公开(公告)号：CN105826211A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610308240.7

申请日：2016-05-11

Applicant: 苏州日月新半导体有限公司

Inventor： 汪虞 ,  王政尧

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/673 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/50 ,  H01L21/673 ,  H01L21/6735

Abstract: 本发明是关于半导体产品、制造该半导体产品的治具及方法。根据本发明一实施例的半导体产品治具包括上表面、与所述上表面相对的下表面，及若干呈阵列排布的产品承载区。每一产品承载区具有上凹槽及下凹槽，其中上凹槽自上表面凹陷延伸且在上表面的开口经配置以与所承载的产品尺寸相适应以经配置将所承载的产品固持于上凹槽；下凹槽自上凹槽底部的一部分向下延伸并贯穿下表面。本发明允许在不改变传统溅镀工艺机台和材料且不增加成本的条件下，在BGA封装型半导体产品上形成电磁屏蔽层，而不影响该BGA封装型半导体产品的正常电路性能。

公开(公告)号：CN103050482B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110341030.5

申请日：2011-11-02

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 邱志贤 ,  蔡宗贤 ,  杨超雅

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01Q1/22

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/66 ,  H01L24/73 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/243 ,  H01Q1/36 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H01Q1/521 ,  Y10T29/49016 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种封装结构及其制法，该封装结构包括：一封装件，其具有基板、及设于该基板上的第一与第二封装体；附着于该第二封装体的金属层；及形成于该第一封装体上的天线。借由金属层与天线的设计，以提升电磁屏蔽的功效。

公开(公告)号：CN105789141A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610291702.9

申请日：2016-05-05

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 黄学骄 ,  黄祥 ,  惠力 ,  曾荣 ,  龙双 ,  刘清锋 ,  黄维 ,  郝海龙

IPC: H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/14 ,  H01L23/15 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/145 ,  H01L23/15 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明公开了一种微组装小型化的三维微波电路结构，包括LTCC基板、可伐金属载板、有机基板、带隔墙的铝腔体、接插件、供电和微波绝缘子和腔体上下盖板；隔墙上面向上依次安装可伐金属载板、LTCC基板；隔墙下面安装有机基板；接插件焊接于有机基板上；若干供电绝缘子和微波绝缘子焊接固定于隔墙上，绝缘子针一端焊接到背面基板焊盘相应位置，绝缘子针另一端通过金丝键合连接到正面LTCC基板焊盘上；腔体上盖板通过激光封焊焊接到腔体上，使上腔体内部密封；本发明组装工艺简单，机械强度高，封装体积小。

公开(公告)号：CN103400829B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310335724.7

申请日：2013-08-01

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 林弈嘉 ,  周生见 ,  颜瀚琦

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01Q1/22

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/568 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/66 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q21/0087 ,  H01Q21/064 ,  H01Q21/065 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括第一基板、第二基板、中介层、半导体芯片、封装体及第一天线层。第一基板包含接地件。中介层设于第一基板与第二基板之间。半导体芯片设于第二基板。封装体包覆第二基板、半导体芯片与中介层，且具有侧面及上表面。第一天线形成于封装体的侧面及上表面，且电性连接于接地件。

公开(公告)号：CN102484107B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201080029411.3

申请日：2010-06-23

Applicant: 赛普拉斯半导体公司

Inventor： A·D·弗戈尔 ,  D·S·莱托尼恩 ,  R·C·布莱什二世

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/29 ,  G11C16/34 ,  H01L23/16 ,  H01L27/115 ,  H05K9/00 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/295 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11573 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/0401

Abstract: 一种电子装置包含封装的集成电路(100)，该封装的集成电路(100)具有集成电路晶粒(102)及制模化合物(104)，该集成电路晶粒具有作用表面(112)，该制模化合物(104)在该集成电路晶粒的该作用表面(112)上。在特别的实施例中，该封装的集成电路(100)包含相对于该制模化合物(114)至少大约5重量百分比(5wt％)的锌。在另一个实施例中，该封装的集成电路(100)在与该集成电路晶粒(102)的该作用表面平行的区域中包含大约0.3μmol/cm2的锌。

公开(公告)号：CN105655312A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610078238.5

申请日：2010-07-29

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： A·沃尔特 ,  M·列

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L23/485 ,  H01L24/28

Abstract: 本发明是包含形成于低K金属化系统上的应力缓冲材料的半导体装置。形成在复杂的半导体装置的金属化系统上的凸块结构或柱状结构可以包含应力缓冲层(260)，该应力缓冲层可以有效地分散典型可能在芯片封装件交互作用期间因为上述组件的热失配所产生的机械应力。应力缓冲层(260)包括覆盖整体表面中显著部份的铜基缓冲区域(265)，其中亦可以使用约3至10μm的厚度。此外，该缓冲区域(265)可以有效地取代铝而做为终端金属主动区域。

公开(公告)号：CN105609476A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610138526.5

申请日：2016-03-11

Applicant: 奇华光电(昆山)股份有限公司

Inventor： 刘宝兵

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/552 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明公开了一种天然石墨/金属层复合散热片，包括：金属层和分布在金属层上下面的天然石墨层，所述金属层上均匀分布有多个圆孔，圆孔直径为0.2～0.6mm，圆孔之间的孔距为0.4～1.0mm，所述圆孔的孔边分布有向上或向下的毛刺，所述天然石墨层通过毛刺咬合与金属层，所述圆孔内填满天然石墨，复合散热片的厚度为18微米～2000微米。通过上述方式，本发明即是很好的导热载体，导热效果好，也具有很强的电磁屏蔽功能。

公开(公告)号：CN105575965A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510473777.4

申请日：2015-08-05

Applicant: 力旺电子股份有限公司

Inventor： 陈纬仁 ,  李文豪 ,  柳星舟 ,  杨青松

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8238 ,  G06F3/044

CPC classification number: G01D5/24 ,  G06K9/0002 ,  G11C29/1201 ,  G11C29/78 ,  H01L23/552 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/115 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种整合型电容感应模块及其相关系统，该整合型电容感应模块包括：硅基板、第一层间介电层、第二层间介电层、第三层间介电层、多个电连接层、屏蔽层、下感应电极层、上感应电极层、保护镀膜层。内嵌式存储器与感应电路形成于该硅基板内。第一层间介电层覆盖于该硅基板。该些电连接层堆叠于第一层间介电层上。屏蔽层形成于该些电连接层上。第二层间介电层覆盖于屏蔽层。下感应电极层形成于第二层间介电层上。第三层间介电层覆盖于该下感应电极层。上感应电极层形成于第三层间介电层上。保护镀膜层覆盖上感应电极层。

公开(公告)号：CN103515438B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201210461390.3

申请日：2012-11-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野昇太郎 ,  泉沢优 ,  大田浩史 ,  山下浩明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/58 ,  H01L23/60 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种提高可靠性的半导体装置。半导体装置具备：第1半导体区域；第2半导体区域；设置于第2半导体区域，在相对第1半导体区域和第2半导体区域的叠层方向大致正交的第1方向并排设置的多个第3半导体区域；设置在元件区域的多个第3半导体区域上的第4半导体区域；设置在第4半导体区域上的第5半导体区域；隔着第1绝缘膜与第2半导体区域、第4半导体区域及第5半导体区域相接的第1电极；与第4半导体区域及第5半导体区域电连接的第2电极；与第1半导体区域电连接的第3电极；在接合终端区域的多个第3半导体区域及第2半导体区域上并排设置在第1方向的多个第4电极；与第3电极电连接，设置在多个第4电极的至少1个上的第5电极。

公开(公告)号：CN102157391B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201110031135.0

申请日：2011-01-28

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 池熺朝 ,  赵南柱 ,  申韩吉

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/768 ,  H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

Abstract: 半导体晶圆具有多个第一半导体小片。第二半导体小片安装在第一半导体小片上。第一半导体小片的活性表面定向成朝向第二半导体小片的活性表面。密封剂沉积在第一半导体小片和第二半导体小片上。第二半导体小片的与活性表面相对的背面的一部分被移除。导电柱绕第二半导体小片形成。TSV可形成为穿过第一半导体小片。互连结构形成在第二半导体小片的背面、密封剂和导电柱上。互连结构与导电柱电连接。第一半导体小片的与活性表面相对的背面的一部分被移除。热沉或屏蔽层可形成在第一半导体小片的背面上。