公开(公告)号：KR1020130000340A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020120066003

申请日：2012-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노히사시 ,  우에무라료우이치 ,  요시하라고우스케 ,  가사이시게루 ,  다노우치게이지 ,  무라마츠마코토 ,  이와시타미츠아키 ,  요네다마사타케 ,  오오야가즈히로

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H05B3/0033 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3247

Abstract: PURPOSE: A heating treatment apparatus and a heat treating method are provided to rapidly heat a substrate by using a light emitting diode as a heating source. CONSTITUTION: A substrate(W) is horizontally supported. The substrate is heated by a heating source using a light emitting diode. Radiation light having the light emitting diode is irradiated on a substrate material. An arrangement plate(2) faces the heating source while the light emitting diode is in off state. A cooling part cools the substrate by using the arrangement plate. [Reference numerals] (a) Incoming; (A3,A2,A1) Cooling water OFF; (b) Transmitting; (BB) Cooling water ON; (c) Heating; (C1,C2,C3,C4) Elevating pin; (d) Cooling; (D1,D2) Arrangement plate; (E1,E2,E3,E4) LED module; (FF) Cooling water

Abstract translation: 目的：提供一种加热处理装置和热处理方法，通过使用发光二极管作为加热源来快速加热基板。 构成：水平支撑衬底（W）。 基板通过使用发光二极管的加热源加热。 具有发光二极管的放射线照射在基板材料上。 当发光二极管处于关闭状态时，布置板（2）面向加热源。 冷却部使用排列板冷却基板。 （附图标记）（a）传入; （A3，A2，A1）冷却水关闭; （b）传送; （BB）冷却水打开; （c）加热; （C1，C2，C3，C4）升降销; （d）冷却; （D1，D2）排列板; （E1，E2，E3，E4）LED模块; （FF）冷却水

公开(公告)号：KR1020120028275A

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：KR1020110092347

申请日：2011-09-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  아시다미츠토시

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC classification number: H05B6/68 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/04 ,  Y02B40/143

Abstract: PURPOSE: A microwave irradiation apparatus and a microwave irradiation method thereof are provided to suppress interference between microwaves generated from a plurality of magnetrons, thereby preventing generation of reflected waves. CONSTITUTION: A chamber(1) stores a semiconductor wafer(W). A mounting pin(2) is located within the chamber. A plurality of magnetrons(10a,10b) projects microwaves on the semiconductor wafer within the chamber. A power supply part(20) supplies pulse shape voltage to the plurality of magnetrons. Circulators(11a,11b) and a dummy load(12) form an isolator for separating reflected microwaves.

Abstract translation: 目的：提供一种微波照射装置及其微波照射方法，以抑制由多个磁控管产生的微波之间的干涉，从而防止产生反射波。 构成：室（1）存储半导体晶片（W）。 安装销（2）位于室内。 多个磁控管（10a，10b）在室内的半导体晶片上投射微波。 电源部件（20）向多个磁控管提供脉冲形状电压。 循环器（11a，11b）和虚拟负载（12）形成用于分离反射微波的隔离器。

公开(公告)号：KR1020110126168A

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：KR1020117023724

申请日：2010-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  이케다다로 ,  오사다유키

IPC: H01P5/04 ,  H05B6/70 ,  H05B6/72 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05B6/80 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32256 ,  H05B6/705 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 챔버내의 부하의 임피던스를 마이크로파 전원의 특성 임피던스에 자동 정합시키는 튜너(60)는, 통형상을 이루는 외측 도체(52)와 그 속에 동축으로 설치된 통형상을 이루는 내측 도체(53)를 갖고, 마이크로파 전송로의 일부로 되는 본체(51)와, 외측 도체(52)와 내측 도체(53) 사이에 설치되고, 내측 도체(53)의 긴쪽방향을 따라서 이동가능한, 유전체로 이루어지는 환형의 슬러그(61a, 61b)와, 슬러그(61a, 61b)를 이동시키는 구동 기구를 구비하고, 구동 기구의 구동 전달부와, 구동 가이드부와, 유지부를 구성하는 슬라이딩 부재(63) 및 슬러그 이동축(64a, 64b)이 내측 도체(53)의 내부에 수용되어 있다.

公开(公告)号：KR1020110022740A

公开(公告)日：2011-03-07

申请号：KR1020117003539

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키 ,  요네다마사타케 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  노무라마사미치 ,  시미즈미와

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 열의 영향에 의한 발광량의 저하에 기인하는 광에너지 효율이 낮다고 하는 문제가 발생하지 않고 안정된 성능을 유지할 수 있는 어닐 장치를 제공 한다.
웨이퍼(W)가 수용되는 처리실(1)과, 웨이퍼(W)의 면에 면하도록 마련되어, 웨이퍼(W)에 대하여 광을 조사하는 복수의 LED(33)를 가지는 가열원(17a, 17b)과, 가열원(17a, 17b)에 대응해서 마련되어, 발광 소자(33)로부터의 광을 투과하는 광투과 부재(18a, 18b)와, 광투과 부재(18a, 18b)의 처리실(1)과 반대측을 지지하고, 가열원(17a, 17b)에 직접 접촉하도록 마련된 고열전도성 재료로 이루어지는 냉각 부재(4a, 4b)와, 냉각 부재(4a, 4b)를 냉각 매체로 냉각하는 냉각 기구를 가진다.

公开(公告)号：KR101018506B1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：KR1020107007145

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

Abstract: 본 발명에 따른 처리 용기(102)내에 있어서 가열 수단(108)을 구비한 탑재대(104)에 탑재된 기판을 가열하는 기판 가열 장치는, 제 1 재료로 구성되고, 탑재대를 지지하는 지지부(202)와, 제 1 재료와 열 전도율이 상이한 제 2 재료로 구성되고, 지지부와 처리 용기를 밀봉하는 밀봉부(204)와, 지지부와 밀봉부를 기밀하게 접합하는 접합부(206)를 구비하고 있다. 이러한 구성에 의하면, 상이한 열 전도율을 갖는 제 1 재료와 제 2 재료를 적절하게 선택함으로써, 탑재대의 상부와 하부 사이의 열 구배를 작게 하는 것이 가능해져, 그 결과 탑재대의 지지 구조의 길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.

Abstract translation: 用于加热安装在载置台104具有加热装置（108）的基板在基板加热装置支撑部分包括根据本发明的第一材料，并在处理容器（102）支撑在安装台（ 202），并且，设置有第一材料，并且是热导率是由不同的第二材料，该密封部204和支撑部和密封接头206，其密封地结合，以密封支撑部和上述处理容器的。 通过这样的结构，通过适当地选择第一材料和具有不同热导率的第二材料，从而能够降低在安装台的顶部和底部之间的热梯度，其结果降低了安装台的支承结构的长度 Lt。

公开(公告)号：KR1020110018431A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：KR1020117000747

申请日：2009-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  강송윤 ,  가사이시게루

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H05H1/46

Abstract: 본 발명은 기판에 대해 플라즈마에 의해 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 처리 용기와, 상기 처리 용기내에 마련되고 기판을 탑재하기 위한 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하도록 마련되고 상기 처리용기내에 처리가스를 공급하기 위한 다수의 가스 토출 구멍이 그 하면에 형성된 도전성 부재로 이루어지는 가스 샤워헤드와, 상기 가스 샤워헤드의 아래쪽 공간을 둘러싸는 영역에 유도 결합형 플라즈마를 발생시키기 위해 고주파 전류가 공급되는 유도 코일과, 상기 가스 샤워헤드에 부의 직류전압을 인가해서 상기 유도 코일에 의해 유도되는 전계를 처리영역의 중앙부측에 인입하기 위한 부전압 공급수단과, 상기 처리용기내를 진공 배기하기 위한 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种等离子体处理装置，用于通过等离子体至基板，该处理容器中执行处理，并适于在所述处理容器和安装台用于安装基片，面对在处理容器支架的安装，建立 和用于提供形成在其下部，包围低气体喷头的空间由导电构件的气体喷头的处理气体的多个气体排出孔是提供一个高频电流，以产生在区域中的感应耦合等离子体 感应线圈和一个负电压供给装置，以及用于通过施加到所述气体喷头的直流负电压由感应线圈在所述处理区的中央部侧诱导排空处理容器用于传入的电场内的真空的装置 等离子体处理装置。

公开(公告)号：KR101004222B1

公开(公告)日：2010-12-24

申请号：KR1020107011258

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: 본 발명의 성막 장치는, 챔버를 규정하는 처리 용기와, 상기 챔버내에 설치되고 피처리 기판이 탑재될 수 있는 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하여 설치되고 다수의 가스 토출 구멍을 갖는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드를 거쳐 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 샤워헤드의 온도를 제어하는 샤워헤드 온도 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR101004192B1

公开(公告)日：2010-12-24

申请号：KR1020097014512

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: 본 발명의 성막 장치는, 챔버를 규정하는 처리 용기와, 상기 챔버내에 설치되고 피처리 기판이 탑재될 수 있는 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하여 설치되고 다수의 가스 토출 구멍을 갖는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드를 거쳐 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 샤워헤드의 온도를 제어하는 샤워헤드 온도 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR1020100065403A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：KR1020107011259

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: A film forming device, characterized by comprising a treatment container specifying a chamber, a loading table installed in the chamber and allowing a treated substrate to be loaded thereon, a shower head installed opposite to the loading table and having a large number of gas discharge holes, a gas feeding mechanism for feeding treatment gas into the chamber through the shower head, and a shower head temperature control means for controlling the temperature of the shower head.

公开(公告)号：KR100922241B1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：KR1020067006792

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: 본 발명의 성막 장치는, 챔버를 규정하는 처리 용기와, 상기 챔버내에 설치되고 피처리 기판이 탑재될 수 있는 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하여 설치되고 다수의 가스 토출 구멍을 갖는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드를 거쳐 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 샤워헤드의 온도를 제어하는 샤워헤드 온도 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.