公开(公告)号：CN102927429A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201110230740.0

申请日：2011-08-12

Applicant: 上海格林赛高新材料有限公司

Inventor： 余波 ,  杨惟志

IPC: F16S3/00 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L2224/34 ,  H01L2224/376 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/84

Abstract: 本发明涉及一种用于加工T型截面金属带材的带坯断面形状，该形状是一个上下左右全对称的图形，在薄料t2和厚料T2之间有一个厚度逐步变化的过渡区，有效的改善了厚、薄料冷却时的均匀性，使材料在凝固收缩时能减少或消除厚、薄料交界处凝固收缩时局部内应力的产生，该发明与现有技术相比，有益的效果是：减少或消除带坯的裂纹，提高成品率，改善模具的受力状态和减小模具的磨损，提高模具使用寿命。

公开(公告)号：CN107660308A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201680031979.6

申请日：2016-05-23

Applicant: 西门子公司

Inventor： S.施特格迈尔 ,  H.鲍尔埃格尔 ,  V.佐默

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/49 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D21/14 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4922 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/50 ,  H01L24/05 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/75 ,  H01L24/77 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/24245 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37005 ,  H01L2224/37111 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/37166 ,  H01L2224/3719 ,  H01L2224/37211 ,  H01L2224/37224 ,  H01L2224/37239 ,  H01L2224/37244 ,  H01L2224/37247 ,  H01L2224/37255 ,  H01L2224/37266 ,  H01L2224/3729 ,  H01L2224/373 ,  H01L2224/37395 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/756 ,  H01L2224/75703 ,  H01L2224/776 ,  H01L2224/77703 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/834 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/8349 ,  H01L2224/83511 ,  H01L2224/83524 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/83544 ,  H01L2224/83547 ,  H01L2224/83555 ,  H01L2224/83566 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/836 ,  H01L2224/83695 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/84007 ,  H01L2224/841 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/8492 ,  H01L2224/84951 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/424 ,  H01L2924/00012 ,  H05K3/4661 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01014 ,  H01L23/485

Abstract: 在用于使具有至少一个接触部的组件电接触的方法中，至少一个开孔接触件电镀式连接到至少一个接触部。因此构成组件模块。接触部优选是平面部分或者具有以下接触面：所述接触面的最大的平面延伸比接触部垂直于所述接触面的延伸更大。电镀式连接的温度为最高100℃、优选地最高60℃、适宜地最高20℃并且理想地最高5℃和/或与所述组件的运行温度偏差最高50℃、优选地最高20℃，尤其最高10℃并且理想地最高5℃、优选地最高2℃。组件可以借助所述接触件与另外的组件和/或导电体和/或衬底接触。优选地，考虑具有两个接触部的组件，所述两个接触部在所述组件的相互背离的侧上，其中，对于各个接触部，至少一个开孔接触件在所述接触部上电镀式连接。

公开(公告)号：CN105140205A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510387811.6

申请日：2015-06-30

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 石磊

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37599

Abstract: 本发明提供了一种双面散热的半导体叠层封装结构。该结构包括：第一金属框架引脚，第一芯片，第一焊线、第一金属片和第二金属框架引脚，第二芯片，第二焊线、第二金属片。第一金属片的上方设置助焊剂，与第二芯片连接。第一芯片通过第一框架的第一引脚和第一金属片形成电路的连通，第二芯片通过第二框架的第一引脚、第二金属片和第一框架的其他引脚形成电路的连通。本发明构成了一种更为实用双面散热的半导体叠层封装结构。缩小了产品尺寸，节省了生产成本，简化了生产流程，提高产品的良率，保证产品的可靠性。在提高产品封装良率、降低生产成本、缩小产品尺寸的同时满足了大功率、高能耗、高散热产品的性能要求。

公开(公告)号：CN104134651A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410182740.1

申请日：2014-04-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宮本浩靖

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/04 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84132 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16196 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/0203 ,  H05K2201/066 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/1053 ,  H05K2201/1056 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811

Abstract: 本发明涉及半导体装置。矩形的控制芯片的长边和矩形的存储器芯片的长边被布置为平行于BGA中的布线衬底的上表面的第一边。盖子包括一对第一边檐和一对第二边檐，第二边檐的宽度被形成为比第一边檐更宽，并且在安装在布线衬底的上表面上的控制芯片的短边的外侧以及安装在布线衬底的上表面上的存储器芯片的短边的外侧确保用于安装片状部件的安装区域和用于接合盖子的接合基底区，这使得能够在接合基底区上布置盖子的较宽的宽度的第二边檐。因此，能够减小BGA的安装面积。

公开(公告)号：CN104134651B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201410182740.1

申请日：2014-04-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宮本浩靖

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/04 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84132 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16196 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/0203 ,  H05K2201/066 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/1053 ,  H05K2201/1056 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811

Abstract: 本发明涉及半导体装置。矩形的控制芯片的长边和矩形的存储器芯片的长边被布置为平行于BGA中的布线衬底的上表面的第一边。盖子包括一对第一边檐和一对第二边檐，第二边檐的宽度被形成为比第一边檐更宽，并且在安装在布线衬底的上表面上的控制芯片的短边的外侧以及安装在布线衬底的上表面上的存储器芯片的短边的外侧确保用于安装片状部件的安装区域和用于接合盖子的接合基底区，这使得能够在接合基底区上布置盖子的较宽的宽度的第二边檐。因此，能够减小BGA的安装面积。

公开(公告)号：CN105140205B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201510387811.6

申请日：2015-06-30

Applicant: 通富微电子股份有限公司

Inventor： 石磊

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37599

Abstract: 本发明提供了一种双面散热的半导体叠层封装结构。该结构包括：第一金属框架引脚，第一芯片，第一焊线、第一金属片和第二金属框架引脚，第二芯片，第二焊线、第二金属片。第一金属片的上方设置助焊剂，与第二芯片连接。第一芯片通过第一框架的第一引脚和第一金属片形成电路的连通，第二芯片通过第二框架的第一引脚、第二金属片和第一框架的其他引脚形成电路的连通。本发明构成了一种更为实用双面散热的半导体叠层封装结构。缩小了产品尺寸，节省了生产成本，简化了生产流程，提高产品的良率，保证产品的可靠性。在提高产品封装良率、降低生产成本、缩小产品尺寸的同时满足了大功率、高能耗、高散热产品的性能要求。

公开(公告)号：CN1978122B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200610164237.9

申请日：2006-12-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶原良一 ,  伊藤和利

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  H01L23/488

CPC classification number: C22C13/02 ,  B23K35/02 ,  B23K35/025 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/01 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12708 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 提供一种使用了在大于等于280℃的耐热性、小于等于400℃时的接合性、焊锡的供给性、润湿性、高温保持可靠性以及温度循环可靠性方面优良的高温无铅焊锡材料的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置由以Sn、Sb、Ag和Cu为主要构成元素、具有42wt％≤Sb/(Sn+Sb)≤48wt％、5wt％≤Ag＜20wt％、3wt％≤Cu＜10wt％且5wt％≤Ag+Cu≤25wt％的组成、剩下的部分由其它的不可避免的杂质元素构成的高温焊锡材料接合了半导体元件与金属电极构件。

公开(公告)号：CN103247545A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310049181.2

申请日：2013-02-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 拉尔夫·奥特伦巴 ,  林峰 ,  阿卜杜尔·拉赫曼·穆罕默德 ,  张翠薇 ,  艾达·菲舍巴赫 ,  克萨韦尔·施勒格尔 ,  于尔根·施雷德尔 ,  约瑟夫·赫格劳尔

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3512 ,  H01L2224/352 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37111 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/37164 ,  H01L2224/37169 ,  H01L2224/37572 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/37644 ,  H01L2224/37647 ,  H01L2224/37655 ,  H01L2224/37664 ,  H01L2224/37669 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40101 ,  H01L2224/40175 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40491 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/77272 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/84439 ,  H01L2224/84444 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84455 ,  H01L2224/84464 ,  H01L2224/84469 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/84825 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37599

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其方法。该方法包括提供具有第一主表面和第二主表面的半导体芯片。以半导体芯片的第一主表面面向承载件的形式，将半导体芯片放置在承载件上。在第一主表面和承载件之间设置焊料材料的第一层。以第一接触区域面向半导体芯片的第二主表面的方式，将包括第一接触区域的接触夹放置在半导体芯片上。在第一接触区域和第二主表面之间设置焊料材料的第二层。其后，将热量施加于焊料材料的第一层和第二层，从而在承载件、半导体芯片和接触片之间形成扩散焊料结合。

公开(公告)号：CN101593776B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200910141152.2

申请日：2009-05-19

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 弗兰茨娃·赫尔伯特

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/62 ,  H01L23/48 ,  H01L29/43 ,  H01L23/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L24/40 ,  H01L24/37 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/36 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/83801

Abstract: 一种垂直半导体功率器件，其包括由半导体衬底的顶部表面和底部表面构成的一垂直电流路径，以导通贯穿的电流。该半导体功率器件还包括一由具有正温度系数电阻的材料构成的过电流保护层，该过电流保护层作为垂直电流路径的一部分，并连接到所述的垂直半导体功率器件的源极，用以对垂直半导体功率器件的栅极提供一反馈电压，以限制电流的贯穿，从而在任何的电压下保护半导体功率器件。

公开(公告)号：CN101593776A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910141152.2

申请日：2009-05-19

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 弗兰茨娃·赫尔伯特

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/62 ,  H01L23/48 ,  H01L29/43 ,  H01L23/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L24/40 ,  H01L24/37 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/36 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/83801

Abstract: 一种垂直半导体功率器件，其包括由半导体衬底的顶部表面和底部表面构成的一垂直电流路径，以导通贯穿的电流。该半导体功率器件还包括一由具有正温度系数电阻的材料构成的过电流保护层，该过电流保护层作为垂直电流路径的一部分，并连接到所述的垂直半导体功率器件的源极，用以对垂直半导体功率器件的栅极提供一反馈电压，以限制电流的贯穿，从而在任何的电压下保护半导体功率器件。