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公开(公告)号：KR100152324B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019940032936
申请日：1994-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68707 , Y10S414/136 , Y10S414/137 , Y10S414/139 , Y10S414/141
Abstract: 본 발명은 반도체 제도 장치에 관한 것으로 특히, 집게에 의하여 웨이퍼의 측면 부위를 잡도록 하여 삼발이의 도움없이도 카세트에서 웨이퍼척까지 웨이퍼를 용이하게 주고 받을 수 있도록 한 웨이퍼 측면 파지 이송 반도체 제조장치에 관한 것이다. 본 발명에서는 웨이퍼를 잡는 집게의 구조를 변경함으로써 삼발이와 같은 웨이퍼 운송기구를 제거시켜도 용이하게 웨이퍼를 파지할 수 있도록 한 것으로서 웨이퍼의 측면이 일반적으로 원형가공(ROUNDING)되어 있다는 것에 착안하여 웨이퍼의 아랫면 대신에 측면부위를 집게가 잡도록 하므로서 삼발이가 없이도 웨이퍼의 파지, 운송이 용이하게 이루어지도록 하며, 따라서 종래의 삼발이와 같은 웨이퍼운송 장치를 제거함으로써 장비의 구조가 간단하게 구성되며, 진공반응기의 배기구를 언직하방에 설치하여 상측의 가스공급기로 부터 공급되는 공정가스의 흐름이 축대칭을 이루도록 함으로써 공정균일도를 높이도록 함을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019980025599A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960043787
申请日：1996-10-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 큰 종횡비와 작은 저항 및 변형이 없는 실리콘 구조체를 표면 미세 가공 기술로 제작할 수 없었던 종래 기술의 문제점을 가운데의 두꺼운 실리콘 층과 농도 조절을 위한 상하의 얇은 실리콘 층으로 실리콘 다층 구조를 형성하여 박막의 상하 방향으로 불순물을 대칭으로 분포시켜 응력 구배를 제거하고, 가운데의 실리콘 박막에 잔류 응력이 존재하는 경우 상하에 주입되는 불순물의 양을 조절함으로써 기존의 응력 구배를 상쇄시켜 미소 구조체의 휨 변형을 최소화시킬 수 있는 실리콘 미소 구조체 제조 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR1019980022353A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019960041474
申请日：1996-09-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 집적회로 제작 공정을 기반으로 한 표면 마이크로 머시닝 기술.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
희생층을 사용한 미소구조체를 제조할시, 희생산화막 제거로 인해 나타나는 미소구조체의 고착 현상을 방지하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
희생층을 폴리실리콘막 상에 형성하고 희생층을 증기상 식각 방법으로 제거하여, 잔류물의 발생을 방지하는 동시에 희생층 제거로 인한 공간에 상부 구조체가 침몰하여 발생되는 고착현상을 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
MEMS(micro electro mechanical system) 제작-
公开(公告)号：KR100144822B1
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：KR1019940019492
申请日：1994-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812
Abstract: 본 발명은 포토리소그래피에 의해 미세한 선폭으로 T-게이트 패턴을 형성하는 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 방법은 미세 선폭의 해상도를 향상시키기 위해 포지티브 형 포토레지스트(positive type photoresist)를 사용하여 고립선(isolated line)패턴을 형성한 후 저온 CVD방법으로 절연막을 증착하고, 이어 레지스트 패턴을 제거하는 패턴반전(pattern reversal)공정을 사용한다.
본 발명은 미세한 게이트 선폭을 패턴반전공정을 사용하여 보다 용이하게 실현할 수 있는 공정으로서, 조래의 전자빔 리소그래피를 이용한 T-게이트 형성방법에 비하여는 포토리소그래피 기술을 사용하기 때문에 생산성 및 재현성이 우수하다.-
公开(公告)号：KR1019980016375A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035934
申请日：1996-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 마스트 패턴(mask pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜, 그 마스트 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer)위에 전사(transfer) 할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것으로서, X-선 마스크 구성 요소의 하나인 지지 링(support ring)의 구조를 개선한 것이다.
즉, 본 발명은 지지 링의 기계적 강도(mechanical strength)를 향상시키고, 마스크 기판(mask substrate)과 지지 링 간의 열팽창계수(coefficient of thermal expansion)차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 최소화 하기 위해, 상기 지지 링의 단면 구조를 종래의 단순 사각형 형태로부터 다각형이나 삼각형, 원형 등의 새로운 형태로 변경하거나, 보강용 홈(trench) 또는 보강용 빔(beam)을 종래의 지지 링에 추가한 새로운 구조의 지지 링을 사용하는 X-선 마스크에 관한 것이다. 본 발명은 상기의 X-선 마스크는 물론 전자빔 셀 투사용 리소그래피(electron-beam cell projection lithography)용 마스크 및 이온 빔 리소그래피(ion-beam lithography)용 마스크에도 응용할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980015311A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960034589
申请日：1996-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 마스크(mask) 패턴(pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜 그 마스크 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer) 위에 전사(transfer) 할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것이다.
즉, 마스크 기판(mask substrate)과 지지링 (support ring)과의 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion) 차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 근본적으로 제거하고, 외부의 기계적 스트레스(mechanical stress)에 대한 지지 링의 저항(resistance)능력을 향상시키기 위해 지지 링의 이면(the other side)에 마스크 기판과 동일한 재료로 구성되고, 마스크 기판과 동일한 공정 과정을 거친 변형 방지용 보조기판(supporting substrate to protect distortion)을 추가로 부착하여 구성한 X-선 마스크에 관한 것이다.-
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公开(公告)号：KR1019970052733A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052662
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 X-선 마스크 제작공정중 실리콘의 습식식각시 웨이퍼의 외주연 부분이 식각액과 접촉하는 것을 방지하거나 웨이퍼의 일면에 실장된 소자가 식각액과 접촉하는 것을 방지할 수 있는 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 있어서, 단면에 L자 형상으로 절곡된 환 형상을 지니고 절곡된 평탄면의 중앙에는 O-링(11)이 부설되어 웨이퍼(50) 일면의 외주연 부분을 안착시키는 위한 하부 지지부(10); 및, 환 형상을 지니고 하면 중앙에 O-링(21)이 부설되며 상기한 하부 지지부(10)의 절곡면에 내설되어 웨이퍼(50) 타면의 외주연 부분을 고정하기 위한 상부 지지부(20)를 포함하는 것을 특징으로 한다. -
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