公开(公告)号：EP1049157A1

公开(公告)日：2000-11-02

申请号：EP99830255.8

申请日：1999-04-29

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Barlocchi, Gabriele ,  Villa, Flavio ,  Corona, Pietro

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/20

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B01L3/5027 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0338 ,  B81C2201/0177 ,  H01L21/764

Abstract: The process comprises the steps of forming, on a monocrystalline-silicon body (11), an etching-aid region (13) of polycrystalline silicon; forming, on the etching-aid region (13), a nucleus region (17) of polycrystalline silicon, surrounded by a protective structure (26) having an opening (22') extending as far as the etching-aid region (13); TMAH-etching the etching-aid region (13) and the monocrystalline body (11), forming a tub shaped cavity (30); removing the top layer (19) of the protective structure (26); and growing an epitaxial layer (33) on the monocrystalline body (11) and the nucleus region (17). The epitaxial layer, of monocrystalline type (33a) on the monocrystalline body (11) and of polycrystalline type (33b) on the nucleus region (17), closes upwardly the etching opening (22'), and the cavity (30) is thus completely embedded in the resulting wafer (34).

Abstract translation: 该方法包括在单晶硅体（11）上形成多晶硅的蚀刻助剂区域（13）的步骤; 在所述蚀刻辅助区域（13）上形成由具有延伸到所述蚀刻助剂区域（13）的开口（22'）的保护结构（26）包围的多晶硅的核区域（17）。 TMAH蚀刻蚀刻助剂区域（13）和单晶体（11），形成桶形空腔（30）; 去除保护结构（26）的顶层（19）; 以及在所述单晶体（11）和所述核区域（17）上生长外延层（33）。 单晶体（11）上的单晶型（33a）外延层和核区域（17）上的多晶型（33b）的外延层向上封闭蚀刻开口（22'），因此空腔（30） 完全嵌入所得晶片（34）中。

公开(公告)号：EP0922944A3

公开(公告)日：1999-11-10

申请号：EP98830266.7

申请日：1998-04-30

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Montanini, Pietro ,  Ferrera, Marco ,  Castoldi, Laura ,  Gelmi, Ilaria

IPC: G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2201/053 ,  G01C19/56 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/097 ,  G01P15/125 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/764

Abstract: The method is based on the use of a silicon carbide mask for removing a sacrificial region. In case of manufacture of integrated semiconductor material structures, the following steps are performed: forming a sacrificial region (6) of silicon oxide on a substrate (1) of semiconductor material; growing a pseudo-epitaxial layer (8); forming an electronic circuit (10-13, 18); depositing a silicon carbide layer (21); defining photolithographycally the silicon carbon layer so as to form an etching mask (23) containing the topography of a microstructure (27) to be formed; with the etching mask (23), forming trenches (25) in the pseudo-epitaxial layer (8) as far as the sacrificial region (6) so as to laterally define the microstructure; and removing the sacrificial region (6) through the trenches (25).

公开(公告)号：EP0605300B1

公开(公告)日：1998-06-03

申请号：EP93403154.3

申请日：1993-12-23

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Diem, Bernard ,  Delaye, Marie-Thérèse

IPC: G01P15/08

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/053 ,  B81C2201/0166 ,  B81C2201/0177 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0828 ,  Y10S73/01 ,  Y10S73/04

公开(公告)号：KR101861426B1

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：KR1020160065490

申请日：2016-05-27

Applicant: 인피니언 테크놀로지스 아게

Inventor： 데니플구엔터 ,  프리슈무스토비아스 ,  그릴토마스 ,  헤데니그우르슐라 ,  이르시글러피터 ,  칸마르쿠스 ,  마우러다니엘 ,  슈미드울리히 ,  슈네이더마이클

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/007 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2201/0181 ,  H04R2201/003

Abstract: 미세기계구조체는기판및 기판에배열된기능구조체를포함한다. 기능구조체는기능영역에대해작용하는힘에응답하여기판에대해편향가능한기능영역을포함한다. 기능구조체는탄소층 배열을포함하고, 탄소층 배열의기초물질은탄소물질이다.

公开(公告)号：KR1020140026560A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：KR1020137033278

申请日：2012-05-11

Applicant: 테크놀로지안 투트키무스케스쿠스 브이티티 오와이

Inventor： 프룬닐라,미카 ,  자콜라,안티 ,  펜살라,투오마스

IPC: B81B3/00 ,  H03H9/02

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  G06F17/5045 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/2442

Abstract: 본 발명은 편향 또는 공진할 수 있고 상이한 재료 속성들을 갖는 적어도 2개의 영역들을 포함하는 반도체 소자, 상기 반도체 소자에 기능적으로 결합된 구동 또는 감지 수단을 포함하는 마이크로기계 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상기 영역들의 적어도 하나는 하나 또는 그보다 많은 n-형 도핑제들을 포함하고, 상기 영역들의 상대적인 체적들, 도핑 농도들, 도핑제들 및/또는 결정 방위들은 일반화된 강성의 온도 감도들이 적어도 영역들에 대한 하나의 온도에서 부호가 반대이고, 상기 반도체 소자의 일반화된 강성의 전체적인 온도 드리프트가 100 ℃의 온도 범위 상에서 50 ppm 또는 그 미만 이도록 구성된다. 상기 장치는 공진기일 수 있다. 또한, 상기 장치를 설계하는 방법이 개시되어 있다.

公开(公告)号：KR101272359B1

公开(公告)日：2013-06-07

申请号：KR1020110007598

申请日：2011-01-26

Applicant: 오므론 가부시키가이샤

Inventor： 마스다타카히로 ,  요시타케나오키 ,  히누마켄이치 ,  야마모토준야 ,  후지사와타카시 ,  후지와라타케시

IPC: H01H59/00 ,  B81B3/00 ,  H01H49/00

CPC classification number: H01H1/06 ,  B81B2201/014 ,  B81C1/00166 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0184 ,  H01H1/0036 ,  H01H2001/0052 ,  Y10T29/49105

Abstract: 본 발명은 접점의 접촉면이 평활한 스위치나 릴레이를 제공하는 것으로서, 해결수단으로서는, 고정 접점부(33)의 측면과 가동 접점부(34)의 측면이 대향한다. 고정 접점부(33)는, 고정 접점 기판(41)의 위에 절연층(43)과 하지층(44)이 적층되고, 그 위에 전해 도금 등에 의해 도전층(45)이 형성된다. 도전층(45)의 가동 접점부(34)와 대향하는 측면이 고정 접점(46)(접촉면)이 된다. 가동 접점부(34)는, 가동 접점 기판(51)의 위에 절연층(53)과 하지층(54)이 적층되고, 그 위에 전해 도금 등에 의해 가동 접점(56)이 형성된다. 도전층(55)의 고정 접점부(33)와 대향하는 측면이 가동 접점(56)(접촉면)이 된다. 이 고정 접점(46) 및 가동 접점(56)은, 도전층(45) 및 도전층(55)을 전해 도금 등에 의해 성장시키는 공정에서, 몰드부의 측면에 접하여 있던 면이다.

公开(公告)号：TW201730094A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW106101097

申请日：2017-01-13

Applicant: 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： 布萊林 阿奇美 ,  BREITLING, ACHIM ,  萊賢巴哈 法蘭克 ,  REICHENBACH, FRANK ,  蘭穆斯 猶根 ,  REINMUTH, JOCHEN ,  雅木托 尤莉亞 ,  AMTHOR, JULIA

IPC: B81C1/00 ,  G01C19/5733 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/08

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00285 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0145

Abstract: 茲提出一種用於製造微機械裝置方法，該微機械裝置具有基板並且具有蓋體，該蓋體被連接到該基板並且與該基板封住第一空腔，第一壓力存在於該第一空腔中，且具有第一化學組成的第一氣體混合物被封入於第一空腔中，其中在第一方法步驟中，進出開口形成於該基板或該蓋體中，進出開口係將該第一空腔連接到微機械裝置的周圍空間，其中在第二方法步驟中，該第一壓力及/或該第一化學組成設置在該第一空腔，其中在第三方法步驟中，藉由雷射的輔助而引入能量或熱量到該基板或該蓋體的吸收部分以密封該進出開口，其中在第四方法步驟中，將第一結晶層或第一非晶層或第一奈米結晶層或第一多晶層沉積或生長在該基板或蓋體的表面，其中在第五方法步驟中，用於接收該第一結晶層或該第一非晶層或該第一奈米結晶層或該第一多晶層之凹部係被引入到該基板或到該蓋體內。

Abstract in simplified Chinese: 兹提出一种用于制造微机械设备方法，该微机械设备具有基板并且具有盖体，该盖体被连接到该基板并且与该基板封住第一空腔，第一压力存在于该第一空腔中，且具有第一化学组成的第一气体混合物被封入于第一空腔中，其中在第一方法步骤中，进出开口形成于该基板或该盖体中，进出开口系将该第一空腔连接到微机械设备的周围空间，其中在第二方法步骤中，该第一压力及/或该第一化学组成设置在该第一空腔，其中在第三方法步骤中，借由激光的辅助而引入能量或热量到该基板或该盖体的吸收部分以密封该进出开口，其中在第四方法步骤中，将第一结晶层或第一非晶层或第一奈米结晶层或第一多晶层沉积或生长在该基板或盖体的表面，其中在第五方法步骤中，用于接收该第一结晶层或该第一非晶层或该第一奈米结晶层或该第一多晶层之凹部系被引入到该基板或到该盖体内。

公开(公告)号：TW201324693A

公开(公告)日：2013-06-16

申请号：TW101140610

申请日：2012-11-01

Applicant: 高通微機電系統科技公司 ,  QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 何日暉 ,  HE, RIHUI ,  蘭德甘 安納 瑞格洛法 ,  LONDERGAN, ANA RANGELOVA ,  古賽夫 艾吉尼 佩卓維齊 ,  GOUSEV, EVGENI PETROVICH

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/28

CPC classification number: B81C1/00333 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2203/0145

Abstract: 本發明提供用於製造電機系統裝置之系統、方法及設備。在一態樣中，一種密封一電機系統裝置之方法包含蝕刻一犧牲層。該犧牲層形成於一基板之一表面與一殼體層之間且透過形成於該電機系統裝置上方之該殼體層中之蝕刻孔而蝕刻。該殼體層中之該等蝕刻孔具有大於約1微米之一直徑。接著處理該殼體層。在該經處理之殼體層上沈積一密封層。該密封層氣密密封該電機系統裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于制造电机系统设备之系统、方法及设备。在一态样中，一种密封一电机系统设备之方法包含蚀刻一牺牲层。该牺牲层形成于一基板之一表面与一壳体层之间且透过形成于该电机系统设备上方之该壳体层中之蚀刻孔而蚀刻。该壳体层中之该等蚀刻孔具有大于约1微米之一直径。接着处理该壳体层。在该经处理之壳体层上沉积一密封层。该密封层气密密封该电机系统设备。

公开(公告)号：TW201447992A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103108629

申请日：2014-03-12

Applicant: 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： 葛拉漢 安卓 ,  GRAHAM, ANDREW ,  亞馬 蓋瑞 ,  YAMA, GARY ,  歐布琳恩 蓋瑞 ,  O'BRIEN, GARY

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/04 ,  B81B2203/053 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00166 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0136

Abstract: 在一實施例之中，一種形成面外電極的方法包含形成一氧化層於一裝置層之一上表面上方、蝕刻一蝕刻停止周圍界定溝槽，其延伸穿過該氧化層的、形成一第一覆蓋層部分於該氧化層之一上表面之上及該蝕刻停止周圍界定溝槽之內、蝕刻一第一電極周圍界定溝槽，其延伸穿過該第一覆蓋層部分並停止於該氧化層處、沉積一第一材料部分於該第一電極周圍界定溝槽之內、沉積一第二覆蓋層部分於該沉積之第一材料部分上方、以及蒸汽釋放該氧化層的一部分而以蝕刻停止部分提供一側向蝕刻停止。

Abstract in simplified Chinese: 在一实施例之中，一种形成面外电极的方法包含形成一氧化层于一设备层之一上表面上方、蚀刻一蚀刻停止周围界定沟槽，其延伸穿过该氧化层的、形成一第一覆盖层部分于该氧化层之一上表面之上及该蚀刻停止周围界定沟槽之内、蚀刻一第一电极周围界定沟槽，其延伸穿过该第一覆盖层部分并停止于该氧化层处、沉积一第一材料部分于该第一电极周围界定沟槽之内、沉积一第二覆盖层部分于该沉积之第一材料部分上方、以及蒸汽释放该氧化层的一部分而以蚀刻停止部分提供一侧向蚀刻停止。

公开(公告)号：CN201737690U

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201020297206.2

申请日：2010-08-11

Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司

Inventor： 李刚 ,  胡维

IPC: B81B3/00 ,  G01P15/08 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0376 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0828

Abstract: 本实用新型揭示了一种MEMS传感器，包括单晶硅片、覆盖在单晶硅片上的单晶硅薄膜及形成在单晶硅薄膜上的压阻，所述单晶硅片包括正面、背面、自正面向下延伸的网状硅膜、位于网状硅膜下方且与网状硅膜连通的腔体、自背面凹设的背腔及连通腔体与背腔的深槽，所述单晶硅薄膜覆盖在单晶硅片的正面且与网状硅膜相接触，该单晶硅薄膜不会在后续的刻蚀或腐蚀工艺中受到影响，进而使该单晶硅薄膜厚度的一致性与均匀性容易控制。