Halbleiterpackages mit elektrischen Umverteilungsschichten unterschiedlicher Dicken

    公开(公告)号:DE102020130617A1

    公开(公告)日:2022-05-19

    申请号:DE102020130617

    申请日:2020-11-19

    Abstract: Ein Halbleiterpackage beinhaltet einen Nicht-Leistungschip mit einem ersten elektrischen Kontakt, der bei einer ersten Hauptoberfläche des Nicht-Leistungschips angeordnet ist. Das Halbleiterpackage beinhaltet ferner einen Leistungschip mit einem zweiten elektrischen Kontakt, der bei einer zweiten Hauptoberfläche des Leistungschips angeordnet ist. Das Halbleiterpackage beinhaltet ferner eine erste elektrische Umverteilungsschicht, wobei die erste elektrische Umverteilungsschicht dazu ausgelegt ist, eine elektrische Kopplung zwischen dem ersten elektrischen Kontakt und einem ersten externen elektrischen Kontakt des Halbleiterpackages bereitzustellen. Das Halbleiterpackage beinhaltet ferner eine zweite elektrische Umverteilungsschicht, wobei die zweite elektrische Umverteilungsschicht dazu ausgelegt ist, eine elektrische Kopplung zwischen dem zweiten elektrischen Kontakt und einem zweiten externen elektrischen Kontakt des Halbleiterpackages bereitzustellen. Wenn in einer ersten Richtung senkrecht zu mindestens einer der ersten Hauptoberfläche oder der zweiten Hauptoberfläche gemessen, ist eine maximale Dicke von mindestens einem Abschnitt der ersten elektrischen Umverteilungsschicht kleiner als eine maximale Dicke der zweiten elektrischen Umverteilungsschicht.

    Chip-Montage an über Chip hinausstehender Adhäsions- bzw. Dielektrikumsschicht auf Substrat

    公开(公告)号:DE102014101366B3

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:DE102014101366

    申请日:2014-02-04

    Abstract: Elektronisches Modul (100), das ein erstes Substrat (102), eine erste Dielektrikumsschicht (104) auf dem ersten Substrat (102), zumindest einen elektronischen Chip (106), der mit einer ersten Hauptoberfläche (108) direkt oder indirekt auf einem Teilbereich der ersten Dielektrikumsschicht (104) montiert ist, ein zweites Substrat (110) über einer zweiten Hauptoberfläche (114) des zumindest einen elektronischen Chips (106), und eine elektrische Kontaktierung (116) zum elektrischen Kontaktieren des zumindest einen elektronischen Chips (106) durch die erste Dielektrikumsschicht (104) hindurch aufweist, wobei sich die erste Adhäsionsschicht (104) auf dem ersten Substrat (102) über eine Fläche hinweg erstreckt, welche die erste Hauptoberfläche (108) überschreitet.

    Bondmaterial mit exotherm reaktiven Heterostrukturen

    公开(公告)号:DE102010060831A1

    公开(公告)日:2011-07-21

    申请号:DE102010060831

    申请日:2010-11-26

    Abstract: Bondmaterial (30), das ein schmelzbares Verbindungsmaterial (36) und eine Vielzahl von Heterostrukturen (40), die in dem gesamten schmelzbaren Verbindungsmaterial (36) verteilt sind, enthält, wobei die Heterostrukturen (40) mindestens ein erstes Material (42) und ein zweites Material (44) aufweisen, die in der Lage sind, bei Initiierung durch eine externe Energie eine selbstständig ablaufende exotherme Reaktion durchzuführen, um Wärme zu erzeugen, die ausreichend ist, um das schmelzbare Verbindungsmaterial (36) zu schmelzen.

    Verfahren zum Herstellen eines Package mit lötbarem elektrischen Kontakt

    公开(公告)号:DE102016103585B4

    公开(公告)日:2022-01-13

    申请号:DE102016103585

    申请日:2016-02-29

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Package (100), wobei das Verfahren umfasst:• das mindestens teilweise Verkapseln eines elektronischen Chips (102) mit einer Verkapselungsmasse (104) vom Laminattyp;• das Bilden einer Verdrahtungsstruktur (160), die sich vom elektronischen Chip (102) bis zu einem Kontaktpad (156) erstreckt;• das Bilden eines Lötresists (206) auf einer Außenoberfläche des Packages (100);• das galvanische Bilden einer Schicht (200, 202) in einem Hohlraum des Lötresists (206) als lötbarer, äußerer elektrischer Kontakt (106) mit einer im Wesentlichen flachen Außenoberfläche, wobei der lötbare, äußere elektrische Kontakt (106) elektrisch mit dem elektronischen Chip (102) verbunden ist, indem er in Kontakt mit dem Kontaktpad (156) angeordnet ist, wobei das Verfahren das galvanische Bilden des äußeren elektrischen Kontakts (106) durch das galvanische Bilden einer Nickelschicht (200), die eine Dicke im Bereich zwischen 1 µm und 8 µm hat, gefolgt vom galvanischen Bilden einer Zinnschicht (202), die eine Dicke im Bereich zwischen 10 µm und 20 µm hat, auf der Nickelschicht (100) umfasst, wobei das Verfahren ferner das anschließende Aufbringen des Package (100) auf eine Montagebasis (108) umfasst.

    Package mit separaten Substratabschnitten

    公开(公告)号:DE102019127791A1

    公开(公告)日:2021-04-15

    申请号:DE102019127791

    申请日:2019-10-15

    Abstract: Ein Package (100), aufweisend ein Substrat (102) mit mindestens einer ersten Aussparung (104) an einer Vorderseite (106) und mindestens einer zweiten Aussparung (108) an einer Rückseite (110), wobei das Substrat (102) durch die mindestens eine erste Aussparung (104) und die mindestens eine zweite Aussparung (108) in eine Mehrzahl separater Substratabschnitte (112) separiert ist, ein elektronisches Bauteil (114), das an der Vorderseite (106) des Substrats (102) montiert ist, und ein einziges Verkapselungsmittel (124), das mindestens einen Teil der mindestens einen ersten Aussparung (104) und mindestens einen Teil der mindestens einen zweiten Aussparung (108) füllt, wobei das Verkapselungsmittel (124) Seitenwände (150) von mindestens einem der Substratabschnitte (112) entlang mindestens eines Teils einer vertikalen Erstreckung (D) des besagten mindestens einen Substratabschnitts (112) vollumfänglich umgibt, ohne durch den besagten mindestens einen Substratabschnitt (112) entlang einer gesamten vertikalen Erstreckung (d) unterbrochen zu werden, über welche hinweg das Verkapselungsmittel (124) den besagten mindestens einen Substratabschnitt (112) umgibt.

    Halbleiterbauelement mit einem Clip aus Verbundmaterial

    公开(公告)号:DE102018206482A1

    公开(公告)日:2019-10-31

    申请号:DE102018206482

    申请日:2018-04-26

    Abstract: Halbleiterbauelement mit einem ersten Halbleiterdie mit einer ersten Oberfläche, einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche und einem auf der ersten Oberfläche angeordneten Kontaktpad, einem von dem Halbleiterdie beabstandeten weiteren Kontaktpad, einem Clip mit einer ersten Schicht aus einem ersten metallischen Material und einer zweiten Schicht aus einem von dem ersten metallischen Material verschiedenen zweiten metallischen Material, wobei die erste Schicht des Clips mit dem Kontaktpad verbunden ist und die zweite Schicht des Clips mit dem weiteren Kontaktpad verbunden ist.

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