公开(公告)号：KR1020090056789A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：KR1020080064462

申请日：2008-07-03

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  한국정보통신대학교 산학협력단

Inventor： 김창선 ,  김무성 ,  윤병진 ,  홍은표 ,  유형준

IPC: H03F1/26

CPC classification number: H03F1/26 ,  H03F1/223 ,  H03F1/347 ,  H03F3/191 ,  H03F2200/294

Abstract: A multi band low noise amplifier is provided to reduce a value of a passive device for input terminal matching in a low frequency band by sharing the passive device of the input terminal matching circuit. A first matching circuit(110) performs the impedance matching of the input terminal in a low frequency region. A first transistor includes a gate connected to a first matching circuit and a drain connected to an output terminal, and performs the amplification operation of the low frequency input. A first degeneration inductor is connected between the ground and the source of the first transistor. A second matching circuit(120) performs the impedance matching of the input terminal in a high frequency region. A second transistor includes the gate connected to the second matching circuit and the drain connected to the output terminal, and performs the amplification operation of the high frequency input. A second degeneration inductor is connected between the ground and the source of the second transistor.

Abstract translation: 提供一种多频带低噪声放大器，通过共享输入端子匹配电路的无源器件来降低用于低频带中的输入端子匹配的无源器件的值。 第一匹配电路（110）在低频区域中执行输入端子的阻抗匹配。 第一晶体管包括连接到第一匹配电路的栅极和连接到输出端子的漏极，并且执行低频输入的放大操作。 第一退化电感器连接在第一晶体管的接地和源极之间。 第二匹配电路（120）在高频区域中执行输入端子的阻抗匹配。 第二晶体管包括连接到第二匹配电路的栅极和连接到输出端子的漏极，并且执行高频输入的放大操作。 第二退化电感器连接在第二晶体管的接地和源极之间。

公开(公告)号：KR100288549B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019970038668

申请日：1997-08-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송윤호 ,  이진호 ,  강승열 ,  조경익 ,  유형준

IPC: H01J1/30

Abstract: PURPOSE: A field emission display is provided to reduce power consumption and fabricating costs of a field emission display by operating a row drive IC and a column drive IC under a low voltage. CONSTITUTION: Pixels including a field emitter array(10) and an n-channel high voltage thin film transistor(11) are arranged in a matrix shape. A gate and a source of the n-channel high voltage thin film transistor(11) are connected with a row drive IC(20) and a column drive IC(30). A drain of the n-channel high voltage thin film transistor(11) is connected electrically with an emitter electrode of the field emitter array(10). A gate of the field emitter array(10) is connected with a common electrode(40). The field emitter array(10) and the n-channel high voltage thin film transistor(11) are integrated on an insulating substrate.

公开(公告)号：KR100233829B1

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：KR1019970039495

申请日：1997-08-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이창승 ,  이종현 ,  홍윤식 ,  노광수 ,  유형준

IPC: G01C19/56 ,  G01C23/00

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 마이크로 자이로스코프에 관한 것으로, 특히 미세가공기술로 제작 가능한 압전 박막을 이용하여 가진 및 검출이 동일한 평면상에서 이루어지도록 하는 마이크로 자이로스코프 및 그 제조 방법과 이를 이용한 각속도 측정 방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
실리콘 미세가공기술을 이용해 정전기력 및 자기력으로 구동되는 종래의 진동형 마이크로 자이로스코프는 진동 방향과 수직한 방향으로 발생하는 코리올리 힘을 이용하여 각속도를 측정하게 되는데, 공기 감쇠의 효과를 줄여 감도를 높이기 위해서는 진공 패키징이 요구되며, 가진과 검출의 진동 모드를 가능한 정확히 조율해야 하는 문제점이 발생한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명은 센서의 구조가 실리콘, 압전 박막 및 금속의 적층형으로 구성되어 있어 반도체 제조 공정으로 구현이 가능하고, 직선적으로 전파되는 진행파를 압전박판에 발생시켰을 때 외부 회전 각속도에 의해 받게되는 코리올리 힘을 전기적 신호로 검출되도록 함으로써, 가진 및 검출이 동일한 평면상에서 이루어지게 되어 제작공정이 단순화되며 진공 패키징 및 주파수 조율이 필요 없는 저가의 고감도 각속도를 제시한다.

公开(公告)号：KR100223020B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019960033171

申请日：1996-08-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종태 ,  유종선 ,  유형준

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 반도체 장치 제조 방법에 관한 것으로, 콘택 홀 형성 공정이 포함된 반도체 장치 제조 과정중에 갯터링 공정을 수행함으로써 콘택홀 밑면의 반도체 기판 계면에 존재하는 무기물류, 유기물류, 금속류 등의 각종 오염물을 제거할 수 있으며, 또한 콘택 홀 영역의 반도체 기판 표면 및 계면의 결정 특성을 단결정 수준으로 복원시킬 수 있어 금속-반도체 기판간에 이루어지는 콘택의 저항 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 장치 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR100204578B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960038191

申请日：1996-09-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이각현 ,  김도훈 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 굴절능을 반사경에 집중시켜 넓은 대역폭의 광원을 사용할 수 있도록 구성한 광학계(optical system)에 관한 것이다.
광학계를 구성하는 렌즈의 수와 전체 렌즈들의 두께를 줄일 수 있는 본 발명은 광원후단에 위치하며, 4장의 렌즈로 이루어진 제1렌즈군과, 제1렌즈군의 후단에 위치하며 4장의 렌즈로 이루어진 제2렌즈군과, 제2란제군 후단에 위치하며, 2개의 프리즘으로 이루어진 편광선속분할기와, 편광선속분할기 후단에위치하는 파장평판 및 주 반사경과, 파장평판 하단에 위치되어 광이 조사되는 물체면과 대응하는 5장의 렌즈로 이루어진 제3렌즈군으로 구성된다.

公开(公告)号：KR100171009B1

公开(公告)日：1999-05-01

申请号：KR1019950047433

申请日：1995-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  최부연 ,  박경호 ,  유형준

IPC: G01C19/00

CPC classification number: G01C19/56 ,  G01P15/0802

Abstract: 본 발명은 원판 진동형 마이크로 자이로스코프 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 마이크로 자이로스코프는, 원판형 진동체(2)를 지지하기 위한 지지대(3); 상부 구동전극(4)과의 정전력에 의해 가진되어 회전시 공진주파수를 2개의 서로 다른 근접한 주파수로 천이시키기 위한 원판형 진동체(2); 원판형 진동체(2)와의 정전용량 변화에 의해 자이로스코의 회전 각속도를 검출하기 위한 하부 검출전극(5); 및 상기한 원판형 진동체(2)를 구동시키기 위한 상부 구동전극(4)을 포함한다.
또한, 본 발명의 마이크로 자이로스코프 제조방법은, 실리콘 기판(1) 상에 절연층(6)을 증착시키고, P형 또는 N형 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 전기한 절연층(6) 위에 증착시키고, 통상의 포토리소그래피 방법에 의해 소정 부분을 제외한 나머지 부분을 제거하여 신호검출을 위한 하부 검출전극(5)을 형성하는 공정; 하부 희생층(8)으로서 상기 공정에서 얻어진 구조의 전 표면에 산화막을 PECVD법에 의해 증착하고, 하부 검출전극(5) 간의 절연층(6)이 노출되도록 하부 희생층(8)을 건식 식각에 의해 형성하는 공정; 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 하부 희생층(8) 상에 증착하고, 지지대(3) 및 원판형 진동체(2)를 제외한 부분을 건식 식각하는 공정; 산화막의 하부 희생층(8)을 PECVD법에 의해 상기한 지지대(3) 및 원판형 진동체(2) 상에 증착하고 공정; 패턴을 형성하고 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 상부 희생층(7) 상에 증착하는 공정; 및, 상기한 상부 희생층(7) 및 하부 희생층(8)을 습식 식각하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1019990027223A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970049653

申请日：1997-09-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  최창억 ,  이용일 ,  백종태 ,  유형준 ,  장원익

IPC: H01L29/82

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
멤즈 소자의 형성 방법.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
진공 밀봉이 요구되는 멤즈 소자의 형성시, 웨이퍼 위에 형성된 모든 소자를 한꺼번에 진공 밀봉하고 또한 진공 성능을 높일 수 있는 진공 밀봉 방법을 사용하여 제조된 멤즈 소자의 형성 방법을 제공하고자 함을 그 목적으로 한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
하부 기판 상에 절연막, 상부 기판을 형성한후, 상기 상부 기판 및 절연막의 선택적 식각으로 상기 하부 기판을 다수군데 노출시키는 단계; 상기 노출된 하부 기판을 메우는 희생막 패턴을 형성하되, 적어도 상기 노출된 하부 기판중 두군데를 연결하여 이루어지는 희생막 패턴을 형성하는 단계; 상기 희생막 패턴 상부에 제1밀봉 박막을 형성하는 단계; 상기 제1밀봉 박막에 상기 희생부 패턴의 끝부분과, 상기 상부 기판을 노출시키는 다수의 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통하여 상기 희생막 패턴을 완전히 제거하는 단계; 및 상기 콘택홀 및 제1밀봉 박막을 덮는 제2밀봉 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR100174868B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019940033475

申请日：1994-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  이각현 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 반도체 노광장비인 웨이퍼 스테퍼의 웨이퍼 정렬방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 레이저 광원으로는 He-Ne 레이저 대신에 자기장에 의한 에너지 띄의 미세분리 효과를 이용한 제만(Zeeman) 레이저로서 두 광파가 수 MHz의 상이한 주파수 차를 가지며 두 광파의 편광이 항상 수직을 유지하는 제만 주파수 안정화 레이저를 사용하여 정렬광의 위상과 레이저 기준신호의 위상을 비교함으로써 수십 KHz의 상이한 주파수 차를 가지는 두 광파로 분리하기 위해서 광-음향 변조기(acousto-optic modulator)를 사용해야 하는 종래의 He-Ne 레이저에 비해 비교적 간단한 광학계로 빠른 정렬과 높은 정렬 정밀도를 달성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100174867B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019940035475

申请日：1994-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상기 ,  백종태 ,  이춘수 ,  유형준

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 제조장치에 있어서 특히 웨이퍼 박막의 연마시 연마제의 온도변화를 줄여주며 연마된 박막두께의 균일도를 향상하고 평탄화 할 수 있도록 하는 화학, 기계적 연마기의 스핀들 테이블 어셈블리에 관한 것으로 본 발명은 평탄화 기술에 사용되는 화학, 기계적 연마장비를 개선하여 단위공정의 질적 향상과 공정의 안정화를 도모할 수 있도록 화학적 기계적 연마장치의 스핀들 테이블 어셈블리의 구조를 알루미늄 플레이터, 온수순환 탱크, 연마용액공급탱크, 연마를 패드 위로 보내는 미세관 패드등으로 구성되도록 하며, 연마시 패드 아래에서 패드 위로 연마용액이 공급되도록 함을 특징으로 하는 것이다.

公开(公告)号：KR100170504B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019950030292

申请日：1995-09-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종태 ,  김윤태 ,  유형준

IPC: H01L21/288

Abstract: 본 발명은 접촉 홀 매립방법에 관한 것으로서, 접촉 홀에 의해 도선 또는 반도체기판의 확산 영역을 노출시키는 산화막을 형성하고, 이 산화막의 상부와 접촉 홀의 내부에 장벽 금속층과 젖음층을 순차적으로 형성하며, 상기 젖음층의 상부에 CVD 방법에 의해 도전성 금속층을 형성한 후 이 도전성 금속층 표면의 불순물과 산화물을 제거하도록 플라즈마 상태에서 세정 식각하고, 상기 세정 식각을 수행한 반응 로에서 300~500℃ 정도의 온도로 도전성 금속층을 리플로우시켜 보이드를 채워 접촉 홀을 매립한다. 따라서, 도전성 금속층 표면의 원자들의 이동 특성을 향상시켜 낮은 온도에서 리플로우가 가능하도록 하여 PN 접합면에 스파이크의 발생을 저하시킬 수 있으며, 또한, 도전성 금속층 표면의 원자들의 향상된 이동 특성은 아일랜드의 생성으로 인한 도선이 끊어지는 것을 방지할 수 있다.