公开(公告)号：KR1019970001888B1

公开(公告)日：1997-02-18

申请号：KR1019930026305

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문재경 ,  이종람 ,  맹성재 ,  권오승

IPC: H01L23/34

Abstract: A method for thermal emitting of electric power FET(field effect transistor) for micro wave is disclosed. The method for thermal emitting of electric power FET(field effect transistor) for micro wave comprises the steps of: a) forming a photoresist(22) and deposing the etching mask(11); b) etching a lower portion of a channel layer using the channel etching mask(11) to a predetermined thickness; c) removing the channel etching mask(11); d) depositing titanium and base metal(55) to a predetermined thickness; e) forming a photoresist(22) for filling an only channel layer on the resulting deposited structure; f) forming a filled gold except for the photoresist(22); g) removing the photoresist(22); and h) performing a plating of gold to a predetermined thickness. Thereby, the thermal emitting is effectively achieved compared with the prior art.

Abstract translation: 公开了一种用于微波的功率FET（场效应晶体管）的热发射方法。 用于微波的电功率FET（场效应晶体管）的热发射方法包括以下步骤：a）形成光致抗蚀剂（22）并去除蚀刻掩模（11）; b）使用沟道蚀刻掩模（11）将沟道层的下部蚀刻至预定厚度; c）去除沟道蚀刻掩模（11）; d）将钛和贱金属（55）沉积到预定厚度; e）形成光致抗蚀剂（22），用于填充所得沉积结构上的唯一沟道层; f）除了光致抗蚀剂（22）之外，形成填充的金; g）去除光致抗蚀剂（22）; 和h）进行镀金至预定厚度。 因此，与现有技术相比，有效地实现了热发射。

公开(公告)号：KR1019960039223A

公开(公告)日：1996-11-21

申请号：KR1019950009258

申请日：1995-04-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문재경 ,  이종람 ,  김해천

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812

Abstract: 본 발명은 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET:metalsemiconductor field effect transistor), 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT : high electron mobility transistor) 또는 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT : heter-ojuntion bipolar transistor) 등과 같은 갈륨비소 화합물 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 상기 소자의 게이트 전극 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 게이트 전극으로 사용되는 금속층을 형성하는 공정전에 웨이퍼의 표면을 황화암모늄[(NH
4 )
2 S
x ] 용액으로 유황처리하는 공정을 포함함을 특징으로 하며, 상기 유황처리 공정에 의해 웨이퍼의 표면상태밀도가 낮아지고, 이에 따른 쇼트키 장벽높이가 의도하는 만큼 얻어질 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960026482A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940035464

申请日：1994-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김해천 ,  이종람 ,  문재경

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 오옴익층의 새로운 금속구조를 제시한다.
오옴익층의 형성과정은 종래의 방법과 동일하나 금속구조가 기판으로부터 Ni/Ge/Au/Ti/Au의 적층을 이룬다.
이를 약 400℃정도의 온도에서 20초 정도 열처리를 수행하여 오옴익층을 형성한다.
본 발명에 의한 오옴익층은 종래의 구조에 비하여 접촉저항값이 향상될 뿐아니라, 표면 조직과 열안정성 역시 향상되는장점을 가진다.

公开(公告)号：KR102265460B1

公开(公告)日：2021-06-09

申请号：KR1020160003289

申请日：2016-01-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장우진 ,  고상춘 ,  문재경 ,  박영락

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/687 ,  H03K17/10

公开(公告)号：KR101991259B1

公开(公告)日：2019-06-24

申请号：KR1020120144129

申请日：2012-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강동민 ,  주철원 ,  김성일 ,  이상흥 ,  임종원 ,  윤형섭 ,  문재경 ,  남은수

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

公开(公告)号：KR101923968B1

公开(公告)日：2018-12-03

申请号：KR1020120146836

申请日：2012-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성일 ,  임종원 ,  강동민 ,  이상흥 ,  윤형섭 ,  주철원 ,  민병규 ,  이종민 ,  문재경 ,  남은수

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 전계 효과 트랜지스터가 제공된다. 이 트랜지스터는 기판 상에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극, 및 소스 전극과 드레인 전극 사이의 기판 상에 배치된 +형 게이트 전극을 포함한다.

公开(公告)号：KR101923959B1

公开(公告)日：2018-12-03

申请号：KR1020120143702

申请日：2012-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임종원 ,  안호균 ,  장우진 ,  강동민 ,  김성일 ,  이상흥 ,  윤형섭 ,  주철원 ,  김해천 ,  문재경 ,  남은수

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 고전자 이동도 트랜지스터가 제공된다. 이 트랜지스터는 기판 상에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극 사이의 기판 상에 배치된 T형 게이트 전극, 및 기판과 T형 게이트 전극 사이에 개재된 복수의 절연막들을 포함한다. 복수의 절연막들은 제 1 절연막, 제 2 절연막 및 제 3 절연막으로 구성된다. T형 게이트 전극의 다리부에 접하도록 제 3 절연막이 기판과 T형 게이트 전극의 머리부 사이에 개재되고, 제 3 절연막에 접하도록 제 2 절연막이 기판과 T형 게이트 전극의 머리부 사이에 개재되고, 그리고 제 2 절연막에 접하도록 순차적으로 적층된 제 1 절연막 및 제 3 절연막이 기판과 T형 게이트 전극의 머리부 사이에 개재된다.

公开(公告)号：KR101878931B1

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：KR1020150088941

申请日：2015-06-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정동윤 ,  이현수 ,  고상춘 ,  김정진 ,  김진식 ,  나제호 ,  남은수 ,  문재경 ,  박영락 ,  배성범 ,  이형석 ,  장우진 ,  장현규 ,  전치훈

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

Abstract: 반도체소자의제1 질화물반도체층은기판상에제공되고, 제2 질화물반도체층은제1 질화물반도체층상에제공되고, 제1 오믹메탈및 제2 오믹메탈은제2 질화물반도체층상에제공되고, 리세스영역은제1 오믹메탈과제2 오믹메탈사이의제2 질화물반도체층내에제공되고, 패시베이션층은제1 오믹메탈의측면및 리세스영역의하부면과측면을덮고, 쇼트키전극은제1 오믹메탈상에제공되고, 리세스영역의내부로연장된다.

公开(公告)号：KR101695306B1

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：KR1020130152420

申请日：2013-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 배성범 ,  김성복 ,  문재경 ,  고상춘 ,  문석환 ,  전치훈 ,  장우진 ,  박영락 ,  나제호

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

Abstract: 본발명은질화물반도체의제조방법에관한것으로, 반응기내에기판을준비하는것 및상기기판상에에피층을형성하는것을포함하고, 상기에피층을형성하는것은펄스플로우성장법을수행하는것을포함하되, 상기펄스플로우성장법은상기기판상에 5족소스물질을공급하는것 및상기기판상에 3족소스물질을공급하는것을포함하고, 상기 5족및 3족소스물질들은상기반응기내에교대로공급되되, 상기 5족소스물질은히드라진(hydrazine) 계열의물질을포함하는질화물반도체의제조방법에제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氮化物半导体的方法，包括在反应器中制备衬底并在衬底上形成外延层的步骤。 形成外延层时进行脉冲流生长方法; 脉冲流生长方法包括在基板上提供3-5组源材料; 将组3-5材料交替地供应到反应器的内部; 5组源材料包括肼类材料。

公开(公告)号：KR1020170000423A

公开(公告)日：2017-01-03

申请号：KR1020150088941

申请日：2015-06-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정동윤 ,  이현수 ,  고상춘 ,  김정진 ,  김진식 ,  나제호 ,  남은수 ,  문재경 ,  박영락 ,  배성범 ,  이형석 ,  장우진 ,  장현규 ,  전치훈

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

Abstract: 반도체소자의제1 질화물반도체층은기판상에제공되고, 제2 질화물반도체층은제1 질화물반도체층상에제공되고, 제1 오믹메탈및 제2 오믹메탈은제2 질화물반도체층상에제공되고, 리세스영역은제1 오믹메탈과제2 오믹메탈사이의제2 질화물반도체층내에제공되고, 패시베이션층은제1 오믹메탈의측면및 리세스영역의하부면과측면을덮고, 쇼트키전극은제1 오믹메탈상에제공되고, 리세스영역의내부로연장된다.

Abstract translation: 半导体器件的第一氮化物半导体层设置在衬底上，第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，第一欧姆金属和第二欧姆金属设置在第二氮化物半导体层上，凹部 在所述第一欧姆金属和所述第二欧姆金属之间的所述第二氮化物半导体层中设置钝化层，所述钝化层覆盖所述第一欧姆金属的一侧，并且所述钝化层覆盖所述凹部区域的底表面和侧面，并且所述第一欧姆金属 金属并延伸到凹陷区域中。