公开(公告)号：CN104701195A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410858205.3

申请日：2014-10-31

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 林耀剑 ,  P·C·马里穆图 ,  沈一权 ,  韩丙濬

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L23/525

Abstract: 半导体器件及形成嵌入式晶片级芯片规模封装的方法。半导体器件包括半导体管芯和沉积在半导体管芯上方和周围的密封剂。半导体晶片包括多个半导体管芯和基体半导体材料。凹槽被形成在基体半导体材料中。半导体晶片被穿过凹槽分割以分离半导体管芯。半导体管芯被设置在载体上方，半导体管芯之间具有500微米(μm)或更小的距离。密封剂覆盖半导体管芯的侧壁。扇入互连结构被形成在半导体管芯上方，同时密封剂保持不具有扇入互连结构。从半导体管芯的非有源表面移除密封剂的一部分。器件被穿过密封剂分割，同时留下设置为覆盖半导体管芯的侧壁的密封剂。覆盖侧壁的密封剂包括50μm或更小的厚度。

公开(公告)号：CN102709200A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210076452.9

申请日：2012-01-21

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 林耀剑 ,  P·C·马里穆图 ,  陈康 ,  H·H·高 ,  Y·顾 ,  沈一权 ,  R·黄 ,  邹胜源 ,  方建敏 ,  冯霞

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体器件和形成设置在半导体管芯上的绝缘层的方法。一种具有半导体管芯和形成在半导体管芯的表面上的导电层的半导体器件。第一通道可以形成在半导体管芯中。密封剂沉积在半导体管芯上。第二通道可以形成在密封剂中。第一绝缘层形成在半导体管芯和第一导电层上以及第一通道中。第一绝缘层延伸进第二通道中。第一绝缘层具有如下特性：大于150MPa的拉伸强度、在35-150％间的伸长率、以及2-30微米的厚度。在形成第一绝缘层之前，第二绝缘层可以形成在半导体管芯上。互连结构形成在半导体管芯和密封剂上。互连结构电连接至第一导电层。第一绝缘层在互连结构的形成期间提供应力消除。

公开(公告)号：CN110085557A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910163351.7

申请日：2013-12-11

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 韩丙濬 ,  沈一权 ,  林耀剑 ,  P.C.马里穆图

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/78 ,  H01L23/485 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法。一种半导体器件包括标准化载体。半导体晶片包括多个半导体管芯和基底半导体材料。通过基底半导体材料的第一部分单切半导体晶片以分离半导体管芯。将半导体管芯设置在标准化载体上。标准化载体的尺寸与半导体管芯的尺寸无关。将密封剂沉积在标准化载体上且在半导体管芯周围。在半导体管芯上形成互连结构，同时使得密封剂没有互连结构。通过密封剂单切半导体器件。密封剂保持设置在半导体管芯的侧面上。可替换地，通过基底半导体的第二部分且通过密封剂来单切半导体器件以从半导体管芯的侧面去除基底半导体的第二部分和密封剂。

公开(公告)号：CN103943553B

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201310669363.X

申请日：2013-12-11

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： P.C.马里穆图 ,  沈一权 ,  林耀剑 ,  崔源璟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明涉及半导体器件和形成具有垂直互连单元的低轮廓扇出式封装的方法。一种半导体器件包括半导体管芯。第一互连结构被设置在半导体管芯的外围区上。半导体部件被设置在半导体管芯上。半导体部件包括第二互连结构。半导体部件被设置在半导体管芯上以使第二互连结构与第一互连结构对准。第一互连结构包括多个互连单元，该多个互连单元围绕半导体管芯的第一和第二相邻侧设置以形成互连单元的围绕半导体管芯的L形边界。第三互连结构被形成在半导体管芯上，与第一互连结构垂直。绝缘层被形成在半导体管芯和第一互连结构上。形成通过绝缘层且进入第一互连结构的多个通孔，其中第二互连结构被设置在该通孔内。

公开(公告)号：CN104701194A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410741338.2

申请日：2014-12-05

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： T.J.斯特罗思曼 ,  D.M.普里科洛 ,  沈一权 ,  林耀剑 ,  H-P.维尔茨 ,  尹胜煜 ,  P.C.马里穆图

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明涉及半导体器件和在半导体封装中使用标准化的载体的方法。一种半导体器件具有载体，该载体具有固定尺寸。从第一半导体晶圆中将多个第一半导体管芯分割。第一半导体管芯设置在载体上面。载体上面的第一半导体管芯的数目独立于从该第一半导体晶圆中分割的第一半导体管芯的尺寸和数目。在第一半导体管芯和载体上面以及在第一半导体管芯和载体周围淀积密封剂来形成重构的面板。在该重构的面板上面形成互连结构，同时使得密封剂缺乏该互连结构。经过密封剂将该重构的面板分割。从载体中去除第一半导体管芯。具有与第一半导体管芯的尺寸不同的尺寸的第二半导体管芯设置在载体上面。载体的固定尺寸独立于第二半导体管芯的尺寸。

公开(公告)号：CN103943553A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310669363.X

申请日：2013-12-11

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： P.C.马里穆图 ,  沈一权 ,  林耀剑 ,  崔源璟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件和形成具有垂直互连单元的低轮廓扇出式封装的方法。一种半导体器件包括半导体管芯。第一互连结构被设置在半导体管芯的外围区上。半导体部件被设置在半导体管芯上。半导体部件包括第二互连结构。半导体部件被设置在半导体管芯上以使第二互连结构与第一互连结构对准。第一互连结构包括多个互连单元，该多个互连单元围绕半导体管芯的第一和第二相邻侧设置以形成互连单元的围绕半导体管芯的L形边界。第三互连结构被形成在半导体管芯上，与第一互连结构垂直。绝缘层被形成在半导体管芯和第一互连结构上。形成通过绝缘层且进入第一互连结构的多个通孔，其中第二互连结构被设置在该通孔内。

公开(公告)号：CN103915353A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310671468.9

申请日：2013-12-11

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 韩丙濬 ,  沈一权 ,  林耀剑 ,  P.C.马里穆图

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/19 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/03 ,  H01L24/03

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法。一种半导体器件包括标准化载体。半导体晶片包括多个半导体管芯和基底半导体材料。通过基底半导体材料的第一部分单切半导体晶片以分离半导体管芯。将半导体管芯设置在标准化载体上。标准化载体的尺寸与半导体管芯的尺寸无关。将密封剂沉积在标准化载体上且在半导体管芯周围。在半导体管芯上形成互连结构，同时使得密封剂没有互连结构。通过密封剂单切半导体器件。密封剂保持设置在半导体管芯的侧面上。可替换地，通过基底半导体的第二部分且通过密封剂来单切半导体器件以从半导体管芯的侧面去除基底半导体的第二部分和密封剂。

公开(公告)号：CN103633020A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310176280.7

申请日：2013-05-14

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 沈一权 ,  俊谟具

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5328 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件以及在晶片级封装上使用UV固化的导电油墨形成RDL的方法。半导体器件具有半导体裸片和被形成在所述半导体裸片上的第一绝缘层。在所述第一绝缘层中形成图案化的沟槽。通过将模版布置在所述第一绝缘层上（其中开口与所述图案化的沟槽对齐）并且通过所述模版中的开口将导电油墨沉积到所述图案化的沟槽中，所述导电油墨被沉积在所述图案化的沟槽中。可替代地，通过经由喷嘴将所述导电油墨分发到所述图案化的沟槽中来沉积所述导电油墨。在室温下通过紫外光将所述导电油墨固化。在所述第一绝缘层和导电油墨上形成第二绝缘层。在所述导电油墨上形成互连结构。密封剂可以被沉积在所述半导体裸片周围。所述图案化的沟槽被形成在所述密封剂中并且所述导电油墨被沉积在所述密封剂中的所述图案化的沟槽中。

公开(公告)号：CN104701195B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201410858205.3

申请日：2014-10-31

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 林耀剑 ,  P·C·马里穆图 ,  沈一权 ,  韩丙濬

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L23/525

Abstract: 半导体器件及形成嵌入式晶片级芯片规模封装的方法。半导体器件包括半导体管芯和沉积在半导体管芯上方和周围的密封剂。半导体晶片包括多个半导体管芯和基体半导体材料。凹槽被形成在基体半导体材料中。半导体晶片被穿过凹槽分割以分离半导体管芯。半导体管芯被设置在载体上方，半导体管芯之间具有500微米(μm)或更小的距离。密封剂覆盖半导体管芯的侧壁。扇入互连结构被形成在半导体管芯上方，同时密封剂保持不具有扇入互连结构。从半导体管芯的非有源表面移除密封剂的一部分。器件被穿过密封剂分割，同时留下设置为覆盖半导体管芯的侧壁的密封剂。覆盖侧壁的密封剂包括50μm或更小的厚度。

公开(公告)号：CN109411410A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810951738.4

申请日：2014-09-05

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 林耀剑 ,  陈康 ,  高英华 ,  沈一权

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 平衡有虚设铜图案的嵌入PCB单元表面的半导体器件和方法。半导体器件具有衬底。导电通孔穿过衬底而形成。多个第一接触焊盘在衬底的第一表面上方形成。多个第二接触焊盘在衬底的第二表面上方形成。虚设图案在衬底的第二表面上方形成。缺口在衬底的侧壁中形成。开口穿过衬底而形成。密封剂被沉积在开口中。绝缘层在衬底的第二表面上方形成。虚设开口在绝缘层中形成。半导体管芯被布置成邻近于衬底。密封剂被沉积在半导体管芯和衬底上方。衬底的第一表面包括比衬底的第二表面的宽度大的宽度。