公开(公告)号：CN103247545A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310049181.2

申请日：2013-02-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 拉尔夫·奥特伦巴 ,  林峰 ,  阿卜杜尔·拉赫曼·穆罕默德 ,  张翠薇 ,  艾达·菲舍巴赫 ,  克萨韦尔·施勒格尔 ,  于尔根·施雷德尔 ,  约瑟夫·赫格劳尔

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3512 ,  H01L2224/352 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37111 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/37164 ,  H01L2224/37169 ,  H01L2224/37572 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/37644 ,  H01L2224/37647 ,  H01L2224/37655 ,  H01L2224/37664 ,  H01L2224/37669 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40101 ,  H01L2224/40175 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40491 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/77272 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/84439 ,  H01L2224/84444 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84455 ,  H01L2224/84464 ,  H01L2224/84469 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/84825 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37599

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其方法。该方法包括提供具有第一主表面和第二主表面的半导体芯片。以半导体芯片的第一主表面面向承载件的形式，将半导体芯片放置在承载件上。在第一主表面和承载件之间设置焊料材料的第一层。以第一接触区域面向半导体芯片的第二主表面的方式，将包括第一接触区域的接触夹放置在半导体芯片上。在第一接触区域和第二主表面之间设置焊料材料的第二层。其后，将热量施加于焊料材料的第一层和第二层，从而在承载件、半导体芯片和接触片之间形成扩散焊料结合。

公开(公告)号：CN102903694A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210263016.2

申请日：2012-07-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 约瑟夫·赫格劳尔 ,  拉尔夫·奥特伦巴 ,  克萨韦尔·施勒格尔 ,  于尔根·施雷德尔

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48671 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48771 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48871 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01005

Abstract: 本发明涉及在一个面上具有两层金属层的功率半导体芯片。该半导体芯片包括具有多个有源晶体管元件的功率晶体管电路。第一负载电极和控制电极布置在半导体芯片的第一面上，其中，第一负载电极包括第一金属层。第二负载电极布置在半导体芯片的第二面上。第二金属层布置在第一金属层上方，其中第二金属层与功率晶体管电路电绝缘，第二金属层布置在功率晶体管电路的包括多个有源晶体管元件中的至少一个的区域的上方。

公开(公告)号：CN102903694B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201210263016.2

申请日：2012-07-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 约瑟夫·赫格劳尔 ,  拉尔夫·奥特伦巴 ,  克萨韦尔·施勒格尔 ,  于尔根·施雷德尔

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48671 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48771 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48871 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01005

Abstract: 本发明涉及在一个面上具有两层金属层的功率半导体芯片。该半导体芯片包括具有多个有源晶体管元件的功率晶体管电路。第一负载电极和控制电极布置在半导体芯片的第一面上，其中，第一负载电极包括第一金属层。第二负载电极布置在半导体芯片的第二面上。第二金属层布置在第一金属层上方，其中第二金属层与功率晶体管电路电绝缘，第二金属层布置在功率晶体管电路的包括多个有源晶体管元件中的至少一个的区域的上方。