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公开(公告)号：KR101936060B1
公开(公告)日：2019-01-09
申请号：KR1020160184219
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/02 , H01L29/51 , H01L33/00 , H01L31/00 , H01L29/775
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公开(公告)号：KR1020180079601A
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：KR1020160184219
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/02 , H01L29/51 , H01L33/00 , H01L31/00 , H01L29/775
Abstract: 본발명은반도체소자제작용레이저리프트오프방법에관한것으로서, 레이저에의해제1대상체로부터제2대상체를분리시키는레이저리프트오프방법에있어서, 제1대상체및 제2대상체사이에희생분리층을형성하되, 상기희생분리층은상기제1대상체및 제2대상체의밴드갭보다상대적으로작은밴드갭을가지는것을특징으로하는반도체소자제작용레이저리프트오프방법및 그에의해제조된반도체소자를기술적요지로한다. 이에의해종래의지지기판으로부터질화물계반도체층을분리하는공정을개선하여, 분리를원하는영역에희생분리층을도입하여분리하고자하는대상의제한이없도록한 것이다.
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公开(公告)号：KR101857647B1
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：KR1020160095040
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Inventor： 박형호 , 황선용 , 이근우 , 임웅선 , 윤홍민 , 고유민 , 정해용 , 조주영 , 최재원 , 정상현 , 최영수 , 강성민 , 최원명 , 조영대 , 성호근 , 박경호 , 박원규
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/203 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.
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公开(公告)号：KR101846236B1
公开(公告)日：2018-04-09
申请号：KR1020150185323
申请日：2015-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은양면패턴의제조방법및 그에의해제조된양면패턴을이용한전사테이프에관한것으로서, 고분자기판상에미세구조체패턴이형성된제1스탬프를위치시켜열간성형하여상기고분자기판에상기제1스탬프의미세구조체패턴과역상인제1패턴을각인시키는제1단계와, 상기제1패턴이각인된고분자기판에서상기제1스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에제1패턴을성형하는제2단계와, 상기제1패턴이형성된고분자기판상에유동성재료를도포하여, 상기제1패턴과역상인하측패턴을상기유동성재료하측면에형성하는제3단계와, 상기도포된유동성재료상에미세구조체패턴이형성된제2스탬프를위치시켜가압하고, 경화공정을수행하여상기유동성재료상측면에상기제2스탬프의미세구조체패턴과역상인상측패턴을각인시키는제4단계및 상기상측패턴이각인된유동성재료에서상기제2스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에유동성재료로이루어진양면패턴을성형하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는양면패턴의제조방법및 이에의해제조된양면패턴을이용한전사테이프를그 기술적요지로한다. 이에의해본 발명은간단한공정에의해양면패턴을동시에성형할수 있으며, 이후이종의기판또는박막에용이하게전사할수 있어다양한분야에의활용이가능한효과가있다.
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公开(公告)号：KR101808683B1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020160133590
申请日：2016-10-14
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/414 , G01N27/333 , H01L29/778 , H01L21/66
Abstract: 본발명에따른감지막의면적증대를통한고감도센서는, 순차적으로적층되는오믹전극패턴, 베리어층과채널층을포함하는센싱구조물; 센싱구조물아래에서센싱구조물에전기적으로접속되는입출력회로구조물; 및센싱구조물상에서채널층의전면을덮어외부의유체(=가스또는액체)와반응하는감지막을포함하고, 센싱구조물은감지막과함께고 전자이동도트랜지스터(HEMT, High Electron Mobility Transistor) 구조를이루고, 채널층과감지막은채널층의질소(N)-면(face)을통해서로접촉하는것을특징으로한다. 또한, 본발명에따른감지막의면적증대를통한고감도센서의제조방법도계속하여개시된다.
Abstract translation: 根据本发明的高灵敏度传感器包括：感测结构，包括顺序堆叠的欧姆电极图案，阻挡层和沟道层; 输入/输出电路结构，电性连接于感测结构下方的感测结构; 并且感测膜覆盖感测结构上的沟道层的整个表面并与外部流体（=气体或液体）反应，并且感测结构与感测膜一起形成高电子迁移率晶体管（HEMT）结构 并且沟道层和传感膜通过沟道层的氮（N）表面相互接触。 此外，还公开了通过增加根据本发明的传感膜的面积来制造高灵敏度传感器的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101796012B1
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：KR1020160036143
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지에관한것으로서, 벌크기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층상부에경화성수지층을형성하는제2단계와, 상기경화성수지층을패터닝하고경화하여, 홀패턴이구비된플렉시블기판을형성시키는제3단계와, 상기홀패턴내부에후면전극을형성시키는제4단계와, 상기벌크기판을제거하는제5단계와, 상기반도체층하부에전면전극을형성하는제6단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지그리고이를이용한플렉시블태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은홀패턴이구비된플렉시블기판을적용하여플렉시블기판사용시문제되는전기적및 열적특성을향상시켜태양전지의성능을개선시킬수 있도록하였으며, 이러한홀패턴이구비된플렉시블기판을사용한플렉시블태양전지는직렬로연결하여모듈형태로사용할시에후면전극연결문제를해결하고, 무게를획기적으로줄일수 있는초경량플렉시블태양전지또는초경량플렉시블태양전지모듈을제공할수 있는이점이있다.
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77.发明公开
公开(公告)号：KR1020160084966A
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020150001431
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/0047
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체및 그제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는도즈보다낮고임계경화되는도즈보다높은도즈로광경화를수행하는메타-광경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-광경화임프린팅공정과완전경화포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법및 그에의해제조된금속산화물복합구조체를기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의도즈에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
Abstract translation: 金属氧化物复合结构及其制备方法技术领域本发明涉及金属氧化物复合结构体及其制备方法，更具体地说，涉及通过间光光固化印刷法和光刻法制备金属氧化物复合结构体的方法和由其制备的金属氧化物复合结构体。 根据本发明，该方法包括：在晶片或薄膜的顶部形成光敏金属 - 有机材料前体层的步骤; 光固化印刷步骤，其中光固化在低于完全固化光敏金属 - 有机材料前体层并且高于其固化所需的临界剂量的剂量下的剂量下进行，并且使用具有第一图案的印记印模 以向感光金属 - 有机材料前体层施加压力; 从感光金属 - 有机材料前体层去除印记印模的步骤; 完全固化光刻步骤，其中将具有第二图案的光掩模放置在上述图案化的感光金属 - 有机材料前体层上，然后以足够高的剂量进行UV辐射或加热以诱导完全固化，以产生金属氧化物 薄膜图案层; 以及将上述固化的金属氧化物薄膜图案层显影以产生具有第一和第二图案的金属氧化物复合结构的步骤。 根据本发明，可以容易地制备具有两种不同图案的金属氧化物结构，通过以不引起完全固化的剂量进行压印加工，随后进行完全固化，可以简化和降低工艺和成本 通过光刻工艺，并且通过执行除了蚀刻工艺之外的中间固化工艺以减少蚀刻工艺的数量。
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公开(公告)号：KR101581437B1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：KR1020130161605
申请日：2013-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위한압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계를포함하여구성되는것을특징으로하는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체의형성방법을기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101576471B1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020130126493
申请日：2013-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은고출력적색발광다이오드의제작방법에관한것으로서, 나노스케일로표면요철을형성하여광추출효율을증대시키는적색발광다이오드의제조방법에있어서, 박막상층에유전체마스크층을형성하는단계와, 상기유전체마스크층상층에고분자층을형성하는단계와, 상기고분자층상층에감광성금속유기물전구체층을형성하는단계와, Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를준비하는단계와, 상기감광성금속유기물전구체층을상기 Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프로가압하고, 빛조사또는가열방법중 어느하나또는혼용한방법으로상기감광성금속유기물전구체층을경화하여금속산화박막패턴층을형성하는단계와, 상기 Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를상기금속산화박막패턴층으로부터제거하는단계와, 상기금속산화박막패턴층, 고분자층및 유전체마스크층을건식식각마스크로이용하여상기박막을건식식각하는단계와, 잔류된유전체마스크층을제거하는단계및 상기제거된유전체마스크층영역일부에리프트오프공정에의해전극패턴을형성하는단계를포함하여이루어진것을특징으로하는고출력적색발광다이오드의제조방법을기술적요지로한다. 이에의해, 적색발광다이오드의제조시나노임프린트공정과건식식각을이용하여박막의표면에대면적의균일한표면요철을형성하여나노러프닝(nano-roughening)을유도하여광추출효율이향상된적색발광다이오드를제공하는이점이있다.
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80.发明公开습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 ＩｎＧａＡｌＰ계 발광 다이오드의 제조방법 및 이에 의한 혼합패턴이 형성된 ＩｎＧａＡｌＰ계 발광 다이오드 无效因此，采用InGaAlP发光二极管的复合图案的制造方法使用湿式蚀刻和InGaAlP发光手电筒
公开(公告)号：KR1020150033318A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：KR1020130113166
申请日：2013-09-24
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22 , H01L21/3063
Abstract: 본발명은습식식각을통한혼합패턴의제조방법및 이를이용한광전자소자에관한것으로, 발광다이오드의제조방법에있어서, 기판상에제1도전형 InGaAlP층을형성하는단계, 상기제1도전형 InGaAlP층상에 InGaAlP 다중양자우물층을형성하는단계, 상기 InGaAlP 다중양자우물층상층에제2도전형 InGaAlP층을형성하는단계, 상기제2도전형 InGaAlP층상에포토레지스트패턴을형성하여 1차패턴을결정짓는마스크패턴층을형성하는단계, 상기마스크패턴층을마스크로하여습식식각을진행하여상기 1차패턴의모양에대응하여 2차패턴을형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는습식식각을통한혼합패턴이형성된 InGaAlP계발광다이오드의제조방법및 이에의해제조된혼합패턴이형성된 InGaAlP계발광다이오드를기술적요지로한다. 이에의해일반적인사진공정방법과습식식각으로두 가지이상의혼합된혼합패턴을제조함으로써, 하나의패턴또는표면거칠기로이루어지는광추출구조에비해우수한광추출구조를매우단순한공정으로제조할수 있어, 발광다이오드분야에널리용이하게적용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过湿蚀刻制造混合物图案的方法和使用其的光电子元件。 更具体地说，本发明涉及通过湿蚀刻制造具有混合图案的InGaAlP基发光二极管（LED）的方法和由其制造的混合图案的InGaAlP基LED。 通过湿蚀刻制造具有混合图案的InGaAlP基LED的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一导电型InGaAlP层; 在第一导电型InGaAlP层上形成InGaAlP多量子阱层; 在所述InGaAlP多量子阱层上形成第二导电型InGaAlP层，在所述第二导电型InGaAlP层上形成光致抗蚀剂图案，以形成确定第一图案的掩模图案层，并使用所述掩模图案层进行湿蚀刻 掩模，以形成对应于第一图案的形状的第二图案。 通过通过一般的光刻法和湿式蚀刻制造包括两种或更多种图案的混合图案，与包括单一图案或表面粗糙度的光提取结构相比，可以通过非常简单的工艺制造出优异的光提取结构，因此 ，本发明可广泛应用于LED领域。
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