC的功耗。 多位流水线模数转换器包括SHA（10），n + 1个B位闪存ADC（模拟数字转换器）（20），n个B位MDAC（30）和模式控制电路 50）。 SHA（采样和保持设备）采样并保持输入模拟电压。 B位闪存ADC接收模拟信号，将接收的信号转换为数字信号，并输出结果。 B位MDAC（乘法数字到模拟转换器）将来自B位闪存ADC的数字信号与先前的输出信号之间的差值转换为模拟信号，并输出结果。 模式控制电路根据分辨率和操作频率产生用于控制闪存ADC和MDAC的n位控制信号。
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公开(公告)号：KR100744529B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020020079736
申请日：2002-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C11/22
Abstract: 쓰기 동작시 신호의 간섭 또는 방해 작용으로 인한 기록된 정보의 상실을 방지하여, 안정된 읽기 및 쓰기 동작을 수행할 수 있는 비휘발성 강유전체 메모리 셀, 그것의 레이아웃 구조 및 그것의 어레이 구조를 개시한다. 개시된 본 발명의 비휘발성 강유전체 메모리 셀은, 워드 라인과 비트 라인은 서로 평행하게 연장되고, 상기 워드 라인 및 비트 라인과 직교하도록 쓰기 신호선 및 읽기 신호선이 서로 평행하게 연장되어, 단위 셀이 한정된다. 상기 쓰기 신호선과 워드 라인 사이에는, 쓰기 신호선의 구동시 워드 라인의 신호를 스위칭하는 모스 트랜지스터가 연결되고, 상기 비트 라인과 읽기 신호선 사이에는 상기 모스 트랜지스터의 출력에 응답하여, 상기 비트 라인의 신호를 읽기 신호선으로 전달하도록 강유전체 트랜지스터가 연결된다. 또한, 상기 강유전체 트랜지스터의 기판에는 일정한 전압을 지속적으로 공급하는 전압원이 연결된다.
비휘발성, 비파괴, 강유전체, 메모리 셀-
公开(公告)号：KR1020070061243A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060074089
申请日：2006-08-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/16
CPC classification number: H03K23/667 , H03L7/0898 , H03L7/093 , H03L7/099 , H03L7/193
Abstract: A wide band multi mode frequency combiner and a variable divider are provided to reduce power consumption and an implementation area by embedding a multi mode pre-scaler. A wide band multi mode frequency variable divider includes a pre-scaler(301), a main counter(307), and a swallow counter(308). The pre-scaler selects one of dual division values according to an external frequency band selection signal. The main counter counts the number of output pulses of the pre-scaler. The swallow counter indicates an interval which is divided by the specific division value among the dual division values. The variable divider divides an oscillation signal which is applied from the outside by a designated integer value, and outputs the divided value as a feedback signal.
Abstract translation: 提供宽带多模式频率组合器和可变分频器以通过嵌入多模式预分频器来降低功耗和实现区域。 宽带多模式频率可变分频器包括预分频器（301），主计数器（307）和吞咽计数器（308）。 预分频器根据外部频带选择信号选择双分频值之一。 主计数器计数预分频器的输出脉冲数。 吞咽计数器指示除以二分割值之间的特定分割值的间隔。 可变分频器将从外部施加的振荡信号除以指定的整数值，并将该分频值作为反馈信号输出。
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公开(公告)号：KR100528965B1
公开(公告)日：2005-11-15
申请号：KR1020020073314
申请日：2002-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 저전압 구동 플라즈마 표시 패널(plasma display panel) 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따른 장치는 고효율 저전압 구동 전자총을 포함하여 구성된다. 예를 들어, 제1기판과, 제1기판에 이격되어 방전될 가스가 도입되는 공간을 제공하는 투명한 제2기판과, 제1기판 및 상기 제2기판 사이를 단위 표시 셀 별로 구획짓는 격벽들과, 제1기판에 대향하는 상기 제2기판 면 상에 도입되는 형광층과, 단위 표시 셀 별로 형광층에 대향되는 제1기판 면 상에 도입되어 가스의 방전을 위한 전자들을 방출할 전자총이되, 제1기판의 표면 보다 낮게 도입되어 캐소드로 이용되는 제1내측 전극, 제1내측 전극 상에 도입된 탄소 나노튜브 에미터, 제1기판을 관통하여 제1내측 전극에 연결되는 제1외측 전극, 제1기판 상에 도입된 애노드로 이용되는 제2내측 전극, 및 이에 연결되는 제2외측 전극을 포함하는 전자총, 및 제1기판의 후면에 도입되어 방전을 위한 교류 전압이 인가되는 방전 전극들을 포함하여 구성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR100497333B1
公开(公告)日：2005-06-28
申请号：KR1020020069434
申请日：2002-11-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 감지된 가스 도는 적외선 정보가 열전도에 의하여 짧은 시각내에 감쇄하는 것을 방지하는데 적합한 감지기용 픽셀 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 감지기용 픽셀은 판독용 집적회로가 형성된 반도체 기판, 상기 반도체 기판상에 공기 간극을 두고 이격된 감지부, 및 상기 감지부와 상기 반도체기판을 물리적으로 연결하는 절연성 기둥을 포함하여, 가스 또는 적외선 등을 감지하는 게이트에 의하여 트랜지스터 드레인 전류가 변화하는 TFT 구조가 진공이나 공기간극에 의하여 반도체 기판과 이격되므로써 감지된 정보가 열전도에 의하여 짧은 시각내에 감쇄하는 것을 방지하기 때문에 주사방식용 감지기 어레이를 구현할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100495802B1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020020065430
申请日：2002-10-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 적외선 감지용 픽셀 및 그 제조방법에 관한 것으로, 읽어내기 회로를 포함하는 반도체 기판, 반도체 기판 상부에 공간적으로 분리되어 위치하며 적외선을 감지하는 감지부 및 반도체 기판과 감지부를 연결하며, 외부에 절연 기둥 및 내부에 전도성 브릿지의 이중 실린더 모양으로 된 복수개의 지지대를 포함하고, 감지부로부터 감지된 신호는 전도성 브릿지를 통해 반도체 기판의 읽어내기 회로에 전달되는 것을 특징으로 한다. 따라서, 구조가 제조되기에 용이하며 열적 및 전기적 특성도 종래의 구조보다 양호하고, 감지기의 면적 효율이 높은 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100470834B1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：KR1020020073313
申请日：2002-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/105
Abstract: 강유전체 메모리 전계 효과 트랜지스터의 게이트 스택 제조방법을 제공한다.본 발명은 반도체 기판 상에 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막이 순차적으로 적층된 확산 차폐층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 확산 차폐층 상에 비스무스-란탄-티타늄-산화물을 포함하는 금속 유기물 용액을 코팅한 후, 상기 코팅된 금속 유기물 용액을 건조시켜 금속 유기물을 형성한다. 상기 금속 유기물을 450℃ 내지 550℃ 온도에서 1차 열처리하여 후에 형성되는 강유전체막의 c축 방향의 결정성을 증가시킨다. 상기 1차 열처리된 금속 유기물을 2차 열처리함으로써 상기 금속 유기물을 결정화시켜 비스무스-란탄-티타늄-산화물로 구성된 강유전체막을 형성한다. 상기 강유전체막 상에 상부 전극을 형성한다. 본 발명은 적절한 확산 차폐층의 선택과 강유전체막의 제조 방법을 최적화하여 강유전체 메모리 전계 효과 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040052018A
公开(公告)日：2004-06-19
申请号：KR1020020079736
申请日：2002-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/2273 , G11C5/025 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C11/2275 , G11C11/2297 , H01L27/11502
Abstract: PURPOSE: A non-volatile ferroelectric memory cell and a layout and an array structure thereof are provided to improve the stability of read and write operations by preventing a loss of recorded information due to interference of signals upon a write operation. CONSTITUTION: A bit line(40) is in parallel with a word line(10). A write signal line(20) is orthogonal to the word line(10) and the bit line(40). A read signal line(30) is in parallel with the write signal line(20) and orthogonal to the word line(10) and the bit line(40) to limit a unit cell. A MOS(Metal Oxide Semiconductor) transistor(100) switches a signal of the word line(10) upon driving the write signal line(20). A ferroelectric transistor(200) transmits the signal of the bit line(40) to the write signal line(20) in response to an output of the MOS transistor(100). A voltage source(300) is connected to the ferroelectric transistor(200) to supply a constant voltage continuously.
Abstract translation: 目的：提供非挥发性铁电存储单元及其布局和阵列结构，以通过防止由写入操作引起的信号干扰导致的记录信息丢失，从而提高读写操作的稳定性。 构成：位线（40）与字线（10）并联。 写信号线（20）与字线（10）和位线（40）正交。 读信号线（30）与写信号线（20）并联并且与字线（10）和位线（40）正交以限制单元。 MOS（金属氧化物半导体）晶体管（100）在驱动写入信号线（20）时切换字线（10）的信号。 铁电晶体管（200）响应于MOS晶体管（100）的输出将位线（40）的信号发送到写入信号线（20）。 电压源（300）连接到铁电晶体管（200）以连续地提供恒定电压。
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公开(公告)号：KR1020040045512A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：KR1020020073313
申请日：2002-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/105
Abstract: PURPOSE: A gate stack of a ferroelectric memory FET(Field Effect Transistor) and a manufacturing method thereof are provided to be capable of optimizing the electrical characteristics of the device. CONSTITUTION: A gate stack(25) of a ferroelectric memory FET is provided with a semiconductor substrate(11) and a diffusion barrier(19) formed on the semiconductor substrate. At this time, the diffusion barrier is completed by sequentially forming a silicon oxide layer(13), a silicon nitride layer(15), and a silicon oxide layer(17). The gate stack further includes a Bi-La-Ti-O ferroelectric layer(21) formed on the diffusion barrier and an upper electrode(23) formed on the ferroelectric layer. Preferably, a (BixLa1-x)4Ti3O12 layer is used as the ferroelectric layer.
Abstract translation: 目的：提供铁电存储FET（场效应晶体管）的栅极叠层及其制造方法，能够优化器件的电气特性。 构成：铁电存储器FET的栅极堆叠（25）设置有形成在半导体衬底上的半导体衬底（11）和扩散阻挡层（19）。 此时，通过依次形成氧化硅层（13），氮化硅层（15）和氧化硅层（17）来完成扩散阻挡层。 栅堆叠还包括形成在扩散阻挡层上的Bi-La-Ti-O铁电层（21）和形成在强电介质层上的上电极（23）。 优选使用（BixLa1-x）4Ti3O12层作为铁电体层。
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公开(公告)号：KR1020040041264A
公开(公告)日：2004-05-17
申请号：KR1020020069436
申请日：2002-11-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A pixel array for an infrared ray detector having a TFT(Thin Film Transistor) structure and a manufacturing method thereof are provided to be capable of restraining the attenuation of detected infrared ray information in short time due to thermal conductivity. CONSTITUTION: A pixel array for an infrared ray detector includes a semiconductor substrate(31) having an IC(Integrated Circuit) for reading infrared rays. At this time, the IC for reading infrared rays includes an electrode(32). The pixel array for an infrared ray detector further includes an infrared ray detecting part spaced apart from the semiconductor substrate as much as the height of an air gap(48), and a conductive connection electrode(37a) for connecting the infrared ray detecting part with the electrode. Preferably, the infrared ray detecting part includes a plurality of infrared ray detecting layers(40).
Abstract translation: 目的：提供具有TFT（薄膜晶体管）结构的红外线检测器的像素阵列及其制造方法，其能够在短时间内抑制由于导热性而导致的检测出的红外线信息的衰减。 构成：用于红外线检测器的像素阵列包括具有用于读取红外线的IC（集成电路）的半导体衬底（31）。 此时，用于读取红外线的IC包括电极（32）。 用于红外线检测器的像素阵列还包括与半导体衬底间隔开多个气隙（48）的高度的红外线检测部分和用于将红外线检测部分与 电极。 优选地，红外线检测部分包括多个红外线检测层（40）。
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