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公开(公告)号：CN1723171B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200480001829.8
申请日：2004-01-08
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造管状碳分子的方法，它能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。
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公开(公告)号：CN101552052A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200810089140.5
申请日：2008-04-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01B1/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/28 , C01B2202/30 , C01B2202/34 , C08J5/18 , C08J2381/08 , Y02P20/582
Abstract: 本发明提供了可以容易且高生产效率地制造由低电阻率的碳纳米管形成的导电膜的导电膜制造方法及这样的由低电阻率碳纳米管形成的导电膜。在溶解全氟磺酸类聚合物作为分散剂于溶剂中的溶液中分散碳纳米管。使用分散有该碳纳米管的溶液，利用真空过滤法形成由碳纳米管形成的、在碳纳米管间残留有全氟磺酸类聚合物的膜，并且通过干燥该膜而制造由碳纳米管形成的导电膜。作为溶剂，使用水、乙醇或包含水和乙醇的溶剂。
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公开(公告)号：CN101508432A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200810005631.7
申请日：2008-02-14
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0003 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/28 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/5215 , Y02E10/549 , Y10T428/30 , Y10T428/31786
Abstract: 本发明提供制造柔性透明导电碳纳米管(CNT)膜的方法，以及由所述方法制备的CNT膜。本发明也涉及使用亚硫酰溴(SOBr2)作为掺杂剂处理CNT膜的方法、具有夹层结构的CNT膜层压体、包括该CNT膜层压体的柔性透明阳极和包括该阳极的有机发光二极管(LED)。与通常的浸渍方法相比，本申请的方法能够快速和完全地除去薄膜过滤器，而不破坏所得到的CNT，这使得得到的CNT膜能够在电致发光或光伏器件中得到更加广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101450799A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710196655.0
申请日：2007-11-29
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制备掺氮碳纳米管的石墨电弧放电方法、掺氮碳纳米管以及使用其的碳纳米管元件。在该制备掺氮碳纳米管的电弧放电方法中，使用包括石墨、催化剂和作为氮源的含氮有机化合物的混合物制备阳极，并且使用该阳极和一阴极进行电弧放电以制备该掺氮碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101170130A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710165522.7
申请日：2007-10-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L21/336 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01B31/02
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , H01L51/0583 , Y10S977/742 , Y10T428/30
Abstract: 本发明披露了一种单壁碳纳米管异质结及其制造方法以及使用该单壁碳纳米管异质结的半导体器件及其制造方法。在该单壁碳纳米管异质结中，半导体单壁碳纳米管和金属单壁碳纳米管在其长度方向上彼此连接。该单壁碳纳米管异质结是通过在单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以诱发手性变化而形成的。根据本发明的制造单壁碳纳米管异质结的方法，其中在该单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以将五元环或七元环引入到石墨片的六元环结构中从而诱发手性变化。本发明可以根本地解决在半导体单壁碳纳米管中由于金属单壁碳纳米管的混入引起的单壁碳纳米管FET的特性劣化的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101041427A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200610065567.2
申请日：2006-03-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明提供一种碳材料的制造方法，该方法可以选择性地除去作为杂质被包含在碳纳米管等碳材料中的无定形碳、金属微粒等而不带给该碳材料损害地进行提纯。通过将碳纳米管等的碳材料，保持在包含水蒸气和/或氯化氢的气氛中，而进行提纯。包含水蒸气和/或氯化氢的气氛加热到例如250℃～650℃的温度、或照射紫外线等的电磁波，压力为例如0.1大气压～10大气压。保持时间为例如10分钟～10个小时。还可以在CVD装置的反应室中使碳材料生长，接着在这个反应室中进行碳材料的提纯。
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公开(公告)号：CN1845872A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480025148.5
申请日：2004-08-31
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , G11B5/855 , H01J1/3042 , Y10T428/24744
Abstract: 一种制造细微结构体的方法，该方法能够精确控制形成有由碳等制成的管状结构的位置。圆柱状凸起部分(11)形成在衬底(10)上。随后，诸如铁(Fe)的催化物质(20)被粘附在衬底(10)上。之后，对衬底(10)进行热处理以使催化物质(20)熔化并粘结在凸起部分(11)的侧面(11A)上。这使得由催化物质(20)制成的环形催化剂图案形成在凸起部分(11)的侧面(11A)上。随后，利用催化剂图案使中空圆柱管状结构(30)生长。管状结构(30)从凸起部分(11)的侧面(11A)升起并生长成具有头部(30A)敞开的碳(纳米)管。形成精确对应凸起部分(11)位置的管状结构(30)。
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公开(公告)号：CN101552052B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810089140.5
申请日：2008-04-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01B1/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/28 , C01B2202/30 , C01B2202/34 , C08J5/18 , C08J2381/08 , Y02P20/582
Abstract: 本发明提供了可以容易且高生产效率地制造由低电阻率的碳纳米管形成的导电膜的导电膜制造方法及这样的由低电阻率碳纳米管形成的导电膜。在溶解全氟磺酸类聚合物作为分散剂于溶剂中的溶液中分散碳纳米管。使用分散有该碳纳米管的溶液，利用真空过滤法形成由碳纳米管形成的、在碳纳米管间残留有全氟磺酸类聚合物的膜，并且通过干燥该膜而制造由碳纳米管形成的导电膜。作为溶剂，使用水、乙醇或包含水和乙醇的溶剂。
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公开(公告)号：CN101170130B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200710165522.7
申请日：2007-10-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L21/336 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01B31/02
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , H01L51/0583 , Y10S977/742 , Y10T428/30
Abstract: 本发明披露了一种单壁碳纳米管异质结及其制造方法以及使用该单壁碳纳米管异质结的半导体器件及其制造方法。在该单壁碳纳米管异质结中，半导体单壁碳纳米管和金属单壁碳纳米管在其长度方向上彼此连接。该单壁碳纳米管异质结是通过在单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以诱发手性变化而形成的。根据本发明的制造单壁碳纳米管异质结的方法，其中在该单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以将五元环或七元环引入到石墨片的六元环结构中从而诱发手性变化。本发明可以根本地解决在半导体单壁碳纳米管中由于金属单壁碳纳米管的混入引起的单壁碳纳米管FET的特性劣化的问题。
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公开(公告)号：CN101885482A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200910142954.5
申请日：2009-05-15
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管膜及其制造方法以及电子装置及其制造方法，能够在稳定的条件下简便且有效率地除去残留在单壁碳纳米管膜等碳纳米管膜中的有机物、并且能够容易地且高生产效率地制造低方块电阻或低方块电阻且高透光率的碳纳米管膜。在基板(11)上通过过滤法形成了单壁碳纳米管膜(12)后，通过光催化处理或利用了芬顿反应的处理来除去残留在碳纳米管膜中的有机物(13)。在光催化处理中，通过将粉末状的光催化剂(14)堆积在单壁碳纳米管膜上，并对光催化剂照射紫外光，从而分解有机物。在利用了芬顿反应的处理中，通过将碳纳米管膜浸渍在含有Fe2+等的溶液中，并向所述溶液中添加过氧化氢，从而开始芬顿反应分解所述有机物。
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