-
公开(公告)号:CN116364665A
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202211693885.9
申请日:2022-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 一种半导体封装包括:第一互连结构;第一半导体芯片,设置在第一互连结构上并且包括多个贯通通路和连接到多个贯通通路的第一焊盘;第二半导体芯片,设置在第一互连结构上,包括电连接到第一焊盘的第二焊盘,并且具有与第一半导体芯片的尺寸不同的尺寸;散热结构,接触并围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个的侧表面,并且包括具有比硅的热导率高的热导率的材料;以及围绕散热结构的侧表面的密封剂。
-
公开(公告)号:CN106504782A
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:CN201610681822.X
申请日:2016-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/4093 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C11/4087 , G11C11/4096 , H01L25/0657 , H01L27/10897 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , G11C5/02 , G11C5/06
Abstract: 提供了一种用于改善信号完整性的半导体存储器装置和半导体系统。所述半导体存储器装置包括具有用于片内终结的第一终结电阻器的第一存储器裸片,以及具有用于片内终结的第二终结电阻器并形成在第一存储器裸片上的第二存储器裸片。第一存储器裸片和第二存储器裸片中的每个具有中心焊盘型并且基于多列结构而操作。当访问第一存储器裸片时,第二终结电阻器连接到第二存储器裸片,当访问第二存储器裸片时,第一终结电阻器连接到第一存储器裸片。
-
公开(公告)号:CN1734759A
公开(公告)日:2006-02-15
申请号:CN200510087416.2
申请日:2005-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/4951 , H01L23/49541 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06179 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32188 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48233 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48253 , H01L2224/48257 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/4912 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/15321 , H01L2924/15724 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2224/48824 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种引线框架基和衬底基半导体封装键合结构及其制备方法。在用于半导体器件封装的键合结构中,其中键合引线的键合角维持在可接受的限度内,而不会导致芯片管芯尺寸的增加。以这种方式,相邻键合引线之间的短路出现将减少或消除,在制造过程中的器件净管芯计数可得到增加。
-
公开(公告)号:CN114597194A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202111463722.7
申请日:2021-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/12 , H01L23/16 , H01L23/367 , H01L23/00
Abstract: 本发明公开了一种混合半导体器件和包括该混合半导体器件的电子装置,该混合半导体器件包括:中介基板、安装在中介基板上的半导体封装、在封装基板上覆盖半导体芯片的至少一部分并暴露半导体芯片的上表面的模制构件、以及至少部分地围绕半导体封装设置在中介基板的上表面上的加强件。
-
公开(公告)号:CN109671681A
公开(公告)日:2019-04-23
申请号:CN201811168757.6
申请日:2018-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件,其包括第一半导体封装件及中介物。第一半导体封装件包含第一半导体封装衬底及其上的第一半导体芯片。中介物设置在第一半导体封装件上。中介物将第一半导体封装件与外部半导体封装件电性连接,且具有彼此相对的第一侧及第二侧。第二侧位于第一侧与第一半导体封装衬底之间,第一凹槽形成于中介物的第二侧中。第一凹槽具有从中介物的第二侧朝向第一侧延伸的侧壁及连接到侧壁的上部表面,且第一凹槽的上部表面面向第一半导体芯片,且通孔位于中介物中。通孔不会在第一半导体封装件与外部半导体封装件之间传送电信号。本公开的半导体封装件能够在水平方向和竖直方向上传递从半导体芯片所产生的热从而减小热阻。
-
公开(公告)号:CN100501983C
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200510067235.3
申请日:2005-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K3/222 , H01L23/49805 , H01L23/49838 , H01L23/5385 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K1/147 , H05K3/361 , H05K2201/10492 , H05K2201/1053 , H05K2201/10734 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体芯片封装,可包括其上形成有结合垫的衬底。安装在衬底上的半导体芯片具有芯片垫,以及用于将半导体芯片的芯片垫连接到衬底结合垫上的电连接。衬底上的半导体芯片和电连接可被封装起来,接合在衬底部分表面上的板可不被封装。
-
公开(公告)号:CN115863325A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202210966515.1
申请日:2022-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了具有三维(3D)小芯片结构的片上系统(SoC)和电子装置。电子装置包括印刷电路板、位于印刷电路板上的SoC以及位于SoC上的存储器装置,其中SoC包括:SoC封装基底;第一裸片,布置在SoC封装基底上,并且在第一裸片上具有逻辑电路;以及第二裸片,布置在第一裸片上,并且在第二裸片上具有逻辑电路。
-
公开(公告)号:CN100565865C
公开(公告)日:2009-12-02
申请号:CN200510087416.2
申请日:2005-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/4951 , H01L23/49541 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06179 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32188 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48233 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48253 , H01L2224/48257 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/4912 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/15321 , H01L2924/15724 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2224/48824 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种引线框架基和衬底基半导体封装键合结构及其制备方法。在用于半导体器件封装的键合结构中,其中键合引线的键合角维持在可接受的限度内,而不会导致芯片管芯尺寸的增加。以这种方式,相邻键合引线之间的短路出现将减少或消除,在制造过程中的器件净管芯计数可得到增加。
-
公开(公告)号:CN1722412A
公开(公告)日:2006-01-18
申请号:CN200510067782.1
申请日:2005-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L23/3128 , H01L23/49805 , H01L23/50 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4912 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , Y10T307/406 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及具有更小封装尺寸的封装电路板。该封装电路板包括代替印刷电路板的半导体衬底。该封装电路板还包括安装在半导体衬底上的微电子芯片,该微电子芯片具有形成在半导体衬底上的有源元件和无源元件中的至少一种。
-
公开(公告)号:CN1641874A
公开(公告)日:2005-07-20
申请号:CN200510004473.X
申请日:2005-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L23/00 , H01L21/50
CPC classification number: G11C16/10 , B82Y10/00 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2216/14 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48265 , H01L2224/4911 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06572 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19102 , H01L2924/19104 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种多芯片封装,其包括:一衬底,其上可形成多个衬底接合衬垫并且其下可形成多个接线端;堆积在该衬底上的第一和第二半导体芯片;一间隔件,其可形成在该第一和第二半导体芯片之间并至少具有电源和接地衬垫。该间隔件可用作无源元件,该第一和第二半导体芯片和该间隔件的电源和接地衬垫可电连接。堆积在该间隔件上的半导体芯片的衬垫可同样通过形成在该间隔件上的衬垫电连接到衬底接合衬垫。
-
-
-
-
-
-
-
-
-