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公开(公告)号：KR102062616B1
公开(公告)日：2020-01-06
申请号：KR1020180032757
申请日：2018-03-21
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B42D25/373 , B42D25/382 , C23C14/14 , C23C14/24
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公开(公告)号：KR101991456B1
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：KR1020160037008
申请日：2016-03-28
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/455 , H01L21/02 , H01L27/108 , H01L29/786
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公开(公告)号：KR1020170043472A
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：KR1020160133143
申请日：2016-10-13
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B01J21/00 , B01J23/00 , H01B1/04 , H01B5/14 , C01B32/186
Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用聚合物介导的石墨烯沉积方法制造其上具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板的方法; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定这增加了含有金属的层的表面能（上）石墨烯薄膜的含有金属的层的金属表面状况，并且确定用于含金属层改变到金属表面上确定的状态的条件。
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64.发明公开금속 산화물 함유 금속층 상에서 금속 산화물 함량을 저감시키면서 탄소계 패시베이션막을 형성시키는 방법 审中-实审一种在减少含金属氧化物的金属层上的金属氧化物含量的同时形成碳基钝化膜的方法
公开(公告)号：KR1020170034780A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：KR1020160120991
申请日：2016-09-21
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은금속산화물및/또는금속수산화물함유금속층과의계면에서금속산화물및/또는금속수산화물함량을저감시키면서탄소계패시베이션막을형성시키는방법; 이를이용하여금속층및 상기금속층상에형성된탄소계패시베이션막을구비한금속전극; 및이를이용하여용액공정으로유기소자를제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른어닐링조건에서탄소계패시베이션막을금속산화물및/또는금속수산화물함유금속층표면에형성시키는경우, 금속표면에이미존재하는산화막및/또는수산화막을환원시키고더 이상의산화및 부식이일어나지않도록금속표면을보호할수 있을뿐만아니라, 계면저항이낮아서금(Au)과같이자연산화막이형성되지않는금속전극으로활용할수 있다.
Abstract translation: 如何实现本发明，同时减少在使用包含金属氧化物和/或金属氢氧化物，以形成基于碳的钝化膜的金属层的界面上的金属氧化物和/或金属氢氧化物的内容; 金属电极，具有金属层和形成在金属层上的碳基钝化膜; 以及使用其的溶液法制造有机器件的方法。 当根据本发明的用于形成含有金属表面的碳基钝化膜的金属在退火条件氧化物和/或金属氢氧化物，金属表面艾米存在氧化物和/或金属的氢氧化物，使得减少和另外的氧化和腐蚀发生膜表面 不仅被保护，可以使用，因为这是一个自然氧化膜不形成作为界面电阻低，金（Au）的金属电极。
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公开(公告)号：KR101602843B1
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：KR1020140018344
申请日：2014-02-18
Applicant: 한국화학연구원
IPC: G01N27/12
Abstract: 본발명은유연소재히터를포함하는그래핀가스센서에관한것으로, 기재필름; 상기기재필름의일면에형성된, 패턴화된그래핀계층을포함하는그래핀센서부; 및상기기재필름의타면에형성된, 그래핀계층을포함하는그래핀히터부를포함하는본 발명의그래핀가스센서는가스의흡착이용이하고그래핀히터층과결함됨으로써가스검출감도(sensitivity)가높아반응시간이짧고(low response time) 낮은저항과우수한열적, 화학적안정성을가져 CO, NO, NH, O와같은가스를용이하게흡착할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150097145A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140018344
申请日：2014-02-18
Applicant: 한국화학연구원
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/12
Abstract: 본 발명은 유연소재 히터를 포함하는 그래핀 가스센서에 관한 것으로, 기재 필름; 상기 기재 필름의 일면에 형성된, 패턴화된 그래핀계 층을 포함하는 그래핀 센서부; 및 상기 기재 필름의 타면에 형성된, 그래핀계 층을 포함하는 그래핀 히터부를 포함하는 본 발명의 그래핀 가스센서는 가스의 흡착이 용이하고 그래핀 히터층과 결함됨으로써 가스 검출 감도(sensitivity)가 높아 반응시간이 짧고(low response time) 낮은 저항과 우수한 열적, 화학적 안정성을 가져 CO
2 , NO
2 , NH
3 , O
2 와 같은 가스를 용이하게 흡착할 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种包括柔性材料加热器的石墨烯气体传感器。 石墨烯气体传感器包括基膜; 石墨烯传感器部件，其形成在所述基膜的表面上，并且包括图案化的石墨烯层; 以及形成在基膜的另一个表面上并包括石墨烯层的石墨烯加热器部分。 石墨烯气体传感器与石墨烯加热器层结合，对气体检测具有高灵敏度，响应时间低，电阻低，化学和热稳定性优异，因此，易于吸收CO 2，NO 2，NH 3，O 2等气体。
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公开(公告)号：KR1020150048259A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：KR1020130126765
申请日：2013-10-23
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/448 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/45525
Abstract: 본발명은단원자증착(atomic layer deposition, ALD)법을이용하여, 도핑영역층과비도핑영역층을구비하여두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적인복합박막및 이를제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른복합박막은박막일부에도판트원자층을포함하는도핑영역층을구비함으로써, 박막두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적특성을갖게되고, 이는도핑영역층과비도핑영역층간의밴드구조가달라지게됨으로써박막의층 영역별로전자기적특성이달라지게되고, 기능성이향상되어디스플레이, 메모리, 반도체영역전반에걸쳐서사용될수 있다. 나아가복합박막내 도핑영역층의위치및 이의도판트농도에따라다양한전자기적특성에영향을미치며, 따라서도핑영역층의위치및 농도를조절함으로써박막의전자기적특성을목적에따라손쉽게조절할수 있다. 본발명에따른복합박막은단원자증착법으로제조됨으로써, 간단한공정을통하여박막의광학적및 전자기적특성을제어할수 있으며, 별도의추가공정이나복수의막을따로따로제조할필요가없기때문에생산단가측면에서도유리하다.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用原子层沉积（ALD）方法具有掺杂部分层和不掺杂部分层而在垂直分量中复杂且不对称的复合薄膜。 根据本发明的复合薄膜通过在薄膜的一部分中具有包括掺杂剂原子层的掺杂部分层，在薄膜的垂直分量中具有复杂和不对称的特性。 它使得掺杂部分层和非掺杂部分层之间的带结构不同以通过截面来改变电磁特性并改善功能; 从而在整个显示器，存储器和半导体领域中被使用。 此外，它根据复合薄膜中的掺杂部分层的位置和掺杂剂浓度影响各种电磁特性。 因此，通过控制掺杂部分层的位置和浓度，可以根据目的容易地控制薄膜的电磁特性。 根据本发明的复合薄膜可以通过通过原子层沉积方法制造的简单工艺来控制薄膜的光学和电磁特性，并且可以具有生产成本的优点，因为它不需要额外的工艺或 独立制造多个膜。
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公开(公告)号：KR1020150002972A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：KR1020130074870
申请日：2013-06-27
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: G01B7/16 , G01L1/20 , G01N27/308 , G01N27/4111 , G01N27/4146
Abstract: The present invention relates to a bipolar strain sensor having a carbon nanotube (CNT) network film on a flexible substrate and a manufacturing method thereof. The bipolar strain sensor of the present invention can electrically detect and measure the size and orientation of the strain by applying metallic carbon nanotubes and the semiconducting carbon nanotubes, which are randomly arranged and connected, on one surface of the flexible substrate. Moreover, the bipolar strain sensor of the present invention has an advantage of being mass-manufactured at low cost through an easy and simple process and of being used as a chemical sensor capable of electrically detecting the presence and concentration of certain chemicals.
Abstract translation: 本发明涉及一种在柔性基板上具有碳纳米管（CNT）网状膜的双极应变传感器及其制造方法。 本发明的双极应变传感器可以通过在柔性基板的一个表面上施加金属碳纳米管和随机排列和连接的半导体碳纳米管来电检测和测量该应变的尺寸和取向。 此外，本发明的双极应变传感器具有通过简单且简单的方法以低成本批量制造并且用作能够电检测某些化学品的存在和浓度的化学传感器的优点。
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公开(公告)号：KR1020140010649A
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020120077173
申请日：2012-07-16
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , B29C59/026 , B32B37/1207
Abstract: The purpose of the present invention is to provide a method for fabricating a thin film pattern using soft lithography and a thin film pattern fabricated by the same. The soft lithography used for the method for fabricating a thin film pattern according to the present invention comprises: a first step of depositing a thin film on a substrate; a second step of forming a silicon resin adhesive layer on the thin film; a third step of fabricating a silicon resin stamp for forming a pattern on the thin film; a fourth step of converting the adhesive layer formed in the second step and the pattern part of the silicon resin stamp formed in the step 3 into an active adhesive layer by performing surface modification; a fifth step of attaching the pattern part of the silicon stamp converted into the active adhesive layer in the fourth step to the adhesive layer and causing a dehydration condensation reaction; and a sixth step of forming the pattern on the substrate by removing the silicon resin stamp from the substrate. The thin film pattern is fabricated using the method and includes a pattern formed on a thin film, which is made of one type of thin film among a crystalline thin film, metal thin film, amorphous thin film, and polymer thin film, on a substrate. According to the present invention, a pattern can be formed on films made of all types of materials including a crystalline thin film by using the soft lithography process.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种使用软光刻制造薄膜图案的方法和由其制造的薄膜图案。 根据本发明的用于制造薄膜图案的方法的软光刻包括：在基板上沉积薄膜的第一步骤; 在薄膜上形成硅树脂粘合剂层的第二步骤; 制造用于在薄膜上形成图案的硅树脂印模的第三步骤; 通过进行表面改性，将在步骤3中形成的粘合剂层和形成在步骤3中的硅树脂印模的图案部分转化成活性粘合剂层的第四步骤; 在第四步骤中将转换成活性粘合剂层的硅印迹图案部分附着到粘合剂层上并进行脱水缩合反应的第五步骤; 以及通过从衬底去除硅树脂印模在衬底上形成图案的第六步骤。 使用该方法制造薄膜图案，并且包括在基板上形成的薄膜上形成的图案，其由晶体薄膜，金属薄膜，非晶薄膜和聚合物薄膜中的一种薄膜构成 。 根据本发明，可以通过使用软光刻工艺在由包括晶体薄膜的所有类型的材料制成的膜上形成图案。
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公开(公告)号：KR1020120055227A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：KR1020100116840
申请日：2010-11-23
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: G01N27/30 , B82B3/00 , C01B32/16 , G01N27/327 , G01N27/4146
Abstract: PURPOSE: A carbon nano tube electrode manufacturing method and a carbon nano tube electrode manufactured by the same are provided to manufacture an electrode by degrading a polymer resin having a light-functional group so that a process of a vacuum evaporation is not necessary. CONSTITUTION: A carbon nano tube(5) electrode manufacturing method is as follows. A bottom electrode is formed on the upper part of a substrate(1) made of insulating materials. A catalyst layer(4) is formed on the bottom electrode. The carbon nano tubes are placed on the substrate where the catalyst layer is formed. The substrate is made of insulating materials selected from a group including the silicon, quartz, sapphire, pyrex glass and alumina. The bottom electrode is formed into the carbon material including a deterioration carbon, graphene, a carbon nanotube film, a activated carbon, a diamond thin film, and graphite.
Abstract translation: 目的：提供一种碳纳米管电极的制造方法和由其制造的碳纳米管电极，通过降低具有光官能团的聚合物树脂来制造电极，从而不需要真空蒸发的过程。 构成：碳纳米管（5）电极的制造方法如下。 底部电极形成在由绝缘材料制成的基板（1）的上部。 催化剂层（4）形成在底部电极上。 将碳纳米管放置在形成有催化剂层的基板上。 基板由选自包括硅，石英，蓝宝石，发泡玻璃和氧化铝的组的绝缘材料制成。 底部电极形成为包含劣化碳，石墨烯，碳纳米管膜，活性炭，金刚石薄膜和石墨的碳材料。
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