公开(公告)号：DE102016106387A1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：DE102016106387

申请日：2016-04-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  NEUDECKER INGO ,  PLÖSSL ANDREAS

IPC: H01L25/075 ,  G09F9/33 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492 ,  H01L33/62 ,  H05K3/32

Abstract: Lichtemittierendes Bauteil mit einem Träger, wobei auf dem Träger eine elektrische Kontaktfläche ausgebildet ist, wobei auf der Kontaktfläche eine elektrisch leitende Kontaktfolie angeordnet ist, wobei ein lichtemittierendes Bauelement vorgesehen ist, wobei das Bauelement auf einer ersten Seite einen elektrischen Anschluss aufweist, wobei das Bauelement mit der ersten Seite auf der Kontaktfolie aufliegt und mit der ersten Seite mit der Kontaktfolie verbunden ist, wobei der elektrische Anschluss auf der Kontaktfolie aufliegt und mit der Kontaktfolie elektrisch leitend verbunden ist, und wobei der elektrische Anschluss über die Kontaktfolie mit der Kontaktfläche elektrisch leitend verbunden ist.

公开(公告)号：DE102016105989A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：DE102016105989

申请日：2016-04-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  SABATHIL MATTHIAS ,  SINGER FRANK

IPC: G05D25/02 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H05B44/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Modul (1) mit – einer Vielzahl von Emissionsbereichen, die dazu ausgebildet sind, im Betrieb Licht zu emittieren, umfassend zumindest einen ersten (101) und einen zweiten (102) Emissionsbereich erster Art, die Licht eines ersten Farbortes emittieren und zumindest einen ersten (201) und einen zweiten (202) Emissionsbereich zweiter Art, die Licht eines zweiten Farbortes emittieren, und – einer Ansteuervorrichtung (2) zur Bestromung der Emissionsbereiche, wobei – der erste Farbort unterschiedlich vom zweiten Farbort ist, – der erste (101) und zweite (102) Emissionsbereich erster Art zueinander benachbart sind, – der erste (201) und zweite (201) Emissionsbereich zweiter Art zueinander benachbart sind, – die Ansteuervorrichtung (2) dazu ausgebildet ist, alle Emissionsbereiche getrennt voneinander zu betreiben, – die Ansteuervorrichtung (2) dazu ausgebildet ist, die Emissionsbereiche erster Art (101, 102) redundant zu betreiben, und – die Ansteuervorrichtung (2) dazu ausgebildet ist, die Emissionsbereiche zweiter Art (201, 202) redundant zu betreiben.

公开(公告)号：DE102015111573A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：DE102015111573

申请日：2015-07-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUR JOHANNES ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  HÖPPEL LUTZ ,  MAUTE MARKUS ,  SCHWARZ THOMAS ,  SABATHIL MATTHIAS ,  WIRTH RALPH ,  LINKOV ALEXANDER

IPC: H01L33/42

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (10) angegeben umfassend einen Licht emittierenden Halbleiterkörper (1) mit einer Abstrahlseite (1a), eine Stromaufweitungsschicht (2), welche an der Abstrahlseite (1a) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist und diese zumindest teilweise abdeckt, wobei die Stromaufweitungsschicht (2) ein für das vom Halbleiterkörper (1) abgestrahlte Licht transparentes elektrisch leitfähiges Material (2a) und Partikel (2b) eines weiteren Materials umfasst, und einen elektrischen Kontakt (3), welcher auf einer dem Halbleiterkörper (1) abgewandten Seite (2c) der Stromaufweitungsschicht (2) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102015107742A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：DE102015107742

申请日：2015-05-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  SINGER FRANK

IPC: H01L33/62 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

Abstract: Das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (10) umfasst ein Bereitstellen eines Wafersubstrats (1) umfassend eine lichtemittierende Schichtenfolge (1a), ein Vereinzeln des Wafersubstrats (1) mit der Schichtenfolge (1a) in mehrere Halbleiterbauteile (3), ein Aufbringen der Halbleiterbauteile (3) auf einen Zwischenträger (4), und ein Anordnen eines Vergusses (5) auf den Zwischenträger (4), so dass der Verguss (5) die Halbleiterbauteile (3) lateral umgibt und mit Seitenflächen (3b) der Halbleiterbauteile (3) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Anordnen jeweils eines Kontaktes (6) auf jeweils einem Halbleiterbauteil (3) und dem Verguss (5), wobei jeweils ein Kontakt (6) an einer dem Zwischenträger (4) abgewandten Seite (3a) des Halbleiterbauteils (3) und des Vergusses (5) angeordnet ist. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Verbinden des Bauteils (10) mit einem Trägerelement (7), an einer dem Zwischenträger (4) abgewandten Seite (3a) der Halbleiterbauteile (3), ein Entfernen des Zwischenträgers (4) und jeweils des Wafersubstrats (1) der Halbleiterbauteile (3), und ein elektrisches Kontaktieren der Halbleiterbauteile (3) über die Kontakte (6) und den Verguss (5), wobei eine Kontaktschicht (8) über eine Oberseite (5a) des Vergusses (5), welche den Kontakten (6) abgewandt ist, zur lichtemittierenden Schichtenfolge (1a) geführt wird.

公开(公告)号：DE102014116134A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：DE102014116134

申请日：2014-11-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÖNCH WOLFGANG ,  SINGER FRANK ,  SCHWARZ THOMAS ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/58

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Einbetten eines optoelektronischen Bauteils in einen Formkörper derart, dass eine Oberseite des optoelektronischen Bauteils an einer Oberseite des Formkörpers zumindest teilweise freiliegt, zum Anordnen und Strukturieren einer Opferschicht über der Oberseite des optoelektronischen Bauteils und der Oberseite des Formkörpers, zum Anordnen und Strukturieren einer Schicht eines optischen Materials über der Opferschicht, und zum Entfernen der Opferschicht.

公开(公告)号：DE102014112818A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：DE102014112818

申请日：2014-09-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  MOOSBURGER JÜRGEN

IPC: H01L33/52 ,  H01L21/98 ,  H01L25/075 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/18 ,  H01L33/62

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips und eines Reflektors an einer Oberseite einer Trägerfolie, zum Anordnen eines Vergussmaterials in einem Bereich zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Reflektor und zum Ausbilden eines Formkörpers, wobei der optoelektronische Halbleiterchip, der Reflektor und das Vergussmaterial in den Formkörper eingebettet werden.

公开(公告)号：DE112014001966A5

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：DE112014001966

申请日：2014-04-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/44

公开(公告)号：DE112014000732A5

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE112014000732

申请日：2014-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  STEGMEIER STEFAN ,  ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  WEGLEITER WALTER ,  WEIDNER KARL

IPC: H01L33/62

公开(公告)号：DE102013107967A1

公开(公告)日：2015-02-19

申请号：DE102013107967

申请日：2013-07-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  HÖPPEL LUTZ

IPC: H01L33/20 ,  H01L25/075 ,  H01L33/54

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Träger (2) und einen Halbleiterkörper (1) umfassend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) aufweist, wobei der Halbleiterkörper auf dem Träger angeordnet ist, der Halbleiterkörper eine dem Träger abgewandte erste Hauptfläche (1A) und eine dem Träger zugewandte zweite Hauptfläche (1B) aufweist, der Halbleiterchip eine Seitenfläche (1C) mit einer Verankerungsstruktur (4) aufweist, und die zweite Hauptfläche zwischen der ersten Hauptfläche und der Verankerungsstruktur angeordnet ist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE102013103763A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：DE102013103763

申请日：2013-04-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ BRITTA ,  MOOSBURGER JÜRGEN

IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement. Das optoelektronische Bauelement weist einen optoelektronischen Halbleiterchip (110) und ein poröses keramisches Konversionselement (120) auf. Das poröse keramische Konversionselement (120) weist einen ersten Leuchtstoff auf. Das optoelektronische Bauelement weist des Weiteren einen in Hohlräumen (121) des porösen keramischen Konversionselements (120) angeordneten zweiten Leuchtstoff (130) auf. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.