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公开(公告)号：KR101796006B1
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020160036148
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/049 , H01L31/0236 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지에관한것으로서, 벌크기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층상부에후면전극을형성하는제2단계와, 상기후면전극상부에홀패턴이구비된플렉시블기판을형성시키는제3단계와, 상기벌크기판을제거하는제4단계와, 상기반도체층하부에전면전극을형성하는제5단계와, 상기홀패턴내부에전도성재료를충진시키는제6단계및 상기전도성재료가홀패턴에충진된플렉시블기판전면에금속백시트를형성하는제7단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는전도성기판을갖는플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지그리고이를이용한플렉시블태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은홀패턴이구비된플렉시블기판을사용하고, 상기홀패턴에전도성재료를충진하여사용함으로써, 플라스틱재료의유연성과전도성재료의전도성을융합시킨전도성을갖는플렉시블기판을적용하여, 기존플렉시블기판사용시문제되는전기적및 열적특성을향상시켜태양전지의성능을개선시키고, 이러한홀패턴이구비된플렉시블기판을사용한플렉시블태양전지는직렬로연결하여모듈형태로사용할시에후면전극연결문제를해결하고, 무게를획기적으로줄일수 있는초경량플렉시블태양전지또는초경량플렉시블태양전지모듈을제공할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101775977B1
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160038667
申请日：2016-03-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/049 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/03926 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/042 , H01L31/049 , H01L31/0504 , H01L31/18 , H01L31/1892
Abstract: 본발명은플렉시블태양전지모듈의제조방법및 이에의해제조된플렉시블태양전지모듈에관한것으로서, 벌크기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층상부에후면전극층을형성하는제2단계와, 상기후면전극층상부에전도성플렉시블기판을형성시키는제3단계와, 상기벌크기판을제거하여상기의전도성플렉시블기판, 후면전극층및 반도체층으로이루어진반도체셀을분리하고, 상기반도체셀을임시기판상에상기전도성플렉시블기판이접하도록형성하는제4단계와, 상기임시기판상에형성된상기반도체층상부의일부영역에전면전극및 반사방지막을형성하고, 에칭공정을이용하여복수개의태양전지셀을제조하는제5단계와, 이송수단을이용하여상기복수개의태양전지셀을상기임시기판으로부터분리하는제6단계와, 후면전극회로가인쇄된밀봉재필름또는후면전극회로가인쇄된백시트필름상에상기복수개의태양전지셀의후면(전도성플렉시블기판측)을부착하는제7단계와, 전면전극회로가인쇄된밀봉재필름, 또는 (전면전극회로가인쇄되지않은) 전면밀봉재필름을상기복수개의태양전지셀의전면(전면전극측)에부착하여플렉시블태양전지모듈구조체를형성하는제8단계및 상기후면전극회로가인쇄된백시트필름을사용한경우에는상기플렉시블태양전지모듈구조체상부에전면시트필름을위치시키고, (상기후면전극회로가인쇄된백시트필름을사용하지않고) 상기후면전극회로가인쇄된밀봉재필름을사용하는경우에는상기플렉시블태양전지모듈구조체상하부에각각전면시트필름및 백시트필름을위치시킨후, 라미네이팅공정을수행하여플렉시블태양전지모듈을형성하는제9단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는플렉시블태양전지모듈의제조방법및 이에의해제조된플렉시블태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은전도성플렉시블기판을적용하여기존의플렉시블태양전지셀에서의전기적및 열적특성을개선시키고, 전극연결구조를개선하며, 특히전극회로가인쇄된필름을이용하여라미네이팅공정을적용함으로써, 금속전극선본딩공정이배제되고태양전지셀의직렬및 병렬연결구조가단순화되어플렉시블태양전지모듈의제조가용이한이점이있다.
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公开(公告)号：KR101762921B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020150148153
申请日：2015-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은집광형태양광발전방법및 시스템에관한것으로서, 상기방법은태양추적방식에따라태양의황도를계산하여태양전지판을조정하는단계, 상기태양전지판을구성하는하나이상의단위모듈에서태양광을집광하는단계,단위모듈에장착된온도센서를이용하여, 온도분포를측정하는단계및 측정한온도분포결과에따라하나이상의단위모듈을보정하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明稠合形式阳光涉及一种发电的方法和系统，所述方法包括：计算一个太阳能黄道调整根据太阳能跟踪方法的太阳能电池板，集中构成太阳能面板上的一个或更多个单元模块的太阳光 使用安装在单元模块上的温度传感器测量温度分布，并且根据测量的温度分布结果校正一个或多个单元模块。
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公开(公告)号：KR101758306B1
公开(公告)日：2017-07-17
申请号：KR1020150055383
申请日：2015-04-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은제1TCR 성질을갖고저항값을측정하는하나이상의제1볼로미터; 및상기제1볼로미터와상이한제TCR 성질을갖고저항값을측정하는하나이상의제2볼로미터를포함하는것을특징으로하는볼로미터어레이시스템을제공한다. 본발명에의하면, 볼로밑터가측정한현재온도의오차를줄일수 있다.
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公开(公告)号：KR101673971B1
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020150001431
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는도즈보다낮고임계경화되는도즈보다높은도즈로광경화를수행하는메타-광경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-광경화임프린팅공정과완전경화포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법을기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의도즈에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160110742A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150033954
申请日：2015-03-11
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82B1/00 , H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: B82B3/0019 , B82B1/001 , B82B3/0014 , H01L21/02601 , H01L21/0274
Abstract: 본발명은금속산화물나노입자구조체에관한것으로서, 기판상에금속레지스트를코팅하여, 금속레지스트층을형성하는제1단계와, 상기금속레지스트층을패턴화하여, 상기기판의일부영역을노출시키고, 일정주기(c), 폭(a) 및높이(b)를갖는금속레지스트패턴을형성하는제2단계및 상기금속레지스트패턴에에너지를가하여, 상기금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따른상기금속레지스트패턴의주기(c), 폭(a) 및높이에대응하여일정주기(e),(f), 크기(d)를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는패턴화된금속산화물나노입자구조체의제조방법및 이에의해제조된패턴화된금속산화물나노입자구조체를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은, 기판상에금속레지스트를코팅하여패턴을형성하고, 에너지를가하여금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따라소정의주기및 크기를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하여, 간단한방법으로나노입자의위치와크기및 배열주기의제어가용이하여미세패턴의제작이용이한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及金属氧化物纳米颗粒结构，本发明的技术要点在于制造图案化的金属氧化物纳米颗粒结构的方法和由其制造的图案化的金属氧化物纳米颗粒结构，其中该方法包括：第一 在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成金属抗蚀剂层的步骤; 用于图案化金属抗蚀剂层的第二步骤，暴露基底的区域并形成在该区域上具有特定间隔（c），宽度（a）和高度（b）的金属抗蚀剂图案; 以及第三步骤，用于激励金属抗蚀剂图案以形成具有间隔（e），（f）和尺寸（d）的金属氧化物纳米颗粒结构，所述区间（c），宽度（a）和高度 金属抗蚀剂图案由于有机物的降解和金属抗蚀剂中所含的金属分子的聚集而引起。 因此，通过在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成图案并激发图案，以形成由于有机物的降解和包含在金属抗蚀剂中的金属分子的聚集而具有一定间隔和尺寸的图案化金属氧化物纳米颗粒结构， 本发明提供了制造微图案的有利方法，其中可以容易地控制纳米颗粒的位置，尺寸和排列间隔。
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公开(公告)号：KR101656206B1
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：KR1020140152376
申请日：2014-11-04
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은파장변환소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따르면 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 제1방향으로분극(polarization)이형성된제1종질화물반도체블럭(block); 및 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 상기제1종질화물반도체블럭에접하며, 상기제1종질화물반도체블럭에형성된분극과반대방향인제2방향으로분극이형성된제2종질화물반도체블럭;를포함하고, 상기제1종질화물반도체블럭의측면에상기제2종질화물반도체블럭이접하여분극교차구조를이루며, 일측에서상기제1종질화물반도체블럭으로입사되어상기제1종질화물반도체블럭및 상기제2종질화물반도체블럭을투과하는입사광으로부터 2차조화파(second harmony generation)를발생시키는것을특징으로하기때문에광의진행방향에대한수직방향으로분극이교차로변하는구조(분극교차구조)를 InAlGaN을기반으로하는질화물반도체를통해구현해냄으로써준위상정합(Quasi Phase Matching)을실현해낼 수있게되었으며, 보다넓은파장영역대에서 2차조화파발생을통한 UV 레이저를제조할수 있는기술이개시된다.
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68.发明公开
公开(公告)号：KR1020160024062A
公开(公告)日：2016-03-04
申请号：KR1020140109707
申请日：2014-08-22
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은마이크로유체채널에관한것으로서, 마이크로유체채널의제조방법에있어서, 기판상에패터닝에의한채널부와밸브부를형성하는제1단계와, 상기기판전면에산화막층을형성하여상기채널부는실링시키고, 상기밸브부는오픈시켜상기채널부내부는친수성영역이확보되도록하는제2단계와, 상기기판전면을표면처리하여상기밸브부내부는소수성영역이확보되도록하는제3단계와, 상기기판전면에폴리머코팅하여상기밸브부를실링하고상기채널부및 밸브부를본딩하는제4단계와, 상기기판에마이크로유체채널분리를위한패턴을형성하는제5단계와, 상기기판상에서마이크로유체채널을분리하는제6단계를포함하여이루어진것을특징으로하는친수성및 소수성영역이선택적으로구현된마이크로유체채널의제조방법및 이에의해제조된마이크로유체채널을그 기슬적요지로한다. 이에의해선택적으로표면화학적성질(surface chemistry)을용이하게변경할수 있어, 복잡한공정설계가필요없어제 비용의절감및 수율을상승시키고, 친수성및 소수성영역에대한재현성이우수하여고집적도의정밀한유체의흐름을제어할수 있어신뢰성있는마이크로유체채널을제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 微流体通道及其制造方法技术领域本发明涉及微流体通道及其制造方法。 更具体地，本发明涉及一种具有选择性形成的亲水和疏水区域的微流体通道的制造方法，其包括：通过图案化在基底上形成通道和阀的第一步骤; 在衬底的整个表面上形成氧化膜层并在打开阀门的同时密封通道以将通道内的亲水区域固定的第二步骤; 表面处理基板的整个表面以将阀内的疏水区域固定的第三步骤; 在基板的整个表面上涂覆聚合物的第四步骤，密封阀并粘合通道和阀; 形成用于分离衬底上的微流体通道的图案的第五步骤; 以及分离基板上的微流体通道的第六步骤和通过该方法制造的微流体通道。 根据本发明，有利地，该方法易于选择性地改变表面化学，因此不需要设计复杂的工艺来降低成分成本并提高产量，由于亲水和疏水区域的高再现性而控制流体的高集成精确流动，并且 从而提供可靠的微流体通道。
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公开(公告)号：KR101564702B1
公开(公告)日：2015-10-30
申请号：KR1020130161597
申请日：2013-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은전기도금장치및 그방법에관한것으로서, 기판을수용하는도금조와, 상기기판의피도금면에대향되어위치하며, 도금금속이연결되는양극과, 상기양극과상기기판과의사이에소정의전기장이형성되도록상기기판과연결되는음극을포함하여구성된전기도금장치에있어서, 기판에전압을인가하는전원공급부와, 상기전원공급부에직렬연결된가변저항부와, 상기가변저항부및 상기기판에병렬연결된바이패스부와, 상기전원공급부, 가변저항부및 바이패스부와연결되어상기기판에인가되는전압및 전류밀도를제어하는제어부를포함하여이루어진것을특징으로하는전압과전류밀도를제어할수 있는전기도금장치및 그전기도금방법을기술적요지로한다. 이에의해전기도금공정을진행함에있어, 최적도금공정이가능한전압과전류밀도를동시에제어할수 있어고품질의도금공정의수행이가능한이점이있다.
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70.发明公开전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법 및 이에 의해 제조된 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 이용한 트랜지스터 有权使用自控MOS2单层的电镀方法和晶体管自控MOS2单层的合成方法
公开(公告)号：KR1020150078876A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130168674
申请日：2013-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은단일층이황화몰리브덴합성방법에관한것으로서, 전기도금공정을이용하여음극에자기제어이황화몰리브덴(MoS) 단일층(self controlled MoSsingle layer)을증착시키는제1단계와, 상기자기제어이황화몰리브덴단일층의증착후 상기자기제어이황화몰리브덴단일층을결정화하는제2단계를포함하여구성된것을특징으로하는전기도금공정을이용한자기제어이황화몰리브덴단일층의합성방법및 이에의해제조된자기제어이황화몰리브덴단일층을이용한트랜지스터를기술적요지로한다. 이에의해기존의단일층(single layer) 형성방법이아닌전기도금공정에의해자기제어방식으로이황화몰리브덴단일층이합성되도록하여, 저비용으로이황화몰리브덴단일층을용이하게구현할수 있으며, 균일도가개선되어대면적, 고품질의이황화몰리브덴단일층을제공할수 있으며, 트랜지스터재료에적용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及合成自控MoS2单层的方法。 该方法包括通过使用电镀工艺在阴极上沉积自我控制的MoS2单层的第一步骤; 以及在自控MoS2单层沉积之后使自我控制的MoS2单层结晶的第二步骤。 本发明的技术要点是通过使用电镀工艺合成自控MoS2单层的方法和使用由其制造的自我控制的MoS2单层的晶体管。 因此，MoS2单层通过电镀工艺的自控方法而不是现有的单层形成方法合成，因此容易以低成本形成MoS2单层，大而高质量的MoS2单层为 具有改进的等同性，并且MoS2单层能够应用于晶体管材料。
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