公开(公告)号：KR101094295B1

公开(公告)日：2011-12-19

申请号：KR1020090109835

申请日：2009-11-13

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  리사첸코,막심 ,  박병건 ,  이길원 ,  정재완

IPC: H05B33/10 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법, 박막트랜지스터, 그를 포함하는 유기전계발광표시장치 및 그들의 제조방법에 관한 것으로써, 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 홈을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 캡핑층을 형성하고, 상기 캡핑층 상에 금속촉매층을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여, 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법에 관한 것이다.
그리고, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막; 상기 반도체층에 대응되는 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층의 상부 표면에는 홈을 포함하며, 상기 홈에는 금속실리사이드가 위치하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이며, 상기 박막트랜지스터를 포함하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
다결정 실리콘층, 금속촉매

公开(公告)号：KR101073550B1

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020090103683

申请日：2009-10-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  백원봉 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  정재완

IPC: H01L21/324

CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/67109

Abstract: 따라서, 공정챔버내부의온도산포를최소화할수 있고, 기판의모든영역에균일한열을공급할수 있다.

公开(公告)号：KR101049802B1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR1020090112770

申请日：2009-11-20

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  박병건 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  소병수

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법, 박막트랜지스터, 그를 포함하는 유기전계발광표시장치 및 그들의 제조방법에 관한 것으로써, 더 상세하게는 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 금속촉매층을 형성하고, 상기 금속촉매층의 금속촉매를 버퍼층으로 확산시키고, 상기 금속촉매층을 제거하고, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화시키는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법에 관한 것이다.
그리고 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층을 포함하는 기판상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 및 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 버퍼층과 상기 반도체층이 접촉하는 계면에 금속실리사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이며, 상기 박막트랜지스터를 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
다결정 실리콘, 금속촉매

Abstract translation: 本发明的缓冲涉及制造多晶硅层，薄膜晶体管，有机发光显示装置，包括它们和它们的制备方法，并且更具体地提供基板，在基板上形成的缓冲层的方法; 上形成金属催化剂层，和涂布金属催化剂层到缓冲层中的金属催化剂，通过加热衬底，以多晶去除金属催化剂层，和缓冲器相和非晶硅层上的无定形硅层的硅 多晶硅层的层被结晶。

公开(公告)号：KR1020110046955A

公开(公告)日：2011-05-06

申请号：KR1020090103683

申请日：2009-10-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  백원봉 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  정재완

IPC: H01L21/324

CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A device for processing a substrate by heat is provided to separate and control each heater, thereby minimizing temperature spreading in a process chamber. CONSTITUTION: A plurality of substrates(10) is loaded in a boat(20). The boat is inputted into a process chamber(30). A heater chamber(50) applies heat to the process chamber. A base plate(60) supports the boat. A gas injecting hole(70) is connected to a gas supply source. A gas discharging hole(80) is connected to a vacuum pump to discharge by-products and residual gases to the outside.

Abstract translation: 目的：提供用于通过加热处理基板的装置，以分离和控制每个加热器，从而最小化处理室中的温度扩散。 构成：将多个基板（10）装载在船（20）中。 船被输入到处理室（30）中。 加热器室（50）向处理室施加热量。 基板（60）支撑船。 气体注入孔（70）与气体供给源连接。 气体排出孔（80）连接到真空泵以将副产物和残余气体排放到外部。

公开(公告)号：KR1020100114717A

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：KR1020090033235

申请日：2009-04-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정윤모 ,  양태훈 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  백원봉 ,  정재완

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to uniformly heat the inside of a processing chamber by installing the upper heating unit, an external heating unit and a middle part heating unit. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus includes a processing chamber(120), a boat(110), an external heating unit(130), and a transporting unit(140). A plurality of substrates is loaded on the boat. The external heating unit is placed on the external side of the processing chamber. The transporting unit transports the boat with respect to the processing chamber and includes a lower heating unit. A middle part heating unit is placed on the center part of the boat.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，通过安装上部加热单元，外部加热单元和中间加热单元来均匀地加热处理室的内部。 构成：基板处理装置包括处理室（120），船（110），外部加热单元（130）和输送单元（140）。 多个基板装载在船上。 外部加热单元被放置在处理室的外侧。 运输单元相对于处理室传送船，并且包括下加热单元。 中间部分加热单元放置在船的中心部分。

公开(公告)号：KR100989136B1

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：KR1020080033818

申请日：2008-04-11

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  이길원 ,  이동현

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L29/78615 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 채널 영역, 소오스/드레인 영역 및 바디콘택영역을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하며, 상기 바디콘택영역을 노출시키는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하고, 상기 게이트 절연막에 의해 노출된 상기 바디콘택영역과 접하는 실리콘막; 상기 실리콘막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 층간 절연막; 및 상기 층간 절연막 상에 위치하며, 상기 소오스/드레인 영역과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 바디콘택영역은 상기 반도체층의 에지 영역 내에 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법과 그를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
에지 효과, 금속 촉매, SGS 결정화법

Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光显示器。 位于所述衬底上并包括沟道区，源极/漏极区和体接触区的半导体层; 栅绝缘层，位于半导体层上并暴露出体接触区; 位于所述栅极绝缘膜上并与由所述栅极绝缘膜暴露的所述体接触区域接触的硅膜; 位于硅膜上的栅电极; 位于栅电极上的层间绝缘膜; 以及位于层间绝缘膜上并且电连接到源极/漏极区域的源极/漏极电极及其制造方法，其中体接触区域形成在半导体层的边缘区域中 以及具有该显示器的有机发光显示器。

公开(公告)号：KR1020100100187A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018928

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이길원 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  박병건 ,  리사첸코,막심 ,  안지수 ,  김영대 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  정윤모 ,  정민재 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: PURPOSE: A polycrystalline silicon manufacturing is provided to improve the charge mobility of crystallized polycrystalline silicon layer by using hydrogen gas as the carrier gas during forming the amorphous silicon layer. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A capping layer(130) is formed on the amorphous silicon layer. A crystallization guiding metal layer(140) is formed by depositing the crystallization guiding metal on the capping layer.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅制造，以在形成非晶硅层期间通过使用氢气作为载气来提高结晶多晶硅层的电荷迁移率。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成非晶硅层（120）。 在非晶硅层上形成覆盖层（130）。 结晶导向金属层（140）通过将结晶引导金属沉积在覆盖层上而形成。

公开(公告)号：KR1020100078861A

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：KR1020080137240

申请日：2008-12-30

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  이길원 ,  이동현 ,  안지수 ,  이기용 ,  정윤모 ,  리사첸코,막심

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L21/02488 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: PURPOSE: A thin layer transistor, a manufacturing method thereof, and an organic electronic light emitting display device for including the same are provided to reduce contact resistance by arranging the patterned second metallic catalyst crystallization area between the first metallic catalyst crystallization area and source/drain electrode. CONSTITUTION: A semiconductor layer is formed on a substrate(100). The semiconductor layer is composed of a first metallic catalyst crystallization area(160), source/drain areas(190a,190b) including the second metallic catalyst crystallization area(170). A gate electrode(120) is opposite to the channel area of the semiconductor layer. A gate insulating layer is interposed between the semiconductor layer and gate electrode. The source/drain electrode is electrically connected through the contact layer to the source/drain area.

Abstract translation: 目的：提供一种薄层晶体管及其制造方法以及包含该薄膜晶体管的有机电子发光显示装置，以通过将图案化的第二金属催化剂结晶区域设置在第一金属催化剂结晶区域和源极/漏极之间来降低接触电阻 电极。 构成：半导体层形成在基板（100）上。 半导体层由第一金属催化剂结晶区域（160），包括第二金属催化剂结晶区域（170）的源极/漏极区域（190a，190b）组成。 栅电极（120）与半导体层的沟道区相对。 栅极绝缘层插入在半导体层和栅电极之间。 源极/漏极电极通过接触层电连接到源极/漏极区域。