公开(公告)号：DE10121657A1

公开(公告)日：2002-11-28

申请号：DE10121657

申请日：2001-05-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  GABRIC ZVONIMIR ,  KROENKE MATTHIAS ,  SCHINDLER GUENTHER

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L23/00 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L21/314

Abstract: The invention relates to a microelectronic structure which provides improved protection of a hydrogen-sensitive dielectric against hydrogen contamination. According to the invention, the hydrogen sensitive dielectric ( 14 ) is covered at lest by an intermediate oxide ( 18 ), where material thickness is at lest five times the thickness of the hydrogen-sensitive dielectric. The intermediate oxide ( 18 ) simultaneously acts as an internal dielectric and is metabolized on its surface for this purpose. The intermediate oxide ( 18 ), which has a sufficient thickness absorbers the hydrogen that may be released during the deposition of a hydrogen barrier layer ( 22, 26 ), thus protecting the hydrogen-sensitive dielectric ( 14 ).

公开(公告)号：DE19854418C2

公开(公告)日：2002-04-25

申请号：DE19854418

申请日：1998-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHINDLER GUENTHER ,  HARTNER WALTER

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22 ,  H01L27/08

公开(公告)号：DE10022655A1

公开(公告)日：2001-11-22

申请号：DE10022655

申请日：2000-04-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHINDLER GUENTHER ,  HARTNER WALTER ,  SCHNABEL RAINER-FLORIAN

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01G4/33 ,  H01G4/40

Abstract: The invention relates to a method for producing at least one capacitor structure, comprising the following steps: providing a substrate, producing a first electrode on said substrate, producing a mask, whereby the first electrode is disposed in an opening of said mask, and applying at least one dielectric layer and at least one conductive layer for a second eletrode. The surface of the part of the conductive layer that is applied in the opening of the mask is substantially disposed below the surface of the mask. The conductive layer and the dielectric layer are structured by polishing so that a capacitor structure is produced.

公开(公告)号：DE10009762A1

公开(公告)日：2001-09-20

申请号：DE10009762

申请日：2000-03-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HANEDER THOMAS ,  BACHHOFER HARALD ,  HOENLEIN WOLFGANG ,  SCHINDLER GUENTHER ,  HARTNER WALTER

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

Abstract: Production of a storage capacitor comprises preparing a first electrode layer (1); applying a 1 nm thick CeO2 layer (2) on the electrode layer; applying an amorphous dielectric layer (3) made from SrBi2Ta2O9 (SBT) or SrBi2(TaNb)2O9 (SBTN) on the CeO2 layer; heating at 590-620[deg] C to crystallize the dielectric layer; and applying a second electrode layer (4) on the dielectric layer. An independent claim is also included for a process for the production of a semiconductor component comprising forming a switching transistor on a semiconductor substrate; and forming the storage capacitor on the transistor. Preferred Features: The electrode layers are made from platinum, a conducting oxide of a platinum or an inert and conducting oxide. The dielectric layer is 20-200 nm thick.

公开(公告)号：DE19963500A1

公开(公告)日：2001-07-26

申请号：DE19963500

申请日：1999-12-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  SCHINDLER GUENTHER ,  WEINRICH VOLKER ,  AHLSTEDT MATTIAS

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/321 ,  C23C16/40

Abstract: The damage to edge sections which occurs during the patterning of a metal-oxide-containing layer can be compensated by the deposition of an annealing layer and a subsequent heat treatment step through which a material flow takes place from the annealing layer into the damaged edge sections. The metal-oxide-containing layer can form the dielectric of a storage capacitor of a DRAM memory cell.

公开(公告)号：DE19957122A1

公开(公告)日：2001-06-28

申请号：DE19957122

申请日：1999-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHINDLER GUENTHER ,  HARTNER WALTER

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01G7/06 ,  H01L21/8239

Abstract: Production of a ferroelectric capacitor (10) on a semiconductor substrate (1) comprises producing first electrode (11); depositing ferroelectric capacitor material (13) over first electrode; producing second electrode (12) over the ferroelectric capacitor material; and applying an alternating voltage on the capacitor so that current loss in the capacitor is reduced by more than a factor of 10. An Independent claim is also included for the capacitor produced. Preferred Features: The second electrode is made from Al, W, Cu, TiNx, WNx, TaNx, TiWNx, WSix, TiSix or TaSix.

公开(公告)号：DE19935131A1

公开(公告)日：2001-02-08

申请号：DE19935131

申请日：1999-07-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGMANN RENATE ,  DEHM CHRISTINE ,  HASLER BARBARA ,  SCHELER ULRICH ,  SCHINDLER GUENTHER ,  WEINRICH VOLKER ,  HARTNER WALTER

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/08

Abstract: The invention relates to a method for removing redepositions on a wafer and to a wafer which is devoid of redepositions. The removal of the redepositions on the wafer occurs after a protective layer is arranged on the top electrode and the boundary surfaces of the electrodes with a dielectric, whereby said areas are not damaged by wet chemical agents enabling the redepositions to be exclusively and efficiently removed.

公开(公告)号：DE102024132324A1

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE102024132324

申请日：2024-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  MUTZBAUER FABIAN

IPC: H10N50/10 ,  H10D84/00

Abstract: Ein Gehäuse im Chip-Maßstab umfasst eine integrierte Schaltung (IC) für einen Magnetsensor und ein leitendes Kontaktpad. Die IC für den Magnetsensor weist einen IC-Schichtstapel auf, der mehrere Isolationsschichten und mehrere leitende Schichten aufweist; und ein magnetoresistives Sensorelement, das in den IC-Schichtstapel integriert ist. Das magnetoresistive Sensorelement weist eine Referenzschicht mit einer festen Referenzmagnetisierung, die mit einer Magnetisierungsachse ausgerichtet ist, und eine magnetisch freie Schicht mit einer magnetisch freien Magnetisierung auf. Die magnetisch freie Magnetisierung ist in Gegenwart eines externen Magnetfeldes variabel. Das leitfähige Kontaktpad ist auf dem IC-Schichtstapel angeordnet oder in diesen integriert. Darüber hinaus ist das leitfähige Kontaktpad über dem magnetoresistiven Sensorelement angeordnet, sodass sich das leitfähige Kontaktpad und das magnetoresistive Sensorelement zumindest teilweise vertikal überlappen.

公开(公告)号：DE102023204788B4

公开(公告)日：2025-02-20

申请号：DE102023204788

申请日：2023-05-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELIAN KLAUS ,  HARTNER WALTER ,  THEUSS HORST ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  SCHALLER RAINER

IPC: G06K19/06 ,  G01S13/02

Abstract: Verfahren zur Authentifizierung eines Gegenstandes (100), mit folgenden Schritten:Positionieren eines Millimeterwellen-Transceivers (202) relativ zu einem Gegenstand (100), der eine Meta-Material-Markierung (104) oder mehrere Meta-Material-Markierungen (104A, 104B) enthält;Senden eines Sendesignals (206) von dem Millimeterwellen-Transceiver (202) in Richtung der Meta-Material-Markierung (104), wobei das Sendesignal (206) basierend auf der Meta-Material-Markierung (104) in ein Empfangssignal (208) umgesetzt wird, welches eine erste Charakteristik aufweist und in Richtung des Millimeterwellen-Transceivers (202) abgestrahlt wird;Empfangen des Empfangssignals (208) durch den Millimeterwellen-Transceiver (202); Verarbeiten des Empfangssignals (208) zum Erfassen der ersten Charakteristik;wobei das Verarbeiten des Empfangssignals (208) ein Erfassen zumindest einer der folgenden Charakteristiken umfasst:einer Strahlungsrichtung des Empfangssignals (208);einer Phasenlage des Empfangssignals (208);einer Phasenlage des Empfangssignals (208) in einer Strahlungsrichtung;einer Frequenz des Empfangssignals (208);einer Frequenz des Empfangssignals (208) in einer Strahlungsrichtung;einer Amplitude des Empfangssignals (208); odereiner Amplitude des Empfangssignals (208) in einer StrahlungsrichtungErzeugen von ersten Vergleichsinformationen (210) basierend auf der ersten Charakteristik; undAuthentifizieren des Gegenstands (100) basierend auf den ersten Vergleichsinformationen (210),wobei das Authentifizieren des Gegenstands (100) zumindest einer der folgenden Schritte umfasst:sofern eine Meta-Material-Markierung (104) vorhanden ist:Bestimmen einer Position der Meta-Material-Markierung (104) und Vergleichen mit einer vorbestimmten Position;Bestimmen einer Form der Meta-Material-Markierung (104) und Vergleichen mit einer vorbestimmten Form;Bestimmen einer Größe der Meta-Material-Markierung (104) und Vergleichen mit einer vorbestimmten Größe der Meta-Material-Markierung (104);oder sofern mehrere Meta-Material-Markierungen (104A, 104B) in dem Gegenstand (100) vorhanden sind:Bestimmen einer Anzahl von räumlich getrennten Meta-Material-Markierungen (104A, 104B) der mehreren Meta-Material-Markierungen (104A, 104B) in dem Gegenstand (100) und Vergleichen mit einer vorbestimmten Anzahl; oderBestimmen von relativen Abständen zwischen räumlich getrennten Meta-Material-Markierungen (104A, 104B).

公开(公告)号：DE102023209537B3

公开(公告)日：2024-12-12

申请号：DE102023209537

申请日：2023-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELIAN KLAUS ,  THEUSS HORST ,  HARTNER WALTER ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  SCHALLER RAINER ,  KRIEG ARMIN

IPC: A24F40/50 ,  A24F40/20

Abstract: Gemäß einem Aspekt dieser Offenbarung wird ein Handgerät (3) für eine HnB-Zigarette, die eine Identifikationskennzeichnung enthält, vorgeschlagen. Dieses weist eine Aufnahmeeinrichtung (5) zur Aufnahme einer HnB-Zigarette (2) und eine Heizvorrichtung (4) zu Heizen der HnB-Zigarette (2) auf. Zusätzlich enthält das Handgerät (3) ein Lesegerät (12) zum Lesen einer Identifizierungsmarkierung (9) einer sich in der Aufnahmeeinrichtung (5) eingebrachten HnB-Zigarette (2) und Ausgabe gelesener Identifizierungsdaten, und eine Kommunikationseinrichtung (7) für die externe Kommunikation über Identifizierungsdaten, die das Lesegerät (12) bereitstellt.